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Vishay新款40V TrenchFET®功率MOSFET為汽車應(yīng)用提供更小且更節(jié)能的解決方案

Vishay新款40V TrenchFET®功率MOSFET為汽車應(yīng)用提供更小且更節(jié)能的解決方案

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK® 8x8L封裝40V TrenchFET®功率MOSFET-SQJQ402E，目的是為汽車應(yīng)用提供可替代常用D2PAK和DPAK封裝，實現(xiàn)大電流，并能節(jié)省空間和功耗的方案。

發(fā)表于：2015/4/1 16:28:00

Vishay 新款20V芯片級MOSFET可幫助超便攜應(yīng)用進(jìn)一步節(jié)省空間并延長電池工作時間

Vishay 新款20V芯片級MOSFET可幫助超便攜應(yīng)用進(jìn)一步節(jié)省空間并延長電池工作時間

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的TrenchFET® 20V N溝道MOSFET---Si8410DB，在可穿戴設(shè)備、智能手機、平板電腦和固態(tài)驅(qū)動器中節(jié)省空間，降低功耗，并延長電池使用時間。Vishay Siliconix Si8410DB采用芯片級MICRO FOOT®封裝，高度只有0.54mm，在小尺寸1mm2占位的20V器件中具有最低的導(dǎo)通電阻。

發(fā)表于：2015/3/27 14:27:00

CISSOID 公司推出 HADES® v2，一款適合高功率密度應(yīng)用的隔離式柵極驅(qū)動器

CISSOID 公司推出 HADES® v2，一款適合高功率密度應(yīng)用的隔離式柵極驅(qū)動器

高溫及長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 CISSOID 公司推出第二代 HADES® ，一款高度集成的隔離式柵極驅(qū)動器產(chǎn)品。 HADES® 旨在面向基于快速開關(guān)碳化硅 (SiC) 晶體管、傳統(tǒng)功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器和致動器應(yīng)用。憑借 CISSOID 產(chǎn)品無與倫比的耐用性，柵極驅(qū)動器 HADES® 在嚴(yán)酷的環(huán)境下可實現(xiàn)更高可靠性和更長的使用壽命，從而滿足系統(tǒng)設(shè)計者對航空、汽車、工業(yè)、石油和天然氣市場的應(yīng)用需求。

發(fā)表于：2015/3/26 16:07:00

盛科推出SDN智能高密度萬兆芯片CTC8096

盛科推出SDN智能高密度萬兆芯片CTC8096

盛科網(wǎng)絡(luò)，領(lǐng)先的SDN芯片和白牌交換機設(shè)備供應(yīng)商，重磅推出SDN智能高密度萬兆交換芯片CTC8096。此次全新推出的CTC8096交換芯片是盛科自主研發(fā)的第四代交換芯片，該芯片應(yīng)云計算、大數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò)功能虛擬化的趨勢而生，具有業(yè)界領(lǐng)先的容量、性能、功能、功耗和高性價比，旨在以核心芯片助力全球網(wǎng)絡(luò)加速走進(jìn)大規(guī)模智能萬兆時代。

發(fā)表于：2015/3/26 16:02:00

Vishay液鉭電容器通過DLA 15005認(rèn)證，為航太系統(tǒng)提供更好的反向電壓、抗振動和抗熱沖擊能力

Vishay液鉭電容器通過DLA 15005認(rèn)證，為航太系統(tǒng)提供更好的反向電壓、抗振動和抗熱沖擊能力

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其采用玻璃-鉭密封的新款鉭殼液鉭電容已通過Defense Logistics Agency(DLA) 15005標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。對于航空和航天系統(tǒng)，該款器件是業(yè)內(nèi)首個通過DLA 15005認(rèn)證的液鉭電容器，在+85℃ 下的反向電壓為1.5V，具有更好的抗振動能力(正弦：50g，隨機：27.7g)，可耐受300次循環(huán)熱沖擊。

發(fā)表于：2015/3/26 15:58:00

Diodes高壓穩(wěn)壓器晶體管為微控制器提供5V電源并節(jié)省占位面積

Diodes高壓穩(wěn)壓器晶體管為微控制器提供5V電源并節(jié)省占位面積

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出新的穩(wěn)壓器ZXTR2105F，該產(chǎn)品把晶體管、齊納二極管及電阻器單片式集成起來，有效在高達(dá)60V的輸入情況下提供5V 15mA的輸出。

發(fā)表于：2015/3/26 15:54:00

ADI推出四通道、2.4 GSPS、16位數(shù)DAC AD9154

ADI推出四通道、2.4 GSPS、16位數(shù)DAC AD9154

全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商，最近推出四通道、2.4 GSPS、16位數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC) AD9154，該器件在100 MHz至300 MHz頻段內(nèi)具有業(yè)界領(lǐng)先的動態(tài)范圍性能，可用于復(fù)中頻發(fā)射機。

發(fā)表于：2015/3/26 15:36:00

英飛凌攜高能效增強模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺組合亮相2015年應(yīng)用電力電子會議暨展覽會（APEC）

英飛凌攜高能效增強模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺組合亮相2015年應(yīng)用電力電子會議暨展覽會（APEC）

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日宣布擴充其硅基氮化鎵（GaN）技術(shù)和產(chǎn)品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設(shè)備而優(yōu)化的增強模式和級聯(lián)模式GaN平臺，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、移動電源等開關(guān)電源應(yīng)用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費電子產(chǎn)品。GaN技術(shù)可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機等終端產(chǎn)品市場開辟新的機會。

發(fā)表于：2015/3/25 18:31:00

Silicon Labs推出新型低功耗數(shù)字機頂盒調(diào)諧器系列產(chǎn)品

Silicon Labs推出新型低功耗數(shù)字機頂盒調(diào)諧器系列產(chǎn)品

硅TV調(diào)諧器的領(lǐng)先供應(yīng)商Silicon Labs（芯科科技有限公司，NASDAQ：SLAB）今日宣布推出新型高性能數(shù)字機頂盒（STB）調(diào)諧器IC系列產(chǎn)品，設(shè)計旨在降低有線、地面、混合型地面/衛(wèi)星和基于IP的STB產(chǎn)品的成本、復(fù)雜度和功耗。Silicon Labs新型的Si2144和Si2124數(shù)字調(diào)諧器IC憑借優(yōu)秀的單芯片集成度和業(yè)內(nèi)最小的封裝尺寸，能夠有效幫助STB設(shè)計人員減少電路板面積和物料清單（BOM）成本。Si2144/24調(diào)諧器系列產(chǎn)品所集成的環(huán)路輸出（LT, Loop-Through）技術(shù)也有助于降低系統(tǒng)整體成本和功耗。

發(fā)表于：2015/3/25 17:03:00

TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊

TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊

近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內(nèi)的一個高頻驅(qū)動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設(shè)計。如需了解更多信息，敬請訪問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。

發(fā)表于：2015/3/24 0:15:00