頭條 “網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會(huì)代表提案的關(guān)鍵詞 今年的兩會(huì)已落下帷幕，“沒有網(wǎng)絡(luò)安全就沒有國(guó)家安全”，“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多代表委員提案和議案中的關(guān)鍵詞。隨著網(wǎng)絡(luò)的飛速發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)信息安全問題已對(duì)國(guó)家、社會(huì)及個(gè)人造成巨大威脅。 下面就一起看看對(duì)于解決所面臨的網(wǎng)絡(luò)安全問題，代表委員們都有哪些好的建議。 最新資訊 SK海力士將于2025年一季度量產(chǎn)GDDR7顯存 6 月 12 日消息，據(jù)外媒 Anandtech 報(bào)道，SK 海力士代表在 2024 臺(tái)北國(guó)際電腦展上表示，該公司將于 2025 年一季度開始大規(guī)模生產(chǎn) GDDR7 芯片。 SK 海力士在 COMPUTEX 2024 上展示了 GDDR7 顯存，并確認(rèn)相關(guān)顆粒已可向合作伙伴出樣。 發(fā)表于：6/12/2024 日本連續(xù)三個(gè)季度50%的芯片制造設(shè)備出口到中國(guó) 日本連續(xù)三個(gè)季度50%的芯片制造設(shè)備出口到中國(guó) 發(fā)表于：6/12/2024 AMD銳龍9000系列性能提升巨大但仍不敵7000X3D AMD銳龍9000系列性能提升巨大：但仍不敵7000X3D 發(fā)表于：6/12/2024 滬硅產(chǎn)業(yè)擬擴(kuò)建300mm硅片產(chǎn)能 投資132億元！滬硅產(chǎn)業(yè)擬擴(kuò)建300mm硅片產(chǎn)能：總產(chǎn)能將達(dá)120萬片/月 發(fā)表于：6/12/2024 英偉達(dá)今年將消耗全球47%的HBM 英偉達(dá)今年將消耗全球47%的HBM 發(fā)表于：6/12/2024 韓國(guó)AI芯片廠商DeepX轉(zhuǎn)投臺(tái)積電3nm制程 韓國(guó)AI芯片廠商DeepX轉(zhuǎn)投臺(tái)積電3nm制程 發(fā)表于：6/12/2024 三星16層及以上HBM需采用混合鍵合技術(shù) 內(nèi)存堆疊高度受限，三星16層及以上HBM需采用混合鍵合技術(shù) 發(fā)表于：6/12/2024 三星被曝挖來蘋果Siri資深高管領(lǐng)導(dǎo)北美AI團(tuán)隊(duì) 三星被曝挖來蘋果Siri資深高管領(lǐng)導(dǎo)北美AI團(tuán)隊(duì) 發(fā)表于：6/12/2024 傳美國(guó)將進(jìn)一步限制GAA技術(shù)及HBM對(duì)華出口 6月12日，據(jù)彭博社報(bào)道，知情人士稱，拜登政府正在考慮進(jìn)一步限制中國(guó)獲得用于人工智能(AI)的芯片技術(shù)，這次把目標(biāo)鎖定在了一種剛剛進(jìn)入市場(chǎng)的新硬件。傳美國(guó)將進(jìn)一步限制GAA技術(shù)及HBM對(duì)華出口 發(fā)表于：6/12/2024 CGD新型ICeGaN GaN功率IC使數(shù)據(jù)中心、逆變器和工業(yè)開關(guān)電源的實(shí)現(xiàn)超高效率 無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出采用新穎的芯片和封裝設(shè)計(jì)的、超低導(dǎo)通電阻(RDS(on)) ICeGaN? GaN 功率 IC ，將 GaN 的優(yōu)勢(shì)提供給數(shù)據(jù)中心、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他工業(yè)電源等高功率應(yīng)用。新型 ICeGaN? P2系列 IC RDS(on)低至25 mΩ，支持多kW功率應(yīng)用，并提供超高效率。 發(fā)表于：6/11/2024 ?…746747748749750751752753754755…?
