評價存儲器的一個重要指標(biāo)就是它的可靠性，在一般的數(shù)據(jù)存儲中，幾個位的錯誤可能不是很關(guān)鍵的問題，如果但是發(fā)生在某個敏感的數(shù)據(jù)上，這個小小的故障可能會導(dǎo)致嚴(yán)重的后果。因此，必須采取一些措施來及時檢出并糾正出錯的數(shù)據(jù)。目前常用的方法有：奇偶校驗(yàn)、CRC校驗(yàn)、重復(fù)碼校驗(yàn)等。

　　ECC校驗(yàn)是在奇偶校驗(yàn)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，它將數(shù)據(jù)塊看作一個矩陣，利用矩陣的行、列奇偶信息生成ECC校驗(yàn)碼。它能夠檢測并糾正單比特錯誤和檢測雙比特錯誤，但對雙比特以上的錯誤不能保證檢測。它克服了傳統(tǒng)奇偶校驗(yàn)只能檢出奇數(shù)位出錯、校驗(yàn)碼冗長、不能糾錯的局限性。文中在高速大容量固態(tài)存儲器的硬件結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，詳細(xì)介紹了ECC校驗(yàn)碼的生成規(guī)則以及ECC校驗(yàn)流程，并用C語言和VHDL語言兩種方法實(shí)現(xiàn)了該算法。

　　1 存儲器的硬件結(jié)構(gòu)及芯片介紹

　　本存儲器是以FPGA為控制核心，用64片F(xiàn)lash芯片構(gòu)成存儲陣列，采用CPCI接口實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的高速率存儲。Flash存儲陣列分為16組，每組4片，每組Flash芯片共用數(shù)據(jù)和控制總線。該存儲器的硬件結(jié)構(gòu)圖，如圖1所示。

　　存儲板上的存儲芯片用的是Samsung公司的高速大容量固態(tài)存儲芯片K9W8G08U1 M Nand Flash Memory，其容量為1 G×8 bit，分為8 192個塊，每個塊又分為64頁，1頁有(2 k+64)Byte，其中一頁有64 bit的空閑區(qū)。存儲板上的控制芯片是Ahera公司的高端FPGA芯片EP3SE110F1152C4，它負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的緩沖和整個存儲器的時序控制，并負(fù)責(zé)以頁為單位生成校驗(yàn)碼，并把校驗(yàn)碼存人到頁的空閑區(qū)內(nèi)。下面以1頁2 048 bit為單位介紹校驗(yàn)碼的生成以及校驗(yàn)流程。

　　2 EGG算法分析及校驗(yàn)流程

　　2．1 EGG校驗(yàn)碼生成規(guī)則

　　Flash在讀寫數(shù)據(jù)的時候是以頁為單位進(jìn)行的，一頁有2 048個數(shù)據(jù)，所以可以以2 048 bit為單位生成校驗(yàn)碼。每個數(shù)據(jù)有8位信息組成，可以把這2 048個數(shù)據(jù)看成2 048×8的矩陣，這樣就可以分別生成行校驗(yàn)碼和列校驗(yàn)碼來分別校驗(yàn)。ECC校驗(yàn)中，每2 048個數(shù)據(jù)生成4個字節(jié)的校驗(yàn)碼，這32位的校驗(yàn)碼分成3個部分：6位的列校驗(yàn)信息，22位的行校驗(yàn)信息，其余的4位置1，ECC校驗(yàn)碼組成，如表1所示。

　　其中P4_l，P4_2，P2_1，P2_2，P1_1，P1_2是列校驗(yàn)碼，而P8_1，P8_2，P16_1，P16_2，P32_1，P32_2，P64_1，P64_2，P128_1，P128_2，P256_1，P256_2， P512_1，P512_2，P1024_1，P1 024_2， P2 048_1， P2 048_2， P4 096_1，P4096_2，P8192_1，P8192_2是行校驗(yàn)碼。行列校驗(yàn)碼生成表，如表2所示。

　　列校驗(yàn)碼生成用數(shù)學(xué)表達(dá)式表示為

　　行校驗(yàn)碼生成用數(shù)學(xué)表達(dá)式表示為

　　這里xor表示異或操作。

　　因?yàn)榘l(fā)生錯誤的數(shù)據(jù)位在該數(shù)據(jù)塊中的字節(jié)的偏移量為

　　發(fā)生錯誤的數(shù)據(jù)位在所處的字節(jié)中的位偏移量為P4_1，P2_1，P1_1

　　所以根據(jù)字節(jié)的偏移量和字節(jié)中的位的偏移量即可確定該頁數(shù)據(jù)中哪一位發(fā)生了變化。

　　2．2 ECC校驗(yàn)流程

　　當(dāng)向NAND Flash的頁中寫入數(shù)據(jù)的時候，每2 048 bit生成4 bit的ECC校驗(yàn)碼，稱之為寫ECC校驗(yàn)碼，保存到每一頁的空閑數(shù)據(jù)區(qū)中。

　　當(dāng)從NAND Flash中讀取數(shù)據(jù)的時候，每2 048 bit生成4 bit的ECC校驗(yàn)碼，稱之為讀ECC校驗(yàn)碼。校驗(yàn)的時候，根據(jù)上述ECC生成原理不難推斷：將從頁空閑區(qū)中讀出的寫ECC校驗(yàn)碼和讀ECC校驗(yàn)碼按位異或，若結(jié)果為0，則表示不存在錯；若4 bit的異或結(jié)果中存在14 bit為1，表示存在1 bit錯誤，且可糾正；若4個bit的異或結(jié)果中只存在1 bit為1，表示空閑區(qū)中的校驗(yàn)碼出錯；其他情況均表示出現(xiàn)了無法糾正的錯誤，校驗(yàn)流程圖，如圖2所示。

 　　3 ECC算法的實(shí)現(xiàn)

　　3．1 C語言實(shí)現(xiàn)ECC算法

　　以一頁數(shù)據(jù)2 048個字節(jié)作為測試數(shù)據(jù)產(chǎn)生ECC校驗(yàn)碼，數(shù)據(jù)是0x00～0xFF，循環(huán)8次產(chǎn)生2048個數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)序列，如圖3所示。

　　按前面的ECC校驗(yàn)碼生成規(guī)則，2 048個數(shù)據(jù)應(yīng)該生成4個校驗(yàn)碼，生成的校驗(yàn)碼，如圖4所示，其中ecccode1，ecccode2，ecccode3，ecccode4是生成的4個校驗(yàn)碼。

　　現(xiàn)在假設(shè)讀出的數(shù)據(jù)中有一位數(shù)據(jù)發(fā)生了翻轉(zhuǎn)，出現(xiàn)了一位數(shù)據(jù)錯誤的情況，即假設(shè)數(shù)據(jù)的第2 bit的最低位發(fā)生了翻轉(zhuǎn)，0×0l變成了O×00，此時讀出的數(shù)據(jù)序列，如圖5所示。

　　3．2 利用VHDL語言實(shí)現(xiàn)EGG算法

　　文中以0x00~OxFF循環(huán)8次產(chǎn)生2 048個數(shù)據(jù)，利用VHDL語言編程，在QuartusII7．2下進(jìn)行了仿真，得到了如圖7所示的校驗(yàn)碼。其中ecccodel =00000000，ecccode2=00000000，ecccode3=11000000，ecccode4=000000ll是生成的4個校驗(yàn)碼，從圖中可以看到利用VHDL語言得到的校驗(yàn)碼和用C語言得到的ECC校驗(yàn)碼是相同的。

　　4 結(jié)束語

　　文中介紹了ECC算法的一種實(shí)現(xiàn)方法，說明了ECC的校驗(yàn)流程，最后用兩種方法實(shí)現(xiàn)ECC校驗(yàn)算法。ECC校驗(yàn)算法簡單，軟硬件均能實(shí)現(xiàn)，它能夠檢測并糾正單比特錯誤和檢測雙比特錯誤，所以可以為數(shù)據(jù)存儲和通信系統(tǒng)提供一種強(qiáng)有力的差錯檢測手段。