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我國首條全自主12英寸碳化硅中試線投產(chǎn)

核心設(shè)備國產(chǎn)化率達100%
2025-10-11
來源:AI Silicon
關(guān)鍵詞: 晶盛機電 碳化硅

據(jù)標(biāo)述科技報道,浙江晶盛機電股份有限公司近期在其投資者關(guān)系活動中確認(rèn),公司首條12英寸碳化硅襯底加工研發(fā)中試線已于2025年9月26日在其子公司爍科晶研正式貫通。報道指出,該中試線的關(guān)鍵突破在于其所有環(huán)節(jié)設(shè)備均為自主研發(fā),實現(xiàn)了100%國產(chǎn)化。

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12英寸碳化硅技術(shù)浪潮興起

報道指出,增大晶圓尺寸是降低成本的關(guān)鍵路徑。據(jù)晶盛機電表示,與當(dāng)前主流的8英寸產(chǎn)品相比,12英寸碳化硅襯底每片晶圓可產(chǎn)出的芯片數(shù)量提升約2.5倍,將在大規(guī)模量產(chǎn)時顯著降低單位成本。

報道援引行業(yè)分析稱,一旦12英寸襯底進入量產(chǎn)階段,單片成本有望下降約40%,而車規(guī)級功率模塊單價可能從目前的150美元左右降至約90美元。報道補充指出,這將為新能源汽車、光伏發(fā)電、5G通信等下游領(lǐng)域的成本優(yōu)化發(fā)揮關(guān)鍵作用。

在晶盛機電推進技術(shù)的同時,其他公司也在推動12英寸碳化硅的發(fā)展。報道強調(diào),隨著國內(nèi)企業(yè)中科鋼研的12英寸碳化硅襯底線良率已達65%并目標(biāo)在2025年底實現(xiàn)量產(chǎn),以及英飛凌與天科合達正合作開發(fā)計劃于2026年問世的12英寸溝槽柵SiC MOSFET,大尺寸碳化硅時代正加速到來。


國內(nèi)產(chǎn)業(yè)全球影響力持續(xù)提升,自主化進程加速

在我國持續(xù)推進碳化硅產(chǎn)業(yè)自主可控的背景下,國內(nèi)企業(yè)正快速擴大其全球影響力。報道援引行業(yè)數(shù)據(jù)稱,中國在全球碳化硅襯底市場的份額預(yù)計將從2024年的35%提升至2025年的60%,設(shè)備國產(chǎn)化率將超過80%。根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù),2024年 Wolfspeed 以34%的份額引領(lǐng)全球碳化硅襯底市場,但國內(nèi)競爭對手天科合達和中科鋼研正奮起直追,市場份額均已達到17%。


碳化硅應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展

報道顯示,新能源汽車仍是碳化硅功率器件最大的應(yīng)用市場,在2024年占據(jù)全球市場的73.1%。報道同時強調(diào),AI數(shù)據(jù)中心正成為新的增長動力,不斷上升的功耗和散熱需求推動電源和冷卻系統(tǒng)升級,碳化硅有望助力解決高端AI芯片的散熱挑戰(zhàn)。

值得注意的是,據(jù)《財富》雜志報道,英偉達據(jù)稱計劃在其下一代Rubin架構(gòu)中采用碳化硅替代傳統(tǒng)硅襯底,以瞄準(zhǔn)更高性能——這一轉(zhuǎn)變可能為行業(yè)開啟新的機遇。


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