5月29日消息，近日，臺(tái)積電重申，1.4nm級(jí)工藝技術(shù)不需要高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機(jī)，目前找不到非用不可的理由。

臺(tái)積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術(shù)研討會(huì)上重申了其長(zhǎng)期以來對(duì)下一代高NA EUV光刻設(shè)備的立場(chǎng)。該公司的下一代工藝技術(shù)，包括A16（1.6納米級(jí)）和A14（1.4納米級(jí)）工藝技術(shù)，不需要這些最高端的光刻系統(tǒng)。

因此，臺(tái)積電不會(huì)在這些節(jié)點(diǎn)上采用高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備。

“人們似乎總是對(duì)臺(tái)積電何時(shí)會(huì)使用高數(shù)值孔徑 (High-NA) 感興趣，我認(rèn)為我們的答案很簡(jiǎn)單，”臺(tái)積電副聯(lián)席首席運(yùn)營(yíng)官兼業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷售高級(jí)副總裁張曉強(qiáng) (Kevin Zhang) 在活動(dòng)上表示。

“只要我們發(fā)現(xiàn)高數(shù)值孔徑 (High-NA) 能夠帶來有意義的、可衡量的效益，我們就會(huì)采用。對(duì)于A14 來說，我之前提到的性能提升在不使用高數(shù)值孔徑的情況下也非常顯著。因此，我們的技術(shù)團(tuán)隊(duì)正在持續(xù)尋找延長(zhǎng)現(xiàn)有EUV壽命的方法，同時(shí)獲得微縮優(yōu)勢(shì)?！?/p>

臺(tái)積電的A14工藝基于其第二代納米片環(huán)柵晶體管 (Nanosheet Gate-All-Accepted Transistor)，以及全新的標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)。

據(jù)臺(tái)積電稱，A14 在相同功率和復(fù)雜度下性能提升高達(dá)15%，或在相同頻率下功耗降低25%至30%。

“這是我們技術(shù)團(tuán)隊(duì)的一項(xiàng)偉大創(chuàng)新，”張曉強(qiáng)說?！爸灰麄兝^續(xù)尋找方法，顯然我們就不必使用高數(shù)值孔徑EUV。最終，我們會(huì)在某個(gè)時(shí)候使用它。只是我們需要找到一個(gè)合適的攔截點(diǎn)，提供最大的效益，實(shí)現(xiàn)最大的投資回報(bào)?！?/p>

據(jù)了解，ASML最新一代的高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)光刻機(jī)，單價(jià)高達(dá)4億美元，如此高昂的價(jià)格讓很多廠商望而卻步。

截止目前，ASML已向客戶交付總共5臺(tái)，包括Intel、三星。 其重達(dá)180噸、體積如同雙層巴士，堪稱全球最昂貴的半導(dǎo)體制造設(shè)備之一。