1月26日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，中國封測廠商通富微電已經(jīng)宣布試生產(chǎn) HBM2 工藝，而在此之前，中國存儲器制造商長鑫存儲也已經(jīng)開始生產(chǎn) HBM2。

HBM是高帶寬內(nèi)存芯片，其基于多顆DRAM芯片通過先進(jìn)封裝工藝堆疊而成，主要面向高性能AI芯片應(yīng)用。比如英偉達(dá)、AMD、英特爾的AI芯片封裝內(nèi)都有集成HBM芯片。但是由于美國對華半導(dǎo)體限制政策，海外HBM芯片的對華出口收到了限制，這也使得中國AI芯片的發(fā)展就必須要依賴于國產(chǎn)HBM廠商的突破。

通富微電是全球第三大第三大半導(dǎo)體封裝和測試服務(wù)提供商，具備先進(jìn)封裝能力，不過此前其并未有提供HBM芯片的封裝服務(wù)。據(jù)報(bào)道稱，他們很可能正在利用第三方來源的存儲器和半導(dǎo)體必需品，然后利用自己的專業(yè)知識組裝 HBM2 芯片。

需要指出的是，目前SK海力士最先進(jìn)的HBM芯片即將進(jìn)展到了HBM4，HBM2與之相比落后了兩代，但即便如此，這對于中國來說也是突破。