1月6日消息，近日有傳聞稱(chēng)，高通由于臺(tái)積電2nm制程價(jià)格過(guò)高，可能將其未來(lái)的2nm芯片轉(zhuǎn)交由三星電子代工。不過(guò)，半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)SemiAnalysis首席分析師Dylan Patel認(rèn)為，這些謠言有問(wèn)題，因?yàn)楦咄坝ミ_(dá)（Nvidia）對(duì)三星都沒(méi)有信心。

Dylan Patel通過(guò)X平臺(tái)指出，近來(lái)有許多關(guān)于臺(tái)積電2nm與蘋(píng)果、英偉達(dá)、高通的奇怪傳言。臺(tái)積電2nm等級(jí)“N2”制程并未延遲。根據(jù)臺(tái)積電2023年公開(kāi)的信息，N2制程將如期于2025年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。臺(tái)積電于2021年就將重大制程的推出時(shí)間間距改為2年以上。

Dylan Patel表示，N2晶圓需經(jīng)過(guò)上千個(gè)步驟才能打造完成、費(fèi)時(shí)接近14周，封裝還得花上數(shù)月。換而言之，內(nèi)置N2芯片的產(chǎn)品最快2026年第二季才能問(wèn)世。

蘋(píng)果早就規(guī)劃讓代號(hào)“Theras”、“Tilos”、“Hidra”、“Sotra”、“Baltra”、“Isonoe”的芯片采用臺(tái)積電N3P制程。蘋(píng)果將按照計(jì)劃于2026年發(fā)表第一批采用臺(tái)積電N2制程的產(chǎn)品。

Dylan Patel還指出，英偉達(dá)、高通對(duì)三星沒(méi)有信心。三星目前制程的性能、功耗及面積（Performance、Power、Area，簡(jiǎn)稱(chēng)PPA）落后臺(tái)積電將近3年，甚至落后英特爾（Intel ）接近1年。英偉達(dá)、高通向來(lái)都會(huì)測(cè)試三星推出的全新制程，也會(huì)測(cè)試英特爾的新制程，但這兩家公司都沒(méi)有將量能最大產(chǎn)品移出臺(tái)積電的打算。

爆料人士@Jukanlosreve于1月5日也在X平臺(tái)指出，雖然高通正在測(cè)試三星晶圓代工業(yè)務(wù)部門(mén)（Samsung Foundry）的晶圓，卻不代表要放棄臺(tái)積電。高通永遠(yuǎn)不會(huì)停止跟臺(tái)積電合作，他們只是在探索第二個(gè)采購(gòu)選項(xiàng)。