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消息稱臺(tái)積電美國(guó)工廠最快2028年啟動(dòng)2納米工藝量產(chǎn)

2024-12-02
來源:C114通信網(wǎng)

科技媒體 technews 11月29日發(fā)布博文,報(bào)道稱臺(tái)積電遞交美國(guó)商務(wù)部的資料顯示,其美國(guó)工廠最快 2028 年啟動(dòng) 2nm 工藝量產(chǎn)。

援引新聞稿,美國(guó)亞利桑那州晶圓廠正按照進(jìn)度推進(jìn),第一期工程將在將于 2025 上半年開始生產(chǎn) 4 納米節(jié)點(diǎn)制程,而第二座晶圓廠預(yù)計(jì) 2028 年開始生產(chǎn) 2 納米制程技術(shù)。

至于,第三座晶圓廠預(yù)計(jì)將在 21 世紀(jì) 20 年代底(約 2030 年前)采用 2 納米或更先進(jìn)制程生產(chǎn)。

為了吸引臺(tái)積電等先進(jìn)芯片制造商赴美投資,美國(guó)政府出臺(tái)了“芯片法案”,并為臺(tái)積電的亞利桑那州工廠提供了高達(dá) 66 億美元的補(bǔ)貼。臺(tái)積電也計(jì)劃在美國(guó)建設(shè)第三座晶圓廠。


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