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SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)拜訪臺(tái)積電 強(qiáng)化HBM芯片制造合作

2024-06-11
來(lái)源:芯智訊
關(guān)鍵詞: SK海力士 臺(tái)積電 HBM

6月7日,韓國(guó)SK集團(tuán)發(fā)布新聞稿表示,SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源與旗下存儲(chǔ)芯片大廠SK海力士(SK Hynix)總裁郭魯于6月6日訪問(wèn)臺(tái)積電,與臺(tái)積電新任董事長(zhǎng)魏哲家進(jìn)行了會(huì)面,雖然未披露具體商談內(nèi)容,但證實(shí)雙方同意加強(qiáng)在人工智能(AI)芯片方面的合作,包括第六代高帶寬內(nèi)存(HBM)HBM4芯片。

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SK的動(dòng)作,代表全球三大內(nèi)存廠--SK海力士、美光和三星電子在HBM4的市場(chǎng)爭(zhēng)奪戰(zhàn)開(kāi)打。日前輝達(dá)執(zhí)行長(zhǎng)黃仁勛喊出下一代平臺(tái)「Rubin」預(yù)期在2026年進(jìn)入量產(chǎn),將搭載HBM4。

SK集團(tuán)表示,崔泰源在拜會(huì)魏哲家時(shí)表示,“讓我們一起開(kāi)啟嘉惠人類的AI時(shí)代”。臺(tái)積電方面也證實(shí)此一消息。

資料顯示,SK海力士4月已經(jīng)與臺(tái)積電簽署策略結(jié)盟協(xié)議,強(qiáng)化生產(chǎn)HBM芯片與先進(jìn)封裝技術(shù)的能力。根據(jù)合作協(xié)議,SK海力士計(jì)劃運(yùn)用臺(tái)積電的技術(shù)開(kāi)發(fā)第六代HBM芯片HBM4,預(yù)定2025年量產(chǎn)。

臺(tái)積電目前最先進(jìn)的3nm制程,預(yù)計(jì)將于今年將擴(kuò)增三倍產(chǎn)能,仍供不應(yīng)求。臺(tái)積電從2020到2024年在3/5/7nm制程方面,產(chǎn)能復(fù)合成長(zhǎng)率估計(jì)達(dá)25%。臺(tái)積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)資深副總經(jīng)理暨副共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)張曉強(qiáng)此前表示,臺(tái)積電和SK海力士、美光和三星三家HBM主要供應(yīng)商都緊密合作。


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