4 月 25 日消息，臺積電在近日公布的 2023 年報中表示，其背面供電版 N2 制程節(jié)點定于 2025 下半年向客戶推出，2026 年實現(xiàn)正式量產(chǎn)。

臺積電表示其 N2 制程將引入其 GAA 技術(shù)實現(xiàn) —— 納米片（Nanosheet）結(jié)構(gòu)，在性能和能效方面都提升一個時代，預(yù)計于 2025 年啟動量產(chǎn)。

而引入背面電軌（Backside Power Rail）方案的 N2 衍生版本“最適用于高效能運算相關(guān)應(yīng)用”，將在標準版 N2 后投入商用。

傳統(tǒng)芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的線路層。但隨著制程工藝的收縮，傳統(tǒng)供電模式的線路層越來越混亂，對設(shè)計與制造形成干擾。

背面供電將芯片供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，可簡化供電路徑，解決互連瓶頸，減少供電對信號的干擾，最終可降低平臺整體電壓與功耗。

臺積電在先進制程代工領(lǐng)域的兩大對手也在積極布局背面供電技術(shù)。

其中英特爾將在今年上半年的 Intel 20A 節(jié)點導(dǎo)入背面供電；另據(jù)以往報道，三星也有望在 2025 年的 SF2 節(jié)點應(yīng)用此技術(shù)。

換句話說，2nm 制程將成為背面供電進入商業(yè)應(yīng)用的標志節(jié)點。