美光（Micron）近日出席英偉達 GTC 2024 大會，展示了 256GB 單條 MCRDIMM DDR5-8800 內(nèi)存模塊。
美光表示該內(nèi)存模塊主要為英特爾 Xeon Scalable Granite Rapids 等未來服務(wù)器系統(tǒng)設(shè)計，并已經(jīng)開始向感興趣的買家發(fā)送樣品。
這款 256GB 單條 MCRDIMM DDR5 內(nèi)存的運行速度為 8800 MHz，專為 1U 服務(wù)器系統(tǒng)設(shè)計，基于 32-gigabit DDR5 芯片。
該內(nèi)存模塊每面均有 40 個內(nèi)存芯片，一條 256 GB MCRDIMM DDR5-8800 內(nèi)存模塊的功耗約為 20W，作為對比美光此前發(fā)布的 DDR5-4800 規(guī)格 128 GB DDR5-8000 RDIMM 模塊的功耗為 10W，因此功耗相對來說較低。
IT之家注：MCRDIMM 全名為 Multiplexer Combined Ranks DIMMs（多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組），將多個 DRAM 組合在一塊主板上，能夠同時運行兩個內(nèi)存列（Rank，模組處理信息的基本運行單位），提高內(nèi)存的速率。
從曝光的資料來看，DDR5 MRDIMM Gen1 將提升到 8800 MT / s，DDR5 MRDIMM Gen2 提升到 12800 MT / s，2030 年后的 DDR5 MRDIMM Gen3 將提升到 17600 MT / s。
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