3 月 19 日消息，英偉達(dá)今日發(fā)布了地表最強(qiáng)的 AI 加速卡--Blackwell GB200，采用臺(tái)積電 4NP 工藝制程，配備 192 HBM3E 內(nèi)存，共有 2080 億個(gè)晶體管，推理大語(yǔ)言模型性能比 H100 提升 30 倍，成本和能耗降低 96%。

SK 海力士今日發(fā)布新聞稿宣布其最新的超高性能 AI 內(nèi)存產(chǎn)品 HBM3E 已開(kāi)始量產(chǎn)，并將從本月下旬起向客戶(hù)供貨，距離去年 8 月宣布開(kāi)發(fā)僅隔了 7 個(gè)月。

據(jù)介紹，SK 海力士是首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) HBM3E 供應(yīng)商，HBM3E 每秒可處理 1.18TB 數(shù)據(jù)，相當(dāng)于在 1 秒內(nèi)可處理 230 部全高清（FHD）級(jí)電影。

由于 AI 對(duì)內(nèi)存的運(yùn)行速度要求極高，HBM3E 相比前幾代產(chǎn)品更注重散熱方面的表現(xiàn)。SK 海力士表示，其 HBM3E 采用先進(jìn)的 MR-MUF 技術(shù)，散熱性能較上一代產(chǎn)品提高了 10%，從而在散熱等所有方面都達(dá)到了全球最高水平。

MR-MUF 是一種將半導(dǎo)體芯片堆疊后，為了保護(hù)芯片和芯片之間的電路，在其空間中注入液體形態(tài)的保護(hù)材料，并進(jìn)行固化的封裝工藝技術(shù)。與每堆疊一個(gè)芯片時(shí)鋪上薄膜型材料的方式相較，工藝效率更高，散熱方面也更加有效。

SK 海力士 HBM 業(yè)務(wù)擔(dān)當(dāng)副社長(zhǎng)柳成洙表示，“公司通過(guò)全球首次 HBM3E 投入量產(chǎn)，進(jìn)一步強(qiáng)化了領(lǐng)先用于 AI 的存儲(chǔ)器業(yè)界的產(chǎn)品線(xiàn)”，還表示，“以至今積累的 HBM 業(yè)務(wù)成功經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)，將進(jìn)一步夯實(shí)與客戶(hù)的關(guān)系，并鞏固‘全方位人工智能存儲(chǔ)器供應(yīng)商’的地位。”

除 SK 海力士外，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子和美光也已經(jīng)在向 Nvidia 提供 HBM3E 樣品，但它們還需要完成最終的質(zhì)量認(rèn)證測(cè)試，以確保產(chǎn)品能夠達(dá)到出貨質(zhì)量要求，而 SK 海力士比預(yù)先安排的檔期提前了至少兩個(gè)月。

目前，NVIDIA 已經(jīng)占據(jù) AI GPU 市場(chǎng) 90% 以上的份額；而在存儲(chǔ)領(lǐng)域，SK 海力士已經(jīng)占據(jù)全球 HBM 市場(chǎng)一半以上的份額，更是 100% 壟斷了 128GB DDR5 這類(lèi)大容量 DRAM 產(chǎn)品市場(chǎng)。