三星宣布，正在開發(fā)下一代V9 QLC閃存技術(shù)，一舉堆疊到280層，容量、性能都實現(xiàn)了巨大的飛躍，預(yù)計今年內(nèi)就會正式推出。

三星V9 QLC閃存的存儲密度達(dá)到了前所未有的每平方毫米28.5Gb，相比目前最好的長江存儲232層QLC 20.62Gb提高了多達(dá)36％。

其他的QLC方案就更不值一提了：美光232層19.5Gb、SK海力士176層14.4Gb、西數(shù)/鎧俠162層13.86Gb。

密度上來之后，SSD容量自然水漲船高，理論上可以將M.2 SSD做成單面8TB、雙面16TB！

當(dāng)然具體做多少還得看市場需求了。

三星990 EVO

性能方面，三星V9 QLC的最大傳輸率號稱可達(dá)3200MT/s，比目前最好的2400MT/s又高了一個檔次，甚至可以滿足未來PCIe 6.0方案的需求。

但實際表現(xiàn)如何還有待觀察，畢竟QLC方案都嚴(yán)重依賴pSLC緩沖技術(shù)，需要將最多25％的容量做成緩存。

雖然很多人依然不待見QLC，但是隨著TLC的潛力被挖掘殆盡，QLC已經(jīng)成為絕對主流，各家都已經(jīng)全部轉(zhuǎn)向，三星也從2022年開始就將幾乎全部精力放在了QLC。