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消息稱長江存儲(chǔ)正準(zhǔn)備下一代3D NAND閃存架構(gòu)Xtacking 4.0

2023-11-17
作者:汪淼
來源:IT之家

據(jù) Tom's Hardware 看到的一份文件顯示,長江存儲(chǔ)正在準(zhǔn)備其下一代 3D NAND 閃存架構(gòu) ——Xtacking 4.0。該公司沒有計(jì)劃增加目前正在開發(fā)的兩款 Xtacking 4.0 器件的層數(shù),但隨著時(shí)間的推移,該系列可能會(huì)變得更廣泛。

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晶棧 Xtacking 是長江存儲(chǔ)核心技術(shù)品牌,可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上加工外圍電路和存儲(chǔ)單元,這樣有利于選擇更先進(jìn)的邏輯工藝,從而讓 NAND 獲取更高的 I / O 接口速度及更多的操作功能。當(dāng)兩片晶圓各自完工后,晶棧 Xtacking 技術(shù)只需一個(gè)處理步驟即可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合,合二為一。

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報(bào)道稱,長江存儲(chǔ)目前已向一些業(yè)內(nèi)同行披露的 Xtacking 4.0 產(chǎn)品陣容,包括 128 層 X4-9060 3D TLC 和 232 層 X4-9070 3D TLC NAND 器件,這些器件最終可用于構(gòu)建一些更高端的 SSD。

該公司計(jì)劃對兩者都使用串堆疊(string stacking)。因此從技術(shù)上來說,它將生產(chǎn)具有 64 和 116 個(gè)有源層的 3D NAND 陣列,這使得晶圓廠設(shè)備制造商能夠繼續(xù)為其提供必要的工具。

目前尚不清楚長江存儲(chǔ)的 Xtacking 4.0 閃存將帶來哪些優(yōu)勢,但長江存儲(chǔ)通常會(huì)在每個(gè)新節(jié)點(diǎn)上提高數(shù)據(jù)傳輸速率和存儲(chǔ)密度。



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