韓國今日電子新聞11月15日報道稱，三星計劃進口更多 ASML 極紫外（EUV）光刻設備。

雖然由于合同中的保密條款未能披露具體細節(jié)，但證券市場消息稱，該協(xié)議將使 ASML 在五年內(nèi)提供總共 50 套設備，而每臺單價約為 2000 億韓元（當前約 11.02 億元人民幣），總價值可達 10 萬億韓元（當前約 551 億元人民幣）。

目前尚不清楚其合同中的產(chǎn)品是現(xiàn)有 EUV 光刻設備還是下一代“High NA EUV”光刻設備。不過，目前 EUV 光刻設備最大的問題是產(chǎn)量有限。據(jù)官方介紹，它“比衛(wèi)星部件還復雜”，每年只能生產(chǎn)很有限的數(shù)量。據(jù)說去年是 40 臺，今年 ASML 估計是 60 臺。而目前需要且能購買到 EUV 光刻設備的廠商有五家：三星電子、臺積電、英特爾、SK 海力士和美光。其中，臺積電約占供應量的 70%，剩下四家公司爭奪剩下的 30%。

三星電子于去年 6 月推出了全球首個采用全柵極（GAA）技術的 3nm 代工技術，因此該公司一直在努力確保采購更多 EUV 光刻設備，目標是在明年上半年進入 3nm 世代的第二代工藝，在 2025 年進入 2nm 工藝，在 2027 年進入 1.4nm 工藝。

正因如此，李在镕董事長去年 6 月訪問了 ASML 總部，與首席執(zhí)行官 Peter Bennink 討論了 EUV 采購問題，并在同年 11 月訪問韓國期間與 Bennink 進行了進一步會談。鑒于 EUV 的交付周期（從下單到收貨）至少需要一年，這些會議看起來確實取得了實際成果。

實際上，半導體領域分析師也對三星電子增購 EUV 光刻設備的計劃持積極態(tài)度。

祥明大學系統(tǒng)半導體工程教授 Lee Jong-hwan 說道：“三星已引進數(shù)十臺 EUV 光刻設備，據(jù)說每臺設備的成本約為 2000 億韓元，這表明該公司打算擴大 3nm 量產(chǎn)機會，并在未來實現(xiàn) 2nm 計劃?！?/p>

此前，三星電子宣布計劃到 2025 年擁有 100 臺 EUV 光刻機。市場估計三星目前的 EUV 機群約為 40 臺。如果這 50 臺設備的能夠順利交付，那么三星到 2028 年將能夠擁有約 100 臺設備。

荷蘭應用科學研究所（TNO）韓國代表 Byung-hoon Park 解釋稱說：“通常情況下，半導體工藝可以將每臺機器的 10% 用于工藝研發(fā)和測試，擁有 100 臺機器則意味著它們可以全天候用于研發(fā)?！?/p>

他還指出，“通過這樣做，我們將能夠確保有足夠的工藝能力來正確使用設備”，他補充說，“ 預計這將減少工藝過程中的時間和成本，并提高產(chǎn)量?！?/p>

“一旦我們擁有了大量的（EUV）設備，并且技術趨于穩(wěn)定，我們將能夠提高產(chǎn)量，并在代工方面取得進展”，工業(yè)研究所的專家研究員金陽邦（Kim Yang-pang）說。