10月25日，TechInsights發(fā)布題為《中國再次實現(xiàn)突破！全球最先進的3D NAND存儲芯片被發(fā)現(xiàn)》的文章，稱在一款消費電子產(chǎn)品中發(fā)現(xiàn)“世界上最先進”的3D NAND存儲芯片，它來自長江存儲。TechInsights表示，這是其看到的首個具有超過200個活躍字線的四層存儲單元（QLC）3D NAND芯片。

據(jù)介紹，TechInsights 在2023年7月推出的致態(tài)固態(tài)硬盤（SSD）中發(fā)現(xiàn)由長江存儲制造的232層QLC 3D NAND芯片。這種新的QLC芯片具有19.8 Gb/mm2的商用NAND產(chǎn)品中最高的比特密度。

該文指出，此次發(fā)現(xiàn)5個關鍵要點：

1. 長江存儲再次證明他們?yōu)?D NAND TLC和QLC應用開發(fā)的Xtacking混合鍵合技術(shù)的價值。Xtacking 3.0 232L采用BSSC技術(shù)，提高良率和性能，降低成本。

2. 盡管受到制裁后困難重重，包括該公司受限于向蘋果供應基于中國生產(chǎn)的iPhone零部件，以及被列入美國的實體名單，但長江存儲仍在開發(fā)最先進的技術(shù)。

3. 近期存儲市場的低迷，以及許多內(nèi)存制造商專注于節(jié)省成本的舉措，可能為長江存儲提供機遇，使其具有領先的更高比特密度的3D Xtacking NAND。

4. 本次發(fā)現(xiàn)超越同樣在開發(fā)232層QLC 3D NAND器件的美光和英特爾。值得注意的是，三星目前的戰(zhàn)略是專注于V9 3D NAND的TLC和QLC，因此沒有在236層（V8）3D NAND上開發(fā)QLC。

5. 越來越多的證據(jù)表明，中國正在努力克服貿(mào)易限制、建立本土半導體供應鏈的勢頭比預期的要成功。（校對/趙碧瑩）