在臺積電和三星的3nm工藝量產(chǎn)云里霧里的時候，Intel宣布它的Intel 4工藝也將在今年下半年量產(chǎn)，如此一來臺積電和三星的3nm工藝領(lǐng)先優(yōu)勢可能成為泡影。

近幾年來臺積電和三星幾乎保持著1－2年升級一代芯片制造工藝的腳步，到如今它們投產(chǎn)的最先進工藝已是5nm，而Intel則在去年底才投產(chǎn)10nm；臺積電和三星在今年下半年量產(chǎn)3nm，而Intel則在今年下半年量產(chǎn)7nm。

從納米工藝的數(shù)字來看，Intel無疑已遠遠落后于臺積電和三星，不過這僅僅是它們在命名方面的差異，然而在芯片制造工藝的實際性能方面，其實差距并沒有如名字那么大，Intel甚至還稍微領(lǐng)先于三星。

對于芯片制造工藝的性能，去年臺媒digitimes曾根據(jù)晶體管密度給出了不同的評論，對Intel、臺積電、三星三家芯片制造廠的工藝做了比較，根據(jù)晶體管密度，Intel的10nm工藝達到1．06億個晶體管每平方毫米，而臺積電、三星的7nm工藝才分別為0．97、0．95億個晶體管每平方毫米。

并且越到后面的先進工藝，三者的差距就越大，digitimes認(rèn)為Intel的7nm工藝與臺積電的5nm工藝相當(dāng)，而三星的5nm工藝則比臺積電落后四分之一，預(yù)計三星的3nm工藝晶體管密度才能達到臺積電5nm工藝和Intel 7nm工藝水平。

Intel在芯片制造工藝命名上吃了虧，因此Intel新任CEO基辛格上任后也開始依照臺積電和三星的命名規(guī)矩，對它的芯片制造工藝改名，10nm工藝被改名為Intel 7工藝，7nm工藝則被改名為Intel 4工藝。

目前Intel、臺積電、三星等在芯片制造工藝上展開了激烈的競賽，Intel預(yù)計在今年下半年量產(chǎn)Intel 4工藝后只比臺積電稍微落后，卻比三星領(lǐng)先，正力爭提前量產(chǎn)Intel 20和Intel 18A工藝，力求在2025年量產(chǎn)Intel 18A工藝反超臺積電。

臺積電也不甘示弱，臺積電加速了它的2nm工藝進程，預(yù)計2024年量產(chǎn)2nm，比原計劃提前一年；當(dāng)下的3nm工藝研發(fā)團隊立即轉(zhuǎn)入研發(fā)1．4nm工藝，力爭在2025年量產(chǎn)，以保持對Intel的領(lǐng)先優(yōu)勢。

但是Intel背后有美國的支持，為了支持Intel加速先進工藝研發(fā)，目前美國計劃將520億美元的芯片補貼優(yōu)先給包括Intel在內(nèi)的美國企業(yè)，臺積電和三星順應(yīng)美國要求后在美國設(shè)廠卻可能無法得到這筆補貼；同時ASML也在美國的要求下擴大它在美國的工廠，并優(yōu)先將第二代EUV光刻機交給Intel。

在諸多因素影響下，孤軍奮戰(zhàn)的臺積電還能否加速2nm、1．4nm工藝研發(fā)就存在疑問，面對種種困難，臺積電如今已悄悄降低了對美國芯片的依賴度，今年一季度中國大陸芯片貢獻的營收占比達到了11％，較去年的6％大幅提升，似乎臺積電認(rèn)識到了中國大陸芯片的重要性，希望依靠中國大陸芯片制衡美國芯片。