光刻機(jī)是芯片生產(chǎn)制造的必要設(shè)備，目前，最先進(jìn)的光刻機(jī)技術(shù)掌握在ASML手中。數(shù)據(jù)顯示，ASML研發(fā)生產(chǎn)的DUV光刻機(jī)，能夠生產(chǎn)7nm以上的芯片，而EUV光刻機(jī)則能夠生產(chǎn)制造7nm以下的芯片，兩款光刻機(jī)幾乎占領(lǐng)了中高端市場(chǎng)。最主要的是，EUV光刻機(jī)是生產(chǎn)7nm以下芯片的必要設(shè)備，所以，臺(tái)積電才大量安裝EUV光刻機(jī)，預(yù)計(jì)在2021年安裝超過50臺(tái)。另外，三星也加入其中，李在镕更是親自前往ASML，協(xié)商購買更多的EUV光刻機(jī)，目的就是提升先進(jìn)制程芯片的產(chǎn)能和良品率。

但沒有想到的是，就在三星、臺(tái)積電等都大量爭(zhēng)奪EUV光刻機(jī)之際，ASML卻正式官宣了1nm的光刻機(jī)相關(guān)情況。據(jù)悉，生產(chǎn)7nm、5nm、3nm等芯片，EUV光刻機(jī)是完全可以滿足需求，但生產(chǎn)2nm以后的芯片，則需要更為先進(jìn)的光刻機(jī)——NAEUV光刻機(jī)。數(shù)據(jù)顯示，對(duì)于2nm以后的超精細(xì)工藝，需要實(shí)現(xiàn)更高的分辨率和更高的光刻設(shè)備NA(NA=0.55)。目前，7nm、5nm等則是采用了NA=0.33EUV光刻設(shè)備。

據(jù)IMEC介紹，ASML已經(jīng)完成了作為NXE:5000系列的高NAEUV曝光系統(tǒng)的基本設(shè)計(jì)，但商業(yè)化計(jì)劃在2022年左右。但這套下一代系統(tǒng)將因其巨大的光學(xué)系統(tǒng)而變得非常高大，很有可能頂在傳統(tǒng)潔凈室的天花板下。也就是說，ASML有望在2022年推出NAEUV光刻機(jī)，其可以用以生產(chǎn)2nm以下的芯片，像1nm、亞1nm的芯片。面對(duì)這樣的這樣情況，只能說這來得太快了。

芯片的發(fā)展十分迅速，如今可以說是剩不下多少發(fā)展空間了，目前已經(jīng)全球已經(jīng)實(shí)現(xiàn)4納米芯片的量產(chǎn)，下一代，也就是3納米，也就在今明兩年也就能和市場(chǎng)見面了。然后2納米，然后1納米，然后，就迎來摩爾定律的極限。

為了防止這種情況的出現(xiàn)，為了保住自己的優(yōu)勢(shì)地位，臺(tái)積電加入了Ulce聯(lián)盟，尋求突破摩爾定律極限的良方。那么，臺(tái)積電此舉對(duì)于阿斯麥爾而言究竟會(huì)帶來怎樣的影響呢?Ulce聯(lián)盟主要就是通過芯片疊加的方式，那么，這個(gè)芯片疊加能成功嗎?畢竟這可關(guān)系到臺(tái)積電究竟能否如愿打破摩爾定律的極限。

3月3日，芯片制造商英特爾、臺(tái)積電、三星聯(lián)合高通、谷歌等十多家國際性企業(yè)巨頭共同宣布，成立UCle聯(lián)盟。這家聯(lián)盟成立的目的其實(shí)也很簡(jiǎn)單，就是想要打造小芯片互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)，推動(dòng)開放生態(tài)建設(shè)。

當(dāng)然，說白了，這個(gè)聯(lián)盟的成立就是想要找到將不同類型的芯片堆疊或者封裝等方式組合在一起，以此打造出一顆更強(qiáng)大的芯片，打造出實(shí)力更加強(qiáng)勁的芯片系統(tǒng)，盡可能達(dá)到一加一大于二的效果。

臺(tái)積電不僅僅加入了這個(gè)聯(lián)盟，似乎還是這個(gè)聯(lián)盟的牽頭人，阿斯麥爾的擔(dān)心可能將會(huì)一步步逼近。那么，臺(tái)積電此舉又會(huì)給阿斯麥爾帶來怎樣的影響呢?竟至于讓阿斯麥爾會(huì)流露出擔(dān)心的情緒呢?

這個(gè)聯(lián)盟主要的目的是通過對(duì)小芯片的堆疊，朝著更加先進(jìn)制程芯片，更加強(qiáng)勁性能芯片進(jìn)軍。重點(diǎn)來了，按照這個(gè)理論，其實(shí)全程是不需要用到EUV光刻機(jī)，當(dāng)然更不需要用到阿斯麥爾新一代EUV光刻機(jī)。

在上月的ITF大會(huì)上，半導(dǎo)體行業(yè)大腦imec(比利時(shí)微電子研究中心)公布的藍(lán)圖顯示，2025年后晶體管進(jìn)入埃米尺度(?，angstrom，1埃 = 0.1納米)，。

當(dāng)時(shí)imec就表示，除了新晶體管結(jié)構(gòu)、2D材料，還有很關(guān)鍵的一環(huán)就是High NA(高數(shù)值孔徑)EUV光刻機(jī)。其透露，0.55NA的下代EUV光刻機(jī)一號(hào)試做機(jī)(EXE:5000)會(huì)在2023年由ASML提供給imec，2026年量產(chǎn)。

不過，本月與媒體交流時(shí)，ASML似乎暗示這個(gè)進(jìn)度要提前。第一臺(tái)高NA EUV光刻機(jī)2023年開放早期訪問，2024年到2025年開放給客戶進(jìn)行研發(fā)并從2025年開始量產(chǎn)。

據(jù)悉，相較于當(dāng)前0.33NA的EUV光刻機(jī)，0.55NA有了革命性進(jìn)步，它能允許蝕刻更高分辨率的圖案。

分析師Alan Priestley稱，0.55NA光刻機(jī)一臺(tái)的價(jià)格會(huì)高達(dá)3億美元(約合19億元)，是當(dāng)前0.33NA的兩倍。

早在今年7月，Intel就表態(tài)致力于成為高NA光刻機(jī)的首個(gè)客戶，Intel營(yíng)銷副總裁Maurits Tichelman重申了這一說法，并將高NA EUV光刻機(jī)視為一次重大技術(shù)突破。

ASML生產(chǎn)的光刻機(jī)，客戶都在排隊(duì)催著提前交貨，有的機(jī)器客戶都等不及測(cè)試就直接交貨了。今年的第三季度的新增訂單金額達(dá)到62億歐元，其中的29億是訂購EUV光刻機(jī)，看上去ASML一天工作48個(gè)小時(shí)估計(jì)沒有辦法按時(shí)交貨。

而國際半導(dǎo)體協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，今年全球還將新增19座晶圓廠，明年計(jì)劃新增10座。因此市場(chǎng)上對(duì)于光刻機(jī)的需求量還在不斷增加，尤其是越來越多的EUV光刻機(jī)采購需求。這些新工廠大部分都需要向ASML采購光刻機(jī)。

僅僅是第三季度，ASML共出貨光刻機(jī)79臺(tái)，其中包括15臺(tái)EUV光刻機(jī)，比上個(gè)季度多出貨7臺(tái)，其中6臺(tái)就是EUV光刻機(jī)，ArF浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)也就是DUV光刻機(jī)，累計(jì)出貨達(dá)到了1000臺(tái)。

這邊生產(chǎn)已經(jīng)很忙了，然而ASML今日宣布已完成1nm的光刻機(jī)設(shè)計(jì)，并將在2022年開始商用生產(chǎn)?？礃幼油耆窃诖叽傩酒S快速進(jìn)行科技研發(fā)啊，或者是準(zhǔn)備為明年的新建的芯片工廠都提供1nm芯片光刻機(jī)嗎?其實(shí)早在2020年12月的中旬，在日本東京舉辦的ITF論壇上，與ASML合作開發(fā)光刻技術(shù)的比利時(shí)半導(dǎo)體研究組織IMEC就宣布了3nm及以下工藝的技術(shù)細(xì)節(jié)。到目前為止，ASML不僅為3m，2nm，1.5nm，1nm甚至Sub 1nm都制定了清晰的路線圖，而且已經(jīng)完成了 1nm光刻機(jī)的設(shè)計(jì)。IMEC甚至宣布了1nm及以下工藝的路線圖。

在光刻機(jī)領(lǐng)域內(nèi)，ASML是繞不開的話題，原因是ASML研發(fā)制造的光刻機(jī)最先進(jìn)，尤其是EUV光刻機(jī)，目前僅有ASML能夠研發(fā)制造。最主要的是，EUV光刻機(jī)是生產(chǎn)制造7nm以下芯片的必要設(shè)備，從其被研發(fā)制造出來那一刻開始，EUV光刻機(jī)就供不應(yīng)求，至今還積壓了幾十億歐元的訂單。

在這樣的情況下，ASML一邊提升EUV光刻機(jī)的產(chǎn)能，預(yù)計(jì)今后兩年生產(chǎn)制造115臺(tái)EUV光刻機(jī)，一邊研發(fā)制造全新一代EUV光刻機(jī)，其就是NA值為0.55的EUV光刻機(jī)。據(jù)悉，目前ASML正在研發(fā)制造全新一代EUV光刻機(jī)，其被命名為NA EUV光刻機(jī)，而NA更是高達(dá)0.55，相比現(xiàn)有的NA值為0.33的EUV光刻機(jī)而言，有明顯的提升。

當(dāng)然，全新一代光刻機(jī)的NA值提升，意味著光刻機(jī)精度更高，可以生產(chǎn)制造更小面積的芯片，甚至可達(dá)1nm。要知道，臺(tái)積電、三星都計(jì)劃在2024年量產(chǎn)2nm制程的芯片，而ASML全新一代EUV光刻機(jī)也計(jì)劃在2023年交付廠商研發(fā)測(cè)試，2024年規(guī)模量產(chǎn)。