電子元件工業(yè)聯(lián)合會(huì)（JEDEC）剛剛正式發(fā)布了 HBM3 高帶寬內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，可知其較現(xiàn)有的 HBM2 和 HBM2e 標(biāo)準(zhǔn)再次迎來了巨大的提升。JEDEC 官方新聞稿寫道，JESD238 為新一代 HBM3 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器指定了發(fā)展方向。除了 6.4 Gb/s 速率 @ 819 GB/s 的帶寬，它還支持 16-Hi 堆棧 @ 64GB 容量。

　?。▉碜裕篔EDEC 官網(wǎng)）

　　據(jù)悉，HBM3 運(yùn)用了創(chuàng)新方案，旨在帶來更高帶寬、更低功耗、以及更密集的單位容量，能夠極大推動(dòng)圖形處理、高性能計(jì)算和服務(wù)器等領(lǐng)域的使用體驗(yàn)。

　　以下是 HBM3 的主要特點(diǎn)：

　　● 在經(jīng)過驗(yàn)證的 HBM2 架構(gòu)的基礎(chǔ)上進(jìn)一步擴(kuò)展帶寬，將每個(gè)引腳的速率提升一倍（定義 6.4 GB/s），以實(shí)現(xiàn) 819 GB/s 的高帶寬。

　　● 將獨(dú)立通道數(shù)從 HBM2 時(shí)代的 8 個(gè)提升至 16 個(gè)，且每個(gè)通道都有兩組“偽通道”（Pseudo Channels），意味 HBM3 可虛擬支持 32 通道。

　　● 支持 4-Hi、8-Hi、12-Hi 的硅通孔（TSV）堆棧，并為將來的 16-Hi 方案實(shí)現(xiàn)做好了準(zhǔn)備。

　　● 支持每層 8~32 Gb 的容量密度，可輕松支持 4GB（8Gb 4-Hi）到 64GB（32Gb 16-Hi）設(shè)備密度，預(yù)計(jì)初代產(chǎn)品將基于 16Gb 存儲(chǔ)層。

　　● 為滿足市場(chǎng)對(duì)高平臺(tái)層級(jí)的可靠性、可用性與可維護(hù)性（簡(jiǎn)稱 RAS）需求，HBM3 還一如了強(qiáng)大的、基于符號(hào)的片上 ECC，以及實(shí)時(shí)錯(cuò)誤報(bào)告和透明度。

　　● 通過在主機(jī)接口端使用低擺幅（0.4V）信號(hào)和較低的工作電壓（1.1V），來進(jìn)一步提升能效表現(xiàn)。

　　截圖（via WCCFTech）

　　英偉達(dá)技術(shù)營(yíng)銷總監(jiān)兼 HBM 小組委員會(huì)主席 Barry Wagner 表示：

　　憑借增強(qiáng)的性能與可靠屬性，HBM3 將為需要巨大帶寬和容量的新應(yīng)用提供有力的支撐。

　　美光高性能內(nèi)存與網(wǎng)絡(luò)事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理 Mark Montierth 則稱：

　　HBM3 將使行業(yè)攀上更高的性能巔峰，提升可靠性并降低能耗。

　　美光將憑借先進(jìn)內(nèi)存堆疊和封裝方面的資深經(jīng)驗(yàn)，來引領(lǐng)后續(xù)的計(jì)算平臺(tái)市場(chǎng)。

　　SK 海力士 DRAM 產(chǎn)品企劃副總裁 Uksong Kang 補(bǔ)充道：

　　隨著 HPC 與 AI 應(yīng)用的不斷進(jìn)步，對(duì)更高性能和能效的需求增長(zhǎng)，也較以往進(jìn)一步加速。

　　隨著 JEDEC HBM3 標(biāo)準(zhǔn)的正式頒布，SK 海力士期待著通過增強(qiáng)型 ECC 方案，為客戶提供兼具高性能、最佳能效和更高穩(wěn)定性的 DRAM 產(chǎn)品。

　　SK 海力士很高興能夠與行業(yè)合作伙伴攜手共建強(qiáng)大的 HBM 生態(tài)系統(tǒng)，最終為我們的客戶提供 TSG 和 TCO 方面的更高價(jià)值。

　　Synopsys IP 與戰(zhàn)略營(yíng)銷副總裁 John Koeter 亦表示：

　　十多年來，Synopsys 一直是 JEDEC 的積極貢獻(xiàn)者，幫助推動(dòng)了 HBM3、DDR5、LPDDR5 等先進(jìn)內(nèi)存接口在一系列新興應(yīng)用中的開發(fā)和采用。

　　Synopsys 的 HBM3 IP 和驗(yàn)證解決方案，已被公司客戶率先采用。通過加速新接口與高性能 SoC 的集成，還有助于具有高內(nèi)存帶寬和能效的多芯片系統(tǒng)級(jí)封裝的設(shè)計(jì)與研發(fā)。