按照業(yè)內(nèi)預判，2025年前后半導體在微縮層面將進入埃米尺度（？，angstrom，1埃 = 0.1納米），其中2025對應A14（14?=1.4納米）。除了新晶體管結(jié)構(gòu)、2D材料，還有很關鍵的一環(huán)就是High NA（高數(shù)值孔徑）EUV光刻機。根據(jù)ASML（阿斯麥）透露的最新信息，第一臺原型試做機2023年開放，預計由imec（比利時微電子研究中心）裝機，2025年后量產(chǎn)，第一臺預計交付Intel。
Gartner分析師Alan Priestley稱，0.55NA下一代EUV光刻機單價將翻番到3億美元。
那么這么貴的機器，到底能實現(xiàn)什么呢？
ASML發(fā)言人向媒體介紹，更高的光刻分辨率將允許芯片縮小1.7倍、同時密度增加2.9倍。未來比3nm更先進的工藝，將極度依賴高NA EUV光刻機。
當然，ASML并不能獨立做出高NA EUV光刻機，還需要德國蔡司以及日本光刻膠涂布等重要廠商的支持。
ASML現(xiàn)售的0.33NA EUV光刻機擁有超10萬零件，需要40個海運集裝箱或者4架噴氣貨機才能一次性運輸完成，單價1.4億美元左右。
去年ASML僅僅賣了31臺EUV光刻機，今年數(shù)量提升到超100臺。
來源：快科技
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。