眾所周知，在芯片制造過程中，最重要的半導體設備就是光刻機。為什么說他最重要，一方面是因為它占所有制造設備成本的22％左右，同時也占工時的20％左右。

另外一方面是全球僅有ASML一家能夠生產EUV光刻機，而EUV光刻機是進入到10nm以下工工藝的必備品，所以找ASML買到EUV光刻機，是每家芯片制造廠商必須要干的事。

目前ASML已經推出了三代EUV光刻機，分別是TWINSCAN NXE：3400B 、NXE：3400C、NXE：3600D。這三代EUV光刻機的數(shù)值孔徑為0．33，理論上能夠生產的芯片精度，最多在2nm左右。

所以一旦進入到2nm以下，也就是埃米（1埃米＝0．1納米）時，那么ASML還得研發(fā)更高精度的光刻機才行。而更高精度的光刻機，稱之為High NA（高數(shù)值孔徑）EUV光刻機。

事實上，ASML也早就有準備了，ASML下一代高精度的EUV光刻機型號叫做EXE：5000，數(shù)值孔徑為0．55，可用于2nm以下的芯片制造，比如1．4nm（14埃米）、1nm（10埃米）等工藝。

在2020年底的時候，就有媒體報道，ASML其實已經基本研發(fā)完成，正在開始試產，預計到2022年就會商用。而近日imec正式表示，ASML的EXE：5000光刻機，會在2022年－2023年提供。

但晶圓廠商基于這臺光刻機，生產nm以上的芯片，至少要到2025年之后，其認為的工藝路徑進程是2025對應A14（14?＝1．4納米），2027年為A10（10?＝1nm）、2029年為A7（7?＝0．7納米）。

此外，行業(yè)分析師Alan Priestley則表示，ASML的0．55NA光刻機（NXE：5000）的價格會高達3億美元（約合20億元），是當前0．33NA光刻機的兩倍。

想必接下來，各大晶圓代工廠們，特別是臺積電、三星、intel又要搶光刻機忙了，畢竟全球僅ASML能夠生產，誰能提前買到0．55NA光刻機，也就相當于拿到了進入埃米級工藝的門票，就能取得先機。