《電子技術(shù)應(yīng)用》
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臺積電主攻4nm工藝,三星打出3nm“牌”,搶占技術(shù)制高點

2021-11-25
來源:刀馬物語
關(guān)鍵詞: 臺積電 4nm 3nm

在全球芯片制造(代工)方面,臺積電和三星是雙雄爭霸的態(tài)勢。由于臺積電的更多產(chǎn)能都留給了蘋果公司,結(jié)果讓高通、AMD等芯片研發(fā)公司也很無奈,沒有產(chǎn)能的保障,就無法讓自己的研發(fā)產(chǎn)品盡快見諸于市,也無法滿足自己的供應(yīng)商的需求。再加上供應(yīng)鏈短缺的問題,更是雪上加霜。于是市場傳聞,高通和AMD可能正在尋求其他的芯片代工企業(yè)來滿足自己的需求,沒有臺積電的保障,那么三星無疑就是最佳的選擇了。三星對于未來工藝的努力也是有目共睹的,挑戰(zhàn)臺積電一直是三星追逐的目標。

等不來3nm,臺積電先拿4nm試水?

曾幾何時,蘋果公司和高通鬧得不可開交,為此蘋果公司不惜扶持英特爾公司,使用英特爾的基帶芯片,但iPhone系列手機一直出現(xiàn)信號問題,被廣大網(wǎng)友詬病不易。尤其是在5G基帶方面更是落后于高通較多,無奈之下,蘋果公司和高通和解,開始采買高通的5G基帶芯片。不過,蘋果公司一直對此耿耿于懷,在英特爾無法繼續(xù)維持自己的5G基帶業(yè)務(wù)之后,蘋果公司全盤收購了該項業(yè)務(wù),并開始自主研發(fā)自己的5G基帶芯片。

近日,市場爆出消息稱,蘋果公司計劃在2023年讓臺積電為自己生產(chǎn)自己研發(fā)的5G基帶芯片,以此來逐漸轉(zhuǎn)移對高通的依賴性。據(jù)悉,蘋果計劃采用臺積電的4nm芯片生產(chǎn)技術(shù),來生產(chǎn)蘋果設(shè)計的首款5G基帶芯片,同時,蘋果也正在開發(fā)自己的射頻和毫米波組件,作為基帶的補充。高通也表示,2023年蘋果公司在iPhone基帶訂單中的份額將下降至20%左右,此舉也間接地驗證了市場關(guān)于蘋果自制5G基帶芯片的真實性。

臺積電如今和蘋果公司的合作程度以及自身產(chǎn)能對蘋果公司的輸出都是非常巨大的,占比也是最強的。這完全符合臺積電的市場利益最大化,畢竟蘋果公司目前是全球芯片需求最旺盛的企業(yè),在華為之后蘋果已經(jīng)成為臺積電產(chǎn)業(yè)的支柱。不過,對于其他的芯片需求方來說,因為得不到臺積電的產(chǎn)能支持和保障,只能退而求其次地尋找其他的代工企業(yè)。臺積電自身的工藝技術(shù),雖然也在布局3nm技術(shù),不過,目前推進的力度以及真正的量產(chǎn)還沒有具體的時間,即使這次為蘋果公司計劃使用4nm制程,也還需要兩年的時間來推進。

在制程技術(shù)發(fā)展的選擇上,臺積電和三星之間的掰腕子一直在進行中。如果說5nm技術(shù)方面,臺積電走在前面,那么到3nm技術(shù)時,誰又會脫穎而出呢?是臺積電繼續(xù)霸占技術(shù)的優(yōu)勢,還是三星實現(xiàn)彎道超車,跑到臺積電的前面?市場也是眾說紛紜。對于雙方采用的技術(shù)優(yōu)劣都有一定的研判和預(yù)期,相對來說三星的技術(shù)更具有優(yōu)勢,但臺積電的技術(shù)保持著一定的連貫性和良品的優(yōu)勢,本身的成本控制也略好一些。

三星打出3nm“牌”,搶占技術(shù)制高點

近日,三星電子正式推出了多款對3nm芯片制造工藝至關(guān)重要的設(shè)計工具和技術(shù),以及幫助加強代工生態(tài)系統(tǒng)的戰(zhàn)略。三星表示,他們將推出80多種針對半導(dǎo)體設(shè)計基礎(chǔ)設(shè)施和封裝解決方案進行優(yōu)化的電子設(shè)計自動化工具、技術(shù)。這些工具和技術(shù)對3nm制造工藝至關(guān)重要,三星計劃于2022年上半年開始推出3nm產(chǎn)品。

值得關(guān)注的是,三星計劃在2022年投產(chǎn)的3nm,驍龍8 Gen1繼任者有望成為三星3nm的目標客戶。在高通的發(fā)展史上,已經(jīng)有多款驍龍8系列旗艦處理器都是由三星代工生產(chǎn)的,比如驍龍835、驍龍845、驍龍888、驍龍888 Plus等,即將發(fā)布的驍龍8 Gen1仍然由三星代工,而且使用的是三星4nm工藝。市場預(yù)計,高通驍龍8 Gen2有望使用三星3nm工藝制程,預(yù)期性能會有更大幅度的提升。此外,除了高通之外,AMD 等企業(yè)也可能會選擇三星為其生產(chǎn)3nm芯片。

三星表示,對比5nm,三星新的3nm GAA可以讓面積縮小35%,同功耗下性能提高30%,同性能下功耗降低50%。據(jù)悉,三星將3nm分為3GAE(低功耗版)和3GAP(高性能版)兩個版本,其中,3GAE會在2022年初就投入量產(chǎn),預(yù)計比臺積電會早半年時間。而臺積電在布局3nm和4nm技術(shù)方面,或許也是同步推進,而真正的量產(chǎn)化才是關(guān)鍵,目前都屬于小規(guī)模測試階段。

三星將斥資170億美金將在美設(shè)3nm工廠

據(jù)悉,三星將投資170億美金、選在德州泰勒市(Taylor)作為美國第二座晶圓廠的設(shè)廠地點,且已獲得當?shù)卣哳~補貼的承諾,目標2024年量產(chǎn)。業(yè)界推測,三星極有可能在美國新廠導(dǎo)入最先進的3納米GAA(環(huán)繞式閘極結(jié)構(gòu))制程,以爭搶超微、高通等大客戶訂單,使自己在和臺積電競爭中占據(jù)優(yōu)勢。

以量產(chǎn)時間來看,三星美國新廠與臺積電位于美國亞利桑那州的5納米廠量產(chǎn)時間相近,不過投資金額、制程技術(shù)都會超前一段。在制程技術(shù)方面,臺積電3nm確定選擇沿用FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)架構(gòu),而三星將改采GAA,二者的戰(zhàn)術(shù)已不同。

眾所周知,在11月9日,三星電子和SK海力士兩家企業(yè)都表示,已在11月8日向美國提交了供應(yīng)鏈資料。美國要求上交數(shù)據(jù)的相關(guān)芯片企業(yè)多達20多家,幾乎涵蓋整個半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。在交出數(shù)據(jù)之后,又開始紛紛在美國本土建造芯片制造廠,一方面是滿足美國對于高端制造回歸的需要,另一方面也是為了緩解全球芯片荒的難題。此前,有專家就表示,“美國掌握關(guān)鍵數(shù)據(jù),可以了解各公司的底牌,但各公司卻看不見他們底牌,難保美國不會把資料泄露給自家廠商,沒有人能確保公正性?!?/p>

對于芯片制造巨頭來說,在別無選擇之后,只能開始自己的技術(shù)突破之旅,希望在下一代芯片制造工藝方面能夠有新進展,進而開啟產(chǎn)能的擴充,滿足市場的需求。而三星奉行的戰(zhàn)略無疑是搶占工藝制程技術(shù)的新高度,進而對臺積電形成壓制。而當初臺積電能夠崛起,也是在技術(shù)方面率先進行嘗試,進而才超越英特爾等傳統(tǒng)的芯片制造廠商的。在這方面,三星無疑也希望通過自己的努力,在未來能夠全面抗衡臺積電,起碼在代工市場份額方面,可以和臺積電無限的接近。




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