2004年,已經(jīng)爬到“硅谷頂峰”的尹志堯博士回國創(chuàng)業(yè),除了18位懷著同樣理想的資深工程師外,他沒有帶回任何的資料。
之所以選擇空手而歸,是因為尹志堯博士從一開始就預(yù)料了這次創(chuàng)業(yè)必將“兇險萬分”,他要回國創(chuàng)立屬于中國自己的刻蝕機(jī)公司。在當(dāng)時,中國刻蝕機(jī)行業(yè)仍是一片空白,想要做到零的突破,勢必會遭到打壓,稍有不慎就會被“專利”鎖喉。
得益于精英化的團(tuán)隊配置,尹志堯博士創(chuàng)建的中微公司很快就在2007年推出了自己第一款刻蝕機(jī),并獲得客戶的首肯。然而就在中微首款產(chǎn)品推出后不久,公司就遭到多次“專利訴訟”,好在尹志堯博士此前做的準(zhǔn)備充足,才幫助中微接連贏下了三場專利官司。
時至今日,中微公司的刻蝕機(jī)產(chǎn)品已經(jīng)突破5nm制程,成功躋身世界最大半導(dǎo)體公司臺積電的供貨商名單,并與其共同研發(fā)下一代技術(shù)。
2020年Q2季度,全球前十名半導(dǎo)體芯片代工廠商合計市場份額達(dá)95.6%,呈現(xiàn)高度集中的態(tài)勢。在前十名的公司中,中微拿下了七家公司,合計市場份額高達(dá)73.9%。
雖然中微并非這些公司的唯一供應(yīng)商,但能夠進(jìn)入如此多芯片代工企業(yè)的供應(yīng)商名單,已經(jīng)足以說明中微公司的核心技術(shù)力。
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈被頻頻“卡脖子”的當(dāng)下,中微公司憑借完全自主的技術(shù)躋身國際一線陣營,這背后的故事值得我們深思。
通過復(fù)盤中微刻蝕機(jī)的崛起之路,我們發(fā)現(xiàn)中國半導(dǎo)體行業(yè)目前存在“三座大山”。究竟長期制約中國半導(dǎo)體發(fā)展的“三座大山”是什么?完全自主的中微又是如何翻山越嶺的呢?
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第一座大山:人才虹吸效應(yīng)
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)屬于高端制造業(yè),對專業(yè)人才依賴性極強(qiáng)。中國半導(dǎo)體遲遲無法突圍,其最核心的原因正在于人才的短缺,這也是壓制中國半導(dǎo)體發(fā)展的“第一座大山”。
人才匱乏并非因為中國人不夠優(yōu)秀,而是我們的專業(yè)人才并未為我們所用。美國是當(dāng)今世界科研體系最完美的國家,無論是“科研氛圍”還是“個人待遇”,其都有著無與倫比的優(yōu)勢。全球科學(xué)家都以能夠融入美國科學(xué)界為目標(biāo),正是這種“人才虹吸效應(yīng)”導(dǎo)致我國培養(yǎng)的頂尖人才往往不能為己所用。
尹志堯博士在接受采訪時曾向記者傾訴,自己在英特爾工作時,身邊負(fù)責(zé)科研的領(lǐng)導(dǎo)和同事幾乎都是華人,美國最尖端的研究組中,是從來不缺少華人的。
如何將我國高校培養(yǎng)出來的人才召回己用,已經(jīng)成為我國半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
正是因為深知人才的重要,尹志堯博士才會在不帶回任何財物的情況下,唯獨帶回了一眾滿懷理想的工程師,而人才恰恰成為中微公司破局的關(guān)鍵。
尹志堯博士初期帶回的工程師中,有15名跟隨創(chuàng)業(yè),他們構(gòu)成了中微公司的核心研究框架。中微公司后續(xù)所承擔(dān)的多項重大科研項目,幾乎都是由早期帶回的15個核心工程師所領(lǐng)導(dǎo)的。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)極為復(fù)雜,涉及項目規(guī)劃、產(chǎn)品設(shè)計、工藝開發(fā)等多個環(huán)節(jié),不僅需要懂產(chǎn)業(yè)專家,還需要精通等離子體物理、射頻及微波學(xué)、結(jié)構(gòu)化學(xué)、微觀分子動力學(xué)、光譜及能譜學(xué)、真空機(jī)械傳輸?shù)认嚓P(guān)學(xué)科的專業(yè)人員。
為了能夠吸引來自全世界的半導(dǎo)體設(shè)備專家,中微公司開創(chuàng)A股先河的采用“全員持股”的方式,有效的提升了關(guān)鍵技術(shù)人員的忠誠度和歸屬感,最大限度的降低關(guān)鍵技術(shù)人員流失的風(fēng)險。
中微公司招股書顯示,在上市的時候,中微公司共有845名員工直接或間接持有公司約18.25%的股份。其中,創(chuàng)始人尹志堯在內(nèi)的初創(chuàng)團(tuán)隊持股3.25%,員工持股平臺南昌智微、中微亞洲、Grenade、Bootes、勵微投資、芃徽投資共持有公司15%的股份。
在未來很長一段時間中,“人才虹吸效應(yīng)”都將是制約中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的絆腳石。中微公司用全員持股的方式,一定程度上增加了自身對人才的吸引力,但這卻并不能根治這一難題。
“科研氛圍”是一個很玄幻的詞匯,它并沒有實質(zhì)的具象,而是一種虛擬的感受。如何增加我國的“科研氛圍”,勢必要打破校園的“象牙塔”,讓學(xué)術(shù)真正的走進(jìn)基層企業(yè),才能在實踐中得出真知,這也是中國產(chǎn)業(yè)根本上趕超世界強(qiáng)國的唯一途徑。
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第二座大山:專利的枷鎖
中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)并非不具備制造能力,而是受專利所限,無法合法生產(chǎn)。從華為到中芯國際,無一不被專利技術(shù)“卡脖子”。
就像絕大多數(shù)中國企業(yè)那樣,2007年中微公司推出首臺CCP刻蝕機(jī)后,就遭到美國應(yīng)用材料公司的起訴。
應(yīng)用材料起訴中微的理由很簡答,因為尹志堯博士曾在應(yīng)用材料做到總公司副總裁,領(lǐng)導(dǎo)和開發(fā)了全球一半以上的刻蝕機(jī)產(chǎn)品。應(yīng)用材料想當(dāng)然的認(rèn)為,中微公司用的是他們的技術(shù)。
但實際上,在回國的時候,尹志堯博士和團(tuán)隊就做好了專利攻堅的打算,不僅沒有使用任何應(yīng)用材料的技術(shù)專利,甚至連技術(shù)構(gòu)想都是重新研究的。理所當(dāng)然的,中微公司贏下了與應(yīng)用材料的官司,在2010年雙方最終達(dá)成和解。
然而,應(yīng)用材料的專利訴訟僅僅是個開始,2009年和2017年,中微公司分別遭到泛林半導(dǎo)體和維易科的專利訴訟,但最終中微公司都以勝訴告終。
三次專利戰(zhàn)的勝利,足以見證中微硬實力的含金量,而同時也從側(cè)面反映出中國半導(dǎo)體行業(yè)的處境。每當(dāng)我們的公司在行業(yè)中有所突破時,都會遭受到來自于歐美國家的專利打壓,無論是否侵權(quán)。
正因為了解到專利技術(shù)的重要性,中微公司從創(chuàng)立之初就把技術(shù)放在第一位。截至 2021 年6月30日,中微公司共申請專利1870項,其中發(fā)明專利1613項,已獲授權(quán)專利 1106項,其中發(fā)明專利 945項。包括CCP刻蝕機(jī)、ICP刻蝕機(jī)、MOCVD設(shè)備在內(nèi)的主要產(chǎn)品均擁有自主專利保護(hù)。
中微公司之所以能夠跨越“第二座大山”,是得益于早期初創(chuàng)團(tuán)隊的充分準(zhǔn)備。但半導(dǎo)體歸根到底是一個集群性質(zhì)的產(chǎn)業(yè),光靠一家中微公司是不夠的。
現(xiàn)如今,資本市場過于注重企業(yè)的盈利能力,而忽略了他們在知識產(chǎn)權(quán)方面的積累??v觀中國企業(yè)數(shù)次被卡脖子的情況,無一不是因知識產(chǎn)權(quán)所致。
對于科技公司而言,知識產(chǎn)權(quán)應(yīng)該被格外看重,知識產(chǎn)權(quán)也很有可能成為未來半導(dǎo)體投資的主線之一。
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第三座大山:資本悖論
人們的生活離不開半導(dǎo)體,但研發(fā)半導(dǎo)體設(shè)備又是一個很燒錢的事情。
對于上市公司而言,賺錢分紅是為股東負(fù)責(zé);但同時中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又需要大量的資金投入,否則就只能受制于人。不搞研發(fā)就會落后,搞研發(fā)又會燒錢,盈利壓力與研發(fā)投入之間已經(jīng)形成無法回避的“資本悖論”,這成為壓制中國半導(dǎo)體發(fā)展的“第三座大山”。
尹志堯曾向媒體透露,中微公司成立16年的時間,就已經(jīng)花掉了超過20億元的資金,然而全球龍頭應(yīng)用材料2020財年的研發(fā)投入就超過22億美元(約141億元),幾乎是中微公司過去總投入的7倍。
雖然中微的刻蝕機(jī)已經(jīng)擠進(jìn)國際一線行列,但未來卻不得不面對來自國際巨頭競爭對手的沖擊。數(shù)十倍研發(fā)費用的差距,依然讓中微公司不能有任何的放松。
從業(yè)務(wù)層面分析,中微公司與應(yīng)用材料還是存在差異的,應(yīng)用材料如此多的研發(fā)投入并非只針對刻蝕機(jī)一個細(xì)分領(lǐng)域,而是全面布局除光刻機(jī)、觸角顯影機(jī)外的半導(dǎo)體前道設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈。
在國內(nèi),2010年上市的北方華創(chuàng)采用與應(yīng)用材料相似的發(fā)展策略,也是聚焦光刻機(jī)外的前道設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈。雖然上市較早,但北方華創(chuàng)2020年的研發(fā)費用也僅為6.7億元,不足應(yīng)用材料研發(fā)費用的5%。
無論是先一步上市的北方華創(chuàng),還是后來的中微公司他們都遇到了同樣的難題,那就是本身在技術(shù)上就處于落后身位,而研發(fā)支出又遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后對手,始終處于追趕之中,同時這也是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所普遍存在的問題。
不同于北方華創(chuàng)的全產(chǎn)業(yè)鏈布局,中微公司只將注意力聚焦于刻蝕機(jī)和MOCVD設(shè)備之上。雖然業(yè)務(wù)聚焦限制了中微公司的規(guī)模增長,但同時更聚焦的研發(fā)則能讓自身與國際競爭對手的研發(fā)支出差距縮小。
刻蝕工藝共有兩條技術(shù)路線,分別是濕法刻蝕和干法刻蝕。目前濕法刻蝕由于各向異性較差,所以應(yīng)用較少,干法刻蝕成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主流技術(shù)。干法刻蝕又分為電容耦合等離子體刻蝕(簡稱CCP)、電感耦合等離子體刻蝕(ICP)兩種主流路線。
中微公司早期單以CCP技術(shù)為突破點,在CCP刻蝕機(jī)達(dá)到國際一流水準(zhǔn)后,才逐漸加深對于ICP和MOCVD的研究。CCP與ICP并非取代的關(guān)系,而是同時存在于半導(dǎo)體前道工序中,因此入局ICP有望加深中微公司的業(yè)務(wù)規(guī)模。
對于技術(shù)落后,很多投資者不以為意,既然技術(shù)落后,那我們就追加投入!但真的有那么容易嗎?
且不提研發(fā)本身就存在失敗的概率,單純提升研發(fā)投入很可能打破公司的支出平衡,讓公司陷入虧損之中,而這恰恰是國內(nèi)投資者最不愿看到的事情。
這種對于虧損的擔(dān)心,完全是因為資本對于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)缺乏信心。在中微公司創(chuàng)立之初,其實尹志堯博士就曾遇到資金不足的問題,直到最終拿到國開行的投資,中微公司才沒有“夭折”。
回過頭看,國開行對于中微公司的投資無比成功,現(xiàn)在的中微公司不僅躋身國際刻蝕機(jī)一線廠商行列,而且市值也已經(jīng)超過928億元,但今天的成功正是建立在過去的虧損之中。
如此分析,僅靠資本市場是不足以解決中國半導(dǎo)體企業(yè)落后的情況,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,仍需要大基金的支持。2019年半導(dǎo)體基金的建立讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資金壓力有所緩解,但想要徹底解決資金問題,仍需完善更多的融資渠道。
此外,投資者也需要轉(zhuǎn)換思維,從單純注重盈利轉(zhuǎn)移至重視公司的科技價值。
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結(jié)語:中微的啟示
縱觀整個半導(dǎo)體前道設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈,刻蝕機(jī)、光刻機(jī)和薄膜沉積設(shè)備是市場占比較高的三大細(xì)分行業(yè),分別占整個市場的25%、22%和22%。
作為半導(dǎo)體前道設(shè)備中市場規(guī)模最大的細(xì)分行業(yè),刻蝕機(jī)也曾與光刻機(jī)一樣是《瓦森納協(xié)定》所封鎖的重點。但隨著中微公司的突圍,如今《瓦森納協(xié)定》已經(jīng)解除了對刻蝕機(jī)的封鎖,使得中國刻蝕機(jī)不再受制于人。
中微公司突圍背后,人才、專利、資本三要素缺一不可。對于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言,中微公司的成功很有借鑒意義,只有當(dāng)正確的人,做了正確的事情,并獲得了正確的資本支持,才能讓中國半導(dǎo)體走上國際的舞臺。