縱觀全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，整個(gè)行業(yè)呈現(xiàn)著高度壟斷、強(qiáng)者恒強(qiáng)的局面。目前，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備面臨行業(yè)、政策和市場(chǎng)等難得的突破發(fā)展機(jī)遇。對(duì)此，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)迎來新的發(fā)展機(jī)遇。

　　一、半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)空間大，國(guó)外廠商占據(jù)刻蝕設(shè)備絕大部分市場(chǎng)

　　1、刻蝕設(shè)備成長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力之一:長(zhǎng)期看受益全球半導(dǎo)體需求增加與產(chǎn)線產(chǎn)能的擴(kuò)充

　　全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)空間廣闊，據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2018年全球半導(dǎo)體(含分立器件、光電子、傳感器、集成電路)市場(chǎng)規(guī)模高達(dá)4687.8億美元，同比增13.7%，十年復(fù)合增速達(dá)6.5%。

　　展望未來，我們認(rèn)為在5G、AI、汽車電子等新興領(lǐng)域的驅(qū)動(dòng)下，半導(dǎo)體的長(zhǎng)期成長(zhǎng)空間有望進(jìn)一步拉大。

　　從半導(dǎo)體的應(yīng)用結(jié)構(gòu)來看，2018年半導(dǎo)體下游應(yīng)用領(lǐng)域分別為通信(32.4%)、計(jì)算機(jī)(30.8%)、工業(yè)(12%)、消費(fèi)電子(12%)、汽車(11.5%)、政府(1%)，每個(gè)領(lǐng)域均有相應(yīng)的成長(zhǎng)點(diǎn)，5G網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)、人工智能的應(yīng)用與產(chǎn)品升級(jí)、智能終端的技術(shù)創(chuàng)新以及自動(dòng)駕駛的持續(xù)滲透等，都帶來了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模的進(jìn)一步提升。

　　從產(chǎn)能的數(shù)據(jù)來看，預(yù)計(jì)未來2019-2020年全球半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)能(折合成8寸晶圓)將以4-5%的同比增速持續(xù)增長(zhǎng)。隨著半導(dǎo)體大廠產(chǎn)線的開出與產(chǎn)能的增加，刻蝕設(shè)備作為最重要的設(shè)備之一，市場(chǎng)規(guī)模也將進(jìn)一步提升。

　　2、刻蝕設(shè)備成長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力之二:先進(jìn)制程與存儲(chǔ)技術(shù)帶來刻蝕設(shè)備增長(zhǎng)機(jī)遇。

　　一方面，在14nm到10nm、7nm甚至5nm的制程演進(jìn)中，現(xiàn)在市場(chǎng)上普遍適用的沉浸式光刻機(jī)受光波長(zhǎng)的限制，關(guān)鍵尺寸無法滿足要求，因此需要通過多次沉積+刻蝕的方式來實(shí)現(xiàn)更小的尺寸，多重模板工藝顯著增加了刻蝕設(shè)備的需求。

　　同時(shí)由于關(guān)鍵尺寸的減小，對(duì)刻蝕的各項(xiàng)指標(biāo)的要求也更加嚴(yán)苛，隨著制程的不斷演進(jìn)，刻蝕設(shè)備的占比近年來也呈現(xiàn)快速提升趨勢(shì)。

　　另一方面，2D存儲(chǔ)器件線寬接近物理極限，NAND閃存進(jìn)入3D時(shí)代，而3DNAND需要增加堆疊的層數(shù)，需要刻蝕加工更深的孔以及更深的挖槽，增加了對(duì)刻蝕設(shè)備的投資需求。3DNAND中刻蝕設(shè)備的支出占比達(dá)到50%，遠(yuǎn)高于此前工藝NAND的15%。

　　從市場(chǎng)規(guī)模的數(shù)據(jù)來看，2018年全球半導(dǎo)體設(shè)備達(dá)到645.3億美元，同比增14%，其中晶圓處理設(shè)備為502億美元，占比78%，同比增52%。其中，假定2018年刻蝕設(shè)備占晶圓處理設(shè)備比例與SEMI披露的2017年的24%相同，則2018年刻蝕設(shè)備的全球市場(chǎng)規(guī)模突破百億美元級(jí)別，達(dá)120.5億美元，同比增56%。

　　二、國(guó)內(nèi)廠商刻蝕設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)激烈

　　1、中微：中國(guó)半導(dǎo)體裝備國(guó)產(chǎn)化的先鋒

　　中微公司主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，向下游集成電路、LED芯片、先進(jìn)封裝、MEMS等半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造公司銷售刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備、提供配件或服務(wù)。公司的等離子體刻蝕設(shè)備已在國(guó)際一線客戶從65nm到14nm、7nm和5nm的集成電路加工制造及先進(jìn)封裝中有具體應(yīng)用。公司的MOCVD設(shè)備在行業(yè)領(lǐng)先客戶的生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn)。公司已成為世界排名前列、國(guó)內(nèi)占領(lǐng)先地位的氮化鎵基LED設(shè)備制造商。

　　談及行業(yè)情況及主要業(yè)績(jī)驅(qū)動(dòng)因素，中微公司表示，按產(chǎn)品來看，刻蝕設(shè)備方面，全球智能手機(jī)和存儲(chǔ)市場(chǎng)需求有所放緩。隨著存儲(chǔ)市場(chǎng)投資復(fù)蘇、大陸新建產(chǎn)線及擴(kuò)建產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2020年設(shè)備銷售額將年增12%，中國(guó)在未來將成為全球半導(dǎo)體制造設(shè)備的最大市場(chǎng)。得益于中國(guó)臺(tái)灣先進(jìn)代工廠和中國(guó)大陸半導(dǎo)體制造廠的新建、擴(kuò)建產(chǎn)能的計(jì)劃，2019年相應(yīng)地區(qū)的半導(dǎo)體設(shè)備投資將保持去年的水平，公司有望受益于中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的穩(wěn)定需求，并充分利用自身的地緣優(yōu)勢(shì)、突出的技術(shù)能力和市場(chǎng)積累，持續(xù)健康發(fā)展。

　　MOCVD設(shè)備方面，2019年氮化鎵基LED芯片擴(kuò)產(chǎn)將減緩，LED芯片制造廠開始專注于Mini LED的研發(fā)和小批量量產(chǎn)，2019年下半年及2020年其將成為L(zhǎng)ED芯片制造廠主流的擴(kuò)產(chǎn)方向。憑借突出的技術(shù)實(shí)力，公司將穩(wěn)固在氮化鎵基LED MOCVD設(shè)備的優(yōu)勢(shì)地位，并緊跟市場(chǎng)需求積極推動(dòng)Mini LED MOCVD設(shè)備的技術(shù)驗(yàn)證，保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

　　2、北方華創(chuàng)：國(guó)產(chǎn)高端半導(dǎo)體設(shè)備龍頭

　　憑借先進(jìn)的生產(chǎn)工藝與出色的研發(fā)實(shí)力，北方華創(chuàng)在 IC、 LED、 LCD、光伏四大賽道收獲了優(yōu)質(zhì)的下游客戶資源，均為中國(guó)及全球半導(dǎo)體龍頭企業(yè)，包括隆基股份、三安光電、京東方、中芯國(guó)際與長(zhǎng)江存儲(chǔ)等。在半導(dǎo)體能源（光伏）領(lǐng)域，隆基股份自 2015年起已發(fā)展成為全球生產(chǎn)規(guī)模最大的單晶硅片制造商，獨(dú)占鰲頭。在半導(dǎo)體照明（LED）領(lǐng)域，三安光電 LED 芯片產(chǎn)能約占全球 LED 產(chǎn)能的19.72%，成為國(guó)內(nèi) LED 制造商的絕對(duì)龍頭。在半導(dǎo)體顯示（面板）領(lǐng)域，京東方是中國(guó)最大的面板制造商，生產(chǎn)與技術(shù)實(shí)力雄厚， 2017 年京東方液晶顯示屏出貨數(shù)量約占全球 25%，總出貨量全球第一。在半導(dǎo)體集成電路（IC）領(lǐng)域，中芯國(guó)際與長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為中國(guó)主流代工廠商，已躋身國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體代工第一梯隊(duì)。作為尖端制造業(yè)代表的泛半導(dǎo)體設(shè)備制造企業(yè)，北方華創(chuàng)的客戶結(jié)構(gòu)堪稱無與倫比，在行業(yè)中極為稀缺。

　　在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，中國(guó)投入最多資金的就屬晶圓代工部份。具體來說，晶圓代工就是在硅晶圓上制作電路與電子元件，這個(gè)步驟為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)最復(fù)雜，且資金投入最多的領(lǐng)域。