《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 電源技術(shù) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > Diodes Incorporated 目標(biāo)電動(dòng)汽車產(chǎn)品應(yīng)用推出高電流 TOLL MOSFETs

Diodes Incorporated 目標(biāo)電動(dòng)汽車產(chǎn)品應(yīng)用推出高電流 TOLL MOSFETs

2021-11-18
來源:Diodes Incorporated

  Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 為金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管 (MOSFET) 推出節(jié)省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI?1012-8) 封裝,能在 175°C、100 瓦等級(jí)的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下運(yùn)作,另外,80 瓦等級(jí)的 DMTH8001STLWQ 金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管 (MOSFET) 比 TO263 占據(jù)的 PCB 面積少了百分之二十。產(chǎn)品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產(chǎn)品成為高可靠性電力產(chǎn)品應(yīng)用的最佳選擇,像是能量熱回收、積體啟動(dòng)交流發(fā)電機(jī)以及電動(dòng)汽車的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。

  

1637215510496539.jpg

  TOLL封裝采條帶鍵合封裝以達(dá)低封裝電阻及較低的寄生電感,使得 DMTH8001STLWQ、DMTH10H1M7STLWQ 和 DMTH10H2M5STLWQ 能夠在 10 W閘極驅(qū)動(dòng)器下產(chǎn)生 1.3mΩ、1.4mΩ 和 1.68mΩ 的典型寄通電阻。此外,低寄生電感能改善 EMI 電路的表現(xiàn)。

  由于焊接面積比 TO263 高出百分之五十,TOLL封裝能使接面的熱阻抗達(dá) 0.65°C/W, MOSFET可處理高達(dá) 270A 的電流。鍍錫的梯形凹槽鉛錠有助于自動(dòng)光學(xué)檢測 (AOI) 流程。金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管 (MOSFET) 皆符合 AEC-Q101 等級(jí)規(guī)范,由 IATF 16949  認(rèn)證的設(shè)施制造,并支持 PPAP 文件。

  關(guān)于 Diodes Incorporated

  Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 是一家標(biāo)準(zhǔn)普爾小型股 600 指數(shù)和羅素 3000 指數(shù)成員公司,為消費(fèi)電子、計(jì)算、通信、工業(yè)和汽車市場的全球領(lǐng)先公司提供高質(zhì)量半導(dǎo)體產(chǎn)品。我們擁有豐富的產(chǎn)品組合以滿足客戶需求,內(nèi)容包括分立、模擬、邏輯與混合信號(hào)產(chǎn)品以及先進(jìn)的封裝技術(shù)。我們廣泛提供特殊應(yīng)用解決方案與解決方案導(dǎo)向銷售,加上全球 31 個(gè)站點(diǎn)涵蓋工程、測試、制造與客戶服務(wù),使我們成為高產(chǎn)量、高成長的市場中的優(yōu)質(zhì)供貨商。




圖片.jpg


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,請及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。