據(jù)日刊工業(yè)新聞20日報導(dǎo)，美光于2013年收購爾必達、取得現(xiàn)有的廣島工廠，之后就積極進行投資，目前廣島工廠廠區(qū)內(nèi)已無增設(shè)廠房的空間。

　　報導(dǎo)進一步指出，美光上述DRAM新工廠的設(shè)廠地點考量對象原先也包含臺灣（美光在此擁有DRAM工廠）以及新加坡（美光擁有NAND Flash工廠），不過在基于臺灣海峽風(fēng)險以及和供應(yīng)商之間的合作等觀點進行評估后，美光最終決定落腳日本。

　　美光在2019-2021年度的3年期間合計在日本投資70億美元，投資規(guī)模居外資企業(yè)之冠。美光在和三星電子、SK Hynix之間的市場競爭上趨于劣勢，今后DRAM和邏輯芯片一樣、進一步進行微縮是不可或缺的，因此對美光來說、日本在技術(shù)研發(fā)上的重要性將增加。

　　今年六月，美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在接受日經(jīng)新聞采訪時透露，將與日本政府合作，擴大在當(dāng)?shù)氐耐顿Y，同時也將與當(dāng)?shù)卦O(shè)備和材料業(yè)者合作，以強化日本半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。對此，南韓媒體報導(dǎo)指出，美光此舉可能威脅到南韓記憶體廠的發(fā)展空間。

　　Sanjay Mehrotra特別提到，美光有意與日本業(yè)者合作開發(fā)第五代10納米級DRAM技術(shù)。值得注意的是，相較全球前兩大DRAM制造商三星和SK海力士現(xiàn)在仍主要聚焦于第三代DRAM生產(chǎn)，美光率先在6月初的Computex展中即宣布，已開始量產(chǎn)全球首款第四代10奈米級制程DRAM，在技術(shù)領(lǐng)先的優(yōu)勢下，美光可能威脅到三星及SK海力士的市占率。

　　三星2022 年準備擴大投資南韓平澤P3 工廠

　　南韓媒體《BusinessKorea》報導(dǎo)，半導(dǎo)體大廠三星正加緊準備2022 年開始的平澤新半導(dǎo)體工廠大規(guī)模投資。三星大規(guī)模投資的目的，除了在記憶體逢大周期時擴大與競爭對手的差距，晶圓代工也要追上臺積電。

　　三星計劃先在建設(shè)中平澤3 號工廠（P3） 建立NAND Flash 快閃記憶體生產(chǎn)線，然后再建立DRAM 生產(chǎn)線和3 納米制程代工產(chǎn)線。三星正與國內(nèi)外材料、零組件、設(shè)備合作伙伴洽談，P3 工廠擴建后，三星將增設(shè)一條第七代176 層堆疊NAND Flash 快閃記憶體生產(chǎn)線，每月生產(chǎn)40K~50K 的12 吋晶圓，并2022 年4 月左右開始引進設(shè)備。

　　市場分析師表示，先安裝NAND Flash 快閃記憶體生產(chǎn)線的原因，是為了擴大與追隨者的技術(shù)差距，因為NAND Flash 快閃記憶體市場競爭加劇，據(jù)市場人士說法，中國努力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，西部數(shù)據(jù)可能收購日本記憶體大廠鎧俠，美光科技也量產(chǎn)176 層堆疊NAND Flash，市場競爭逐漸升溫。

　　關(guān)于P3 工廠加碼投資，三星還訂定2022 下半年建設(shè)DRAM 和3 納米代工產(chǎn)線計劃。市場人士預(yù)計，因應(yīng)DDR5 規(guī)格的DRAM 時代到來，三星將打造14 奈米制程EUV DRAM 生產(chǎn)線。三星建立3 納米制程代工產(chǎn)線方面，未來每月可量產(chǎn)10K~20K 的12 吋晶圓。

　　三星電子預(yù)計2022 年將在華城和P3 工廠所在的平澤工廠導(dǎo)入先進生產(chǎn)技術(shù)。據(jù)三星計劃，投資DRAM 和晶圓代工產(chǎn)線后，南韓半導(dǎo)體產(chǎn)能將增加至每月150K 晶圓，相當(dāng)于三星DRAM 廠華城17 工廠產(chǎn)能。

　　DRAM市場供不應(yīng)求，SK海力士加大投資力度

　　據(jù)韓媒報道，SK海力士正在擴大其在DRAM領(lǐng)域的投資，除了在建的M16廠區(qū)之外，其他已建成廠區(qū)也在增加設(shè)備。

　　業(yè)內(nèi)人士介紹，新增設(shè)備已經(jīng)在清州M15廠投產(chǎn)，使其生產(chǎn)能力增加10K/月。M15是于2018年建成的DRAM生產(chǎn)基地，今年其剩余空間產(chǎn)能已經(jīng)被填充。

　　設(shè)備制造商表示，SK海力士向來對投資持有謹慎態(tài)度，近期由于其有足夠動力支撐，這種態(tài)度開始有所轉(zhuǎn)變。

　　上個月SK海力士M16廠區(qū)竣工之后，正在積極推進下半年量產(chǎn)工作，并計劃引入EUV工藝生產(chǎn)第四代10nm級DRAM。

　　近期，由于DRAM市場供不應(yīng)求，SK海力士在無錫工廠也在討論擴產(chǎn)投資，此外還與ASML簽署了高達43.4億美元大單，以保證EUV設(shè)備供應(yīng)。

　　業(yè)內(nèi)人士分析，SK海力士的這種投資趨勢預(yù)計將持續(xù)到明年，尤其是今年下半年，可能會有更大投資。

　　據(jù)韓聯(lián)社10月10日報道，SK海力士與中國新發(fā)集團共同出資20億元人民幣，將在無錫打造集成電路產(chǎn)業(yè)園。據(jù)無錫市人民政府網(wǎng)站8日消息，無錫中韓集成電路產(chǎn)業(yè)園7日開工，該產(chǎn)業(yè)園由新發(fā)集團和SK海力士共同出資承建，總投資20億元。

　　據(jù)報道，SK海力士從2006年起在無錫開設(shè)運營動態(tài)隨機存取存儲器（D-RAM）半導(dǎo)體工廠。為加強與當(dāng)?shù)仄髽I(yè)和社區(qū)的雙贏合作，確保供應(yīng)鏈穩(wěn)定，SK海力士參與上述園區(qū)建設(shè)。公司方面稱，此次投資非用于擴建現(xiàn)有半導(dǎo)體工廠。