摩爾定律是英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登摩爾 （Gordon Moore） 提出的衡量處理器穩(wěn)定進(jìn)展的指標(biāo)，這在近年來(lái)受到了打擊。但它正在卷土重來(lái)，英特爾首席執(zhí)行官 Pat Gelsinger周三表示。

　　“摩爾定律仍然有效，” Pat Gelsinger在公司的在線創(chuàng)新日活動(dòng)上說(shuō)。“今天，我們預(yù)測(cè)我們將在未來(lái)十年保持甚至比摩爾定律更快?！?/p>

　　這是該公司的一個(gè)大膽聲明，該公司在過(guò)去五年左右的時(shí)間里一直在努力推進(jìn)其芯片制造，并且在與其他兩家頂級(jí)芯片制造商臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司和三星的競(jìng)爭(zhēng)者，丟去了其領(lǐng)導(dǎo)地位。這個(gè)聲明顯示，英特爾愿意為奪回其地位而奮斗，并試圖為低迷的處理器業(yè)務(wù)注入新的活力。

　　嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，摩爾定律是 1965 年（1975 年有所更新）的觀察結(jié)果，即處理器上的晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环?。這不是物理定律，而是小型化經(jīng)濟(jì)學(xué)的反映：通過(guò)改進(jìn)制造，可以在芯片上構(gòu)建更多電路，使它們更強(qiáng)大，并為下一輪創(chuàng)新提供資金。

　　但隨著研究和制造成本越來(lái)越高，小型化已經(jīng)步履蹣跚。芯片元件達(dá)到原子級(jí)，功耗問(wèn)題限制了時(shí)鐘速度，使芯片處理步驟保持同步。

　　因此，如今人們經(jīng)常使用摩爾定律來(lái)指代性能和功耗的進(jìn)步以及在芯片上更密集地封裝更多晶體管的能力。

　　不過(guò)，Gelsinger 指的是傳統(tǒng)定義，指的是處理器上晶體管的數(shù)量——盡管處理器可以由多個(gè)內(nèi)置在單個(gè)封裝中的硅片組成?！拔覀冾A(yù)計(jì)曲線的彎曲速度甚至?xí)^(guò)每?jī)赡攴环乃俣?，”他說(shuō)。

　　如果這是真的，那將意味著英特爾有機(jī)會(huì)趕上競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，Gelsinger 承諾的這一時(shí)刻將在 2024 年實(shí)現(xiàn)。英特爾努力從其 14 納米制造工藝轉(zhuǎn)向 10 納米工藝，而臺(tái)積電和三星則保持了更好的進(jìn)展。

　　除了封裝，Gelsinger 還指出了他預(yù)計(jì)將有助于英特爾重新奪回其領(lǐng)導(dǎo)地位的兩項(xiàng)主要發(fā)展。首先是 RibbonFET，這項(xiàng)技術(shù)更廣泛地稱為全域柵 （gate all around） 或 GAA。它轉(zhuǎn)換晶體管，使電流在一堆薄帶狀半導(dǎo)體中流動(dòng)，這些半導(dǎo)體完全被柵極材料包圍，柵極材料可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。

　　其次是英特爾的 PowerVia，更廣泛地稱為背面供電。這為芯片制造增加了新的處理步驟，但意味著晶體管從一側(cè)汲取電力，同時(shí)連接到另一側(cè)的數(shù)據(jù)通信鏈路。今天的芯片試圖將這兩種功能塞進(jìn)一側(cè)，增加了復(fù)雜性并限制了小型化。

　　同樣關(guān)鍵的是采用極紫外芯片制造設(shè)備，該設(shè)備使用較小波長(zhǎng)的光將晶體管電路蝕刻到硅片上。升級(jí)極其昂貴，臺(tái)積電和三星在轉(zhuǎn)向 EUV 方面擊敗了英特爾，但升級(jí)簡(jiǎn)化了制造，否則需要更多步驟。

　　英特爾還承諾將率先升級(jí)到高數(shù)值孔徑 EUV。這是英特爾計(jì)劃在 2024 年追趕之后，在 2025 年超越臺(tái)積電和三星的計(jì)劃的又一步。