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三星英特爾加速工藝迭代:2nm是關(guān)鍵節(jié)點

2021-10-15
來源:雷科技
關(guān)鍵詞: 三星 英特爾 2nm 高通

10月14日,臺積電公布了2021 Q3季度財報。其總營收為4147億新臺幣(約合人民幣965.17億元),凈利潤為1563億新臺幣(約合人民幣363.77億元),同比增長13.8%。盡管是受到疫情的影響,臺積電的業(yè)績增長從來沒停止過。

近兩年,憑借先進(jìn)工藝帶來的競爭優(yōu)勢,臺積電吃掉了全球半導(dǎo)體晶圓代工市場的大半壁江山,第3季度僅靠5NM和7NM兩種工藝就貢獻(xiàn)了過半的收入。其中5NM占晶圓總收入的18%,而7NM則占34%。很顯然,臺積電這幾年業(yè)績飛升很大程度上都是在對手工藝落后的情況下實現(xiàn)的。

不過,臺積電的工藝到了7NM節(jié)點之后,晶圓成本難以下降,5NM的成本更是節(jié)節(jié)攀升,3NM的研發(fā)周期也進(jìn)一步延長。臺積電在功耗、密度控制方面開始顯現(xiàn)疲態(tài),就連2NM工藝也要等到2025年了。

臺積電的“喘息”給了三星英特爾奮起直追的機(jī)會,按照各家的規(guī)劃,三星會率先在3NM節(jié)點采用GAA晶體管工藝,向臺積電發(fā)起“進(jìn)攻”。另一方面,按照英特爾的研發(fā)路線,他們會在2024年實現(xiàn)20A工藝量產(chǎn),大概相當(dāng)于2NM工藝。到了2025年,英特爾還會繼續(xù)向更高難度的工藝進(jìn)發(fā),量產(chǎn)18A工藝。

據(jù)悉,英特爾從20A工藝開始放棄FinFET工藝,轉(zhuǎn)為RibbonFET以及自家獨有的PowerVia。這兩種工藝率先面向高通、亞馬遜這樣的大客戶。PowerVia是業(yè)界首個背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò),通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸,而RibbonFET則是一種類似GAA晶體管的工藝,可以實現(xiàn)更快的晶體管開關(guān)速度,與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動電流,占用空間比FinFET還要更小。

目前來看,臺積電依舊可以在晶圓代工市場上繼續(xù)保持“霸主”的地位,但同樣要面臨來自三星、英特爾在工藝方面飛速追趕的壓力。英特爾CEO基辛格曾聲稱,未來幾年該公司將恢復(fù)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)地位,現(xiàn)在看來似乎不是玩笑話。

小雷覺得,臺積電現(xiàn)階段還可以憑借先進(jìn)的生產(chǎn)工藝“抱緊”蘋果的大腿穩(wěn)賺不賠。隨著競爭對手的快速追趕,臺積電的代工優(yōu)勢可能會逐漸削弱。屆時,臺積電想從高通、蘋果等大公司里獲得代工訂單的難度,可能也比現(xiàn)在要難了。




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