中國(guó)功率半導(dǎo)體元件IDM大廠華潤(rùn)微電子目前擁有3條6寸晶圓產(chǎn)線與2條8寸晶圓產(chǎn)線，另有1條12寸晶圓產(chǎn)線在建，其中位于無錫、重慶的8寸線主要生產(chǎn)power MOSFET、IGBT等功率半導(dǎo)體元件。

　　為因應(yīng)功率半導(dǎo)體元件需求走升，華潤(rùn)微電子擬擴(kuò)張重慶8寸晶圓產(chǎn)線產(chǎn)能約10%，將月產(chǎn)能拉升至每月6.2萬片左右。

　　功率半導(dǎo)體元件需求走升，power MOSFET、IGBT為成長(zhǎng)主力

　　功率半導(dǎo)體元件是調(diào)節(jié)、轉(zhuǎn)換電流或電壓的核心單元，搭載于逆變器（直流轉(zhuǎn)交流）、整流器（交流轉(zhuǎn)直流）、變壓器（升壓、降壓）中，并且能做為電源開關(guān)以實(shí)現(xiàn)電路管制，主要涵蓋bipolar transistor、power MOSFET與IGBT，是電子、通訊設(shè)備運(yùn)作時(shí)不可或缺的元件。

　　TrendForce集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院表示，隨著終端電子設(shè)備持續(xù)增長(zhǎng)、5G通訊時(shí)代降臨、太陽能與電動(dòng)車興起，預(yù)期功率半導(dǎo)體元件的需求有望持續(xù)走高。估計(jì)2020～2023年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將自148.43億美元成長(zhǎng)至174.22億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)5.5%。

　　進(jìn)一步分析三大元件的成長(zhǎng)力道，預(yù)期2020～2023年power MOSFET、IGBT、bipolar transistor的年復(fù)合成長(zhǎng)率依序?yàn)?.2%、6.9%、2.8%，power MOSFET、IGBT將是推動(dòng)功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)成長(zhǎng)的主力。

　　圖：2019～2023年全球功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)規(guī)模

　?。⊿ource：拓墣產(chǎn)業(yè)研究院整理，2020/12）

　　中國(guó)推動(dòng)產(chǎn)業(yè)自主化，華潤(rùn)微電子等IDM廠有望直接受惠

　　中國(guó)是率先大規(guī)模布建5G系統(tǒng)的國(guó)家，同時(shí)也擁有全球最大的太陽能產(chǎn)業(yè)鏈及第一大電動(dòng)車市場(chǎng)，且在多項(xiàng)物聯(lián)網(wǎng)政策與AI產(chǎn)業(yè)政策推波助瀾下，終端電子設(shè)備增長(zhǎng)迅速，加上消費(fèi)性電子市場(chǎng)規(guī)模冠于全球，使其對(duì)功率半導(dǎo)體元件有龐大需求。

　　政府為了實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)自主化，積極扶植本土供應(yīng)鏈，持續(xù)拉升功率半導(dǎo)體元件的自給率，本土廠商亦獲得寬闊的發(fā)展空間。

　　華潤(rùn)微電子是中國(guó)第一大功率半導(dǎo)體元件供應(yīng)商，產(chǎn)品涵蓋power MOSFET、IGBT與bipolar transistor。其中，power MOSFET為主力產(chǎn)品，可滿足12～900V工作電壓需求，而IGBT則有600V、1200V、1350V三種類別。

　　隨著中國(guó)積極發(fā)展進(jìn)口替代，華潤(rùn)微電子的功率半導(dǎo)體元件出貨量持續(xù)攀升，即便在新冠病毒蔓延下，其power MOSFET、IGBT產(chǎn)品在2020上半年?duì)I收仍分別年增21.4%、49.9%。除了華潤(rùn)微電子外，比亞迪半導(dǎo)體、中車時(shí)代電氣、斯達(dá)半導(dǎo)體等指標(biāo)IDM廠亦有望在中國(guó)推動(dòng)產(chǎn)業(yè)自主化的過程中直接受惠。