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印度半導(dǎo)體制造現(xiàn)狀:近期目標(biāo)180nm!

2020-11-11
來源:EETOP
關(guān)鍵詞: 印度 半導(dǎo)體 180nm

  2020年,半導(dǎo)體行業(yè)引起了廣泛關(guān)注。從地緣政治到制造業(yè)發(fā)展再到 兼并和收購,半導(dǎo)體行業(yè)已成為新聞焦點。

  這向世界展示了對半導(dǎo)體技術(shù)日益增長的需求和依賴性。這引起了半導(dǎo)體制造,組裝和測試落后國家的關(guān)注。具體來說,印度是半導(dǎo)體產(chǎn)品/設(shè)備的100%進口國。

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  一個擁有13億多人口的國家,根本無法承受核心半導(dǎo)體制造技術(shù)的缺失,半導(dǎo)體技術(shù)為從智能手機到衛(wèi)星等多種技術(shù)產(chǎn)品提供了基礎(chǔ)。

  通過提供基于激勵的計劃,印度政府一直在努力吸引全世界的企業(yè)來在印度建立半導(dǎo)體制造、組裝和測試設(shè)施??涩F(xiàn)實是不僅需要政策,還需要更多。

  這并不是說印度沒有任何半導(dǎo)體制造、封裝和測試工廠。

  現(xiàn)在所有現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造設(shè)施都由印度政府擁有和運營,用于滿足國防和空間技術(shù)等關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施需求:

  半導(dǎo)體實驗室(SCL)配備在6英寸和8英寸晶圓上制作180nm CMOS工藝。它還具有封裝和測試能力。

  半導(dǎo)體實驗室 (SCL)可以在6英寸和8英寸晶圓上制造180nm CMOS工藝。它還具有封裝和測試能力。

  巴拉特電子有限公司 (Bharat Electronics Limited (BEL) )是另一家擁有電子制造能力,但沒有半導(dǎo)體制造部門的公司。

  集成電路技術(shù)與應(yīng)用研究協(xié)會 (SITAR)具有6英寸的晶圓處理能力,但技術(shù)節(jié)點并不先進。

  印度理工學(xué)院孟買納米制造工廠 (IITBNF)是另一家實驗室,其設(shè)備能夠生產(chǎn)2英寸、4英寸和8英寸硅晶片,不過這些晶片僅用于研發(fā)活動。

  很少的私營公司從事半導(dǎo)體封裝和測試,但不從事制造:

  SPEL Semiconductor Limited 能夠提供成套的后加工測試和封裝解決方案。

  ChipTest Engineering PrivateLimited 是另一家(由SPEL的母公司擁有)組裝和測試解決方案提供商,在印度以外的亞太地區(qū)設(shè)有辦事處。

  Tessolve Semiconductor 提供與半導(dǎo)體測試和產(chǎn)品工程相關(guān)的服務(wù)。

  除了以上三個之外,還有許多私營電子組裝(不同于半導(dǎo)體封裝和測試)服務(wù)提供商,它們不屬于半導(dǎo)體制造、封裝或測試領(lǐng)域。

  以上數(shù)據(jù)顯示,印度的半導(dǎo)體內(nèi)部制造、封裝和測試有待擴大。在半導(dǎo)體制造方面,供需之間存在著巨大的差距。另一方面,印度的半導(dǎo)體設(shè)計行業(yè)正在蓬勃發(fā)展,幾乎所有國際頂級的Fabless到 IDM(僅設(shè)計)到 ESDM 設(shè)計公司都有研發(fā)中心,從事利基半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計,包括先進節(jié)點的PDK。

  這就引出了一個問題,缺失的環(huán)節(jié)是什么?

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  印度的半導(dǎo)體缺失環(huán)節(jié)

  半導(dǎo)體端到端制造包括以下類型的半導(dǎo)體公司:

  Fabless / IDM –Pre-Silicon半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計

  EDA –Pre-Silicon軟件工具和庫,有助于半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計

  FAB / Pure-Play代工廠/ IDM /設(shè)備/材料/ OSAT / ATMP –Post-Silicon半導(dǎo)體制造、封裝和測試

  Pre-Silicon

  就Pre-Silicon產(chǎn)品(Fabless和EDA)而言,印度比鄰國具有優(yōu)勢,這是因為Fabless EDA各公司積極參與關(guān)鍵產(chǎn)品的開發(fā)。這很重要,因為2020年的半導(dǎo)體行業(yè)顯示出清晰的脈絡(luò),即未來將擁有更少的IDM,更多的Fabless和FAB公司-兩個不同的領(lǐng)域。印度有很少數(shù)的IDM公司,但這些公司只滿足半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)的設(shè)計方面,而不是制造方面。

  然而,當(dāng)從產(chǎn)品開發(fā)的設(shè)計階段轉(zhuǎn)向制造階段時,也有不利因素。

  印度在半導(dǎo)體制造、封裝和測試方面正在嚴(yán)重依賴亞太國家。除此之外,在Fabless設(shè)計方面,亞太國家并不落后。隨著半導(dǎo)體制造的成熟,在設(shè)計領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位將不是難事。

  Post-Silicon

  印度半導(dǎo)體行業(yè)缺少的主要環(huán)節(jié)是Post-Silicon領(lǐng)域。沒有專門的MIN / MEGA /GIGA代工廠,不僅在世界范圍內(nèi),而且印度在亞洲都遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后。

  從進出口業(yè)務(wù)的角度來看,100%進口半導(dǎo)體產(chǎn)品,然后簡單組裝是不可行的,這使得印度在技術(shù)領(lǐng)域的競爭中落后。最重要的是,印度的OSAT業(yè)務(wù)尚未成熟。

  半導(dǎo)體制造至關(guān)重要,并且隨著關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施的數(shù)字化,各國變得自力更生比以往任何時候都更為重要。

  如何填補空白

  印度不需要GIGA-FAB,因為它的建設(shè)成本約為120億美元,而且需要數(shù)年才能實現(xiàn)收支平衡。MIN/MEGA-FAB專注于特定的市場,瞄準(zhǔn)更高的技術(shù)節(jié)點(130nm和180nm),無論從成本還是時間上都可能是更可行的選擇。

  印度政府需要從活躍的公共半導(dǎo)體制造部門(如SCL和SITAR)中參與或創(chuàng)建一個單獨的實體,然后與世界著名的FAB公司建立合作伙伴關(guān)系。

  為了進一步縮小半導(dǎo)體制造差距,需要使PLI和SPECS之類的政策對OSAT更加友好,以便全球OSAT領(lǐng)導(dǎo)者可以自己在印度設(shè)立制造部門,并將其業(yè)務(wù)與已經(jīng)存在的設(shè)計公司聯(lián)系起來。

  如果印度想在半導(dǎo)體Post-Silicon產(chǎn)業(yè)中有機會,那么政府和私人公司需要更快地團結(jié)起來,盡快開始工作。設(shè)想和建立一級半導(dǎo)體制造工廠需要花費五年的時間,時間不等人?。?/p>

 

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