根據(jù)發(fā)表在《自然》雜志上的一項(xiàng)最新研究，EPFL的工程師發(fā)明了一種新的計(jì)算機(jī)芯片，該芯片能夠在單個(gè)電路中存儲(chǔ)和處理數(shù)據(jù)。

　　下一代計(jì)算機(jī)芯片由二硫化鉬（MoS2）的2D材料組成，可為節(jié)能電子產(chǎn)品打開了大門。

　　2D材料可讓下一代計(jì)算機(jī)芯片立即存儲(chǔ)、處理數(shù)據(jù)New Atlas報(bào)告說，通常，計(jì)算機(jī)在一個(gè)區(qū)域（CPU）中處理數(shù)據(jù)，然后將其傳遞到另一個(gè)區(qū)域，例如固態(tài)驅(qū)動(dòng)器或硬盤進(jìn)行存儲(chǔ)。但是，盡管該系統(tǒng)幾十年來一直是標(biāo)準(zhǔn)配置，但它并不是運(yùn)行計(jì)算機(jī)的最有效方法。

　　例如，我們的大腦——世界上功能最強(qiáng)大的計(jì)算機(jī)——使用神經(jīng)元同時(shí)處理和存儲(chǔ)信息。近年來，工程師們嘗試使用內(nèi)存中邏輯架構(gòu)（也稱為“憶阻器”）來模仿芯片的雙重功能。

　　這種芯片的想法是消除移動(dòng)數(shù)據(jù)的必要性，以制造出體積更小，速度更快的設(shè)備，這些設(shè)備比典型的芯片具有更低的功耗。

　　新的2D計(jì)算機(jī)芯片為更小、更強(qiáng)大的設(shè)備打開了大門EPFL的最新研究使我們更接近這個(gè)想法。該公司的內(nèi)存邏輯芯片是有史以來第一個(gè)由2D材料組成的芯片，該材料由單個(gè)MoS2層和3個(gè)原子的厚度組成。這種材料的超薄性非常適合用于縮小器件。

　　這種新的計(jì)算機(jī)芯片在技術(shù)上稱為浮動(dòng)門場效應(yīng)晶體管（FGFET），通常用于SD卡等閃存系統(tǒng)。這樣的晶體管在長時(shí)間充電方面通常做得很好。MoS2對存儲(chǔ)電荷特別敏感，這意味著它可以執(zhí)行存儲(chǔ)和邏輯功能。

　　“我們的電路設(shè)計(jì)有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)，”該研究的第一作者Andras Kis說?！八梢詼p少與存儲(chǔ)單元和處理器之間傳輸數(shù)據(jù)相關(guān)的能量損失，減少計(jì)算操作所需的時(shí)間，并縮小所需的空間?！边@為更小、更強(qiáng)大、更節(jié)能的設(shè)備打開了大門。“隨著第四次工業(yè)革命的臨近，我們有必要退后一步，想象一下我們的未來。量子計(jì)算機(jī)的處理能力足以讓當(dāng)今最先進(jìn)的處理器相形見絀，其規(guī)模小到足以實(shí)現(xiàn)我們甚至無法想象的新應(yīng)用。雖然這是一個(gè)可怕的時(shí)刻，但這也是最令人興奮的。