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100億買新廠、8000人攻關(guān)2nm,臺積電進入無人之境

2020-08-26
來源: 芯三板
關(guān)鍵詞: 2nm 臺積電 晶圓 半導(dǎo)體

臺積電昨日宣布48.4億新臺幣買下彩晶興建中的廠房和附屬設(shè)備,這已經(jīng)是臺積電今年第四次斥巨資在南科一帶“買房”。

在本月19號,臺積電宣布斥資8.6億新臺幣購買益通光能科技在南科的廠房以及附屬設(shè)施;12號,偏光板廠力特也公告將處分其位于南科廠的廠房給臺積電,交易金額為36.5億新臺幣;而更早之前,5月12日時,臺積電的供應(yīng)商家登也以重訊方式告知,將處分其位于南科的不動產(chǎn),交易金額為6.6億新臺幣。短短四個月,臺積電陸續(xù)買下了家登、力特、以及益通南科廠房,累計已投入約100億新臺幣。

5nm增產(chǎn)70%

臺積電對廠區(qū)的暴增源于訂單的暴增,雖然華為因為美國制裁原因,無法再找臺積電代工,但是華為的缺位被其他廠商迅速填補,此前芯三板文章已經(jīng)寫過,由于三星在5nm制程上良品率的問題,高通不得不將5nm芯片的訂單轉(zhuǎn)向臺積電,此外AMD的5nm芯片也在加速階段,聯(lián)發(fā)科、NXP等客戶也開始轉(zhuǎn)向5nm工藝,這就導(dǎo)致臺積電的5nm產(chǎn)能嚴(yán)重不夠用,只能不斷的買廠擴充產(chǎn)能,目前臺積電的5nm產(chǎn)能為6萬片晶圓/月,南科工業(yè)園的Fab 18工廠P3工程將于Q4季度量產(chǎn),明年Q2季度P4工程還會進一步增加產(chǎn)能約1.7萬片晶圓/月。

隨著這些工廠的擴產(chǎn),臺積電的5nm產(chǎn)能將從目的6萬片晶圓/月提升到接近11萬片晶圓/月,增幅超過70%,不僅是全球最大5nm產(chǎn)能,還拉大了與三星等對手的差距。

12nm 賽道競爭激烈此外,雖然目前臺積電的36%的營收來自于7nm,但是12~16nm制程依然保有18%的份額,此外格芯也放棄了10nm轉(zhuǎn)而優(yōu)化12~14nm工藝,再加上中芯國際也在12nm展露頭角,這些因素都成為臺積電繼續(xù)深挖12nm工藝價值的動力。

所以臺積電在技術(shù)大會上不僅確認(rèn)了5nm、6nm已在量產(chǎn)中,3nm、4nm明年試產(chǎn)后年量產(chǎn)外,還宣布對12nm進行了升級,新制程工藝節(jié)點名為N12e,綠色LOGO極為醒目,突出的就是其在能耗上的極佳表現(xiàn)。具體來說,N12e要取代的是22ULL,可帶來76%的邏輯密度提升,給定功耗下49%的頻率提升、給定性能下55%的功耗減少以及SRAM尺寸50%的縮減。

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臺積電進入無人之境

5nm之后,臺積電已經(jīng)進入了無人之境,三星也被其甩在身后,三星目前的5nm良品率過低導(dǎo)致高通投入臺積電的懷抱,此外Intel的7nm最早也要到2022年末才能出來,目前只有臺積電一家在3nm上有實質(zhì)性的進展。

臺積電披露其關(guān)于3nm的相關(guān)信息,3nm工藝,仍將繼續(xù)使用鰭式場效應(yīng)(FinFET)晶體管,不會采用三星計劃在3nm工藝節(jié)點上使用的環(huán)繞式閘極電晶體(GAA)。而相比于5nm工藝而言,3nm工藝將使芯片的性能提升10%到15%,能耗降低25%到30%,臺積電方面承諾3nm工藝的晶體管密度將是5nm工藝的1.7倍。

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當(dāng)然臺積電對于制程的追求肯定無止境,其還打算用一個8000人的工程師隊伍攻克2nm芯片,該項目的第一階段將在2021年完成。

半導(dǎo)體的舞臺中心

毫無疑問,如今的臺積電已經(jīng)站在了半導(dǎo)體世界的舞臺中心,作為一家商業(yè)公司,臺積電也是及其優(yōu)秀的,作為半導(dǎo)體行業(yè)的吸金王,臺積電的凈利潤高達32.2%,從整個人類的視野來看,臺積電代表了人類對于物理極限的追求。


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