1.  導(dǎo)言

 目前工業(yè)傳動通常采用一般所熟知的硅基IGBT反相器（inverter），但最近開發(fā)的碳化硅MOSFET元件，為這個領(lǐng)域另外開辟出全新的可能性。

 意法半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET技術(shù)，不但每單位面積的導(dǎo)通電阻非常之低，切換效能絕佳，而且跟傳統(tǒng)的硅基續(xù)流二極體（FWD）相比，內(nèi)接二極體關(guān)閉時的反向恢復(fù)能量仍在可忽略范圍內(nèi)。

 考量到幫浦、風(fēng)扇和伺服驅(qū)動等工業(yè)傳動都必須持續(xù)運轉(zhuǎn)，利用碳化硅MOSFET便有可能提升能源效率，并大幅降低能耗。

 本文將比較1200 V碳化硅MOSFET和Si IGBT的主要特色，兩者皆採ACEPACK?封裝，請見表1。

表1：元件分析

本文將利用意法半導(dǎo)體的PowerStudio軟體，將雙脈波測試的實驗數(shù)據(jù)和統(tǒng)計測量結(jié)果套用在模擬當(dāng)中。模擬20kW的工業(yè)傳動，并評估每個解決方案每年所耗電力，還有冷卻系統(tǒng)的要求。

2.  主要的技術(shù)關(guān)鍵推手和應(yīng)用限制

以反相器為基礎(chǔ)的傳動應(yīng)用，最常見的拓?fù)渚褪且?個電源開關(guān)連接3個半橋接電橋臂。

 每一個半橋接電橋臂，都是以歐姆電感性負(fù)載（馬達(dá)）上的硬開關(guān)換流運作，藉此控制它的速度、位置或電磁轉(zhuǎn)距。因為電感性負(fù)載的關(guān)係，每次換流都需要6個反平行二極體執(zhí)行續(xù)流相位。當(dāng)下旁（lower side）飛輪二極體呈現(xiàn)反向恢復(fù)，電流的方向就會和上旁（upper side）開關(guān)相同，反之亦然；因此，開啟狀態(tài)的換流就會電壓過衝（overshoot），造成額外的功率耗損。這代表在切換時，二極體的反相恢復(fù)對功率損失有很大的影響，因此也會影響整體的能源效率。

 跟硅基FWD搭配硅基IGBT的作法相比，碳化硅MOSFET因為反向恢復(fù)電流和恢復(fù)時間的數(shù)值都低很多，因此能大幅減少恢復(fù)耗損以及對能耗的影響。

 圖1和圖2分別為50 A-600 VDC狀況下，碳化硅MOSFET和硅基IGBT在開啟狀態(tài)下的換流情形。請看藍(lán)色條紋區(qū)塊，碳化硅MOSFET的反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時間都減少很多。開啟和關(guān)閉期間的換流速度加快可減少開關(guān)時的電源耗損，但開關(guān)換流的速度還是有一些限制，因為可能造成電磁干擾、電壓尖峰和振盪問題惡化。

圖1：開啟狀態(tài)的碳化硅MOSFET

圖2：開啟狀態(tài)的硅基IGBT

 除此之外，影響工業(yè)傳動的重要參數(shù)之一，就是反相器輸出的快速換流暫態(tài)造成損害的風(fēng)險。換流時電壓變動的比率（dv/dt）較高，馬達(dá)線路較長時確實會增加電壓尖峰，讓共模和微分模式的寄生電流更加嚴(yán)重，長久以往可能導(dǎo)致繞組絕緣和馬達(dá)軸承故障。因此為了保障可靠度，一般工業(yè)傳動的電壓變動率通常在5-10 V/ns。雖然這個條件看似會限制碳化硅MOSFET的實地應(yīng)用，因為快速換流就是它的主要特色之一，但專為馬達(dá)控制所量身訂做的1200 V 硅基IGBT，其實可以在這些限制之下展現(xiàn)交換速度。在任何一個案例當(dāng)中，無論圖1、圖2、圖3、圖4都顯示，跟硅基IGBT相比，碳化硅MOSFET元件開啟或關(guān)閉時都保證能減少能源耗損，即使是在5 V/ns的強(qiáng)制條件下。

圖3：關(guān)閉狀態(tài)的硅基MOSFET

圖4：關(guān)閉狀態(tài)的硅基IGBT

3.  靜態(tài)與動態(tài)效能

以下將比較兩種技術(shù)的靜態(tài)和動態(tài)特質(zhì)，設(shè)定條件為一般運作，接面溫度TJ = 110 °C。

 圖5為兩種元件的輸出靜態(tài)電流電壓特性曲線（V-I curves）。兩相比較可看出無論何種狀況下碳化硅MOSFET的優(yōu)勢都大幅領(lǐng)先，因為它的電壓呈現(xiàn)線性向前下降。

 即使碳化硅MOSFET必須要有VGS  = 18 V才能達(dá)到很高的RDS(ON)，但可保證靜態(tài)效能遠(yuǎn)優(yōu)于硅基IGBT，能大幅減少導(dǎo)電耗損。

圖5：比較動態(tài)特質(zhì)

兩種元件都已經(jīng)利用雙脈波測試，從動態(tài)的角度加以分析。兩者的比較是以應(yīng)用為基礎(chǔ)，例如600 V匯流排直流電壓，開啟和關(guān)閉的dv/dt均設(shè)定為5 V/ns。 

圖6為實驗期間所測得數(shù)據(jù)之摘要。跟硅基IGBT相比，在本實驗分析的電流范圍以內(nèi)，碳化硅MOSFET的開啟和關(guān)閉能耗都明顯較低（約減少50%），甚至在5 V/ns的狀況下亦然。

圖6：動態(tài)特色的比較

4.  電熱模擬

為比較兩種元件在一般工業(yè)傳動應(yīng)用的表現(xiàn)，我們利用意法半導(dǎo)體的PowerStudio軟體進(jìn)行電熱模擬。模擬設(shè)定了這類應(yīng)用常見的輸入條件，并使用所有與溫度相關(guān)的參數(shù)來估算整體能源耗損。

用來比較的工業(yè)傳動，標(biāo)稱功率為20 kW，換流速度為5 V/ns（輸入條件如表2所列）。

表2：模擬條件

設(shè)定4kHz和8 kHz兩種不同切換頻率，以凸顯使用解決方案來增加fsw之功能有哪些好處。

 因為考量到隨著時間推移，所有馬達(dá)通常要在不同的作業(yè)點運轉(zhuǎn)，所以我們利用一些基本假設(shè)來計算傳動的功率損耗。依照定義IE等級成套傳動模組（CDM）的EN 50598-2標(biāo)準(zhǔn)，還有新型IES等級的電氣傳動系統(tǒng)（PDS），我們將兩個作業(yè)點套用在模擬中：一是50%扭矩所產(chǎn)生的電流，第二個則為100%，對我們的應(yīng)用來說這代表輸出電流分別為24和40 Arms。

 若以最大負(fù)載點而論（100%扭力電流），兩種元件的散熱片熱電阻都選擇維持大約110 °C的接面溫度。

 圖7在50%扭力電流和切換頻率4-8 kHz的狀況下，比較了碳化硅MOSFET和硅基IGBT解決方案的功率耗損。

圖7：50%扭力電流下每個開關(guān)的功率耗損

圖8：100%扭力電流下每個開關(guān)的功率耗損

        圖8則是在100%扭力電流下以同樣方式進(jìn)行比較。

 功率耗損分為開關(guān)（傳導(dǎo)和切換）和反平行二極體，以找出主要差別。和硅基IGBT相比，碳化硅MOSFET解決方案很明顯可大幅降低整體功率損耗。有這樣的結(jié)果是因為無論靜態(tài)和動態(tài)狀況下，不分開關(guān)或二極體，功率耗損都會減少。

 最后，無論是4或8 kHz的切換頻率，兩種負(fù)載狀況的功率耗損減少都落在50%范圍以內(nèi)。

 從這些結(jié)果可以看出，這樣做就能達(dá)成更高的能源效率，減少散熱片的散熱需求，對重量、體積和成本來說也都有好處。

 表3總結(jié)了整個反相器相關(guān)功率耗損的模擬結(jié)果（作業(yè)點100%），以及為了讓兩種元件接面溫度維持在110 °C所必需的相關(guān)散熱片熱電阻條件。

表3：模擬結(jié)果概況（作業(yè)點100%）

 在模擬所設(shè)定的條件下，當(dāng)8 kHz時Rth會從硅基IGBT的0.22 °C/W降到碳化硅MOSFET的0.09 °C/W。大幅減少代表散熱片可減容5:1（就強(qiáng)制對流型態(tài)的產(chǎn)品而言），對系統(tǒng)體積、重量和成本有明顯好處。在4 kHz的狀況下，Rth會從0.35降到0.17 °C/W，相當(dāng)于4:1容減。

5.  對能源成本的經(jīng)濟(jì)影響

 當(dāng)工業(yè)應(yīng)用對能源的需求較高且必須密集使用，能源效率就成了關(guān)鍵因素之一。

 為了將模擬的能源耗損數(shù)據(jù)結(jié)果轉(zhuǎn)換成能源成本比較概況，必須就年度的負(fù)載設(shè)定檔和能源成本這些會隨著時間或地點而有所不同的參數(shù)，設(shè)定一些基本假設(shè)。為達(dá)到簡化的目的，我們把狀況設(shè)定在只含兩種功率位階（負(fù)載因素100和50%）的基本負(fù)載設(shè)定檔。設(shè)定檔1和設(shè)定檔2的差別，只在于每個功率位準(zhǔn)持續(xù)的時間長短。為凸顯能源成本的減少，我們將狀況設(shè)定為持續(xù)運作的工業(yè)應(yīng)用。任務(wù)檔案1設(shè)定為每年有60%的時間處于負(fù)載50%，其他時間（40%）負(fù)載100%。任務(wù)檔案2也是這樣。

 對于每個任務(wù)檔案全年能源成本的經(jīng)濟(jì)影響，乃以0.14 €/kWh為能源成本來計算（歐洲統(tǒng)計局?jǐn)?shù)據(jù)，以非家庭用戶價格計算）。

 從表4可以看出，碳化硅MOSFET每年可省下895.7到1415 kWh的能源。每年可省下的對應(yīng)成本在125.4到198.1歐元之間，如電壓變動比率限制不那麼嚴(yán)格，則可省更多。

表4：碳化硅MOSFET每年為每個任務(wù)檔案所省下的能源和成本

6.  結(jié)論

本文針對採用1200 V硅基IGBT和碳化硅MOSFET之工業(yè)傳動用反相器，進(jìn)行了效能基準(zhǔn)測試。內(nèi)容還特別探討馬達(dá)繞線和軸承保護(hù)所導(dǎo)致在電壓變動比率方面的技術(shù)限制，接著在20 kW工業(yè)傳動條件下，針對上述技術(shù)與限制進(jìn)行比較。結(jié)果顯示，使用碳化硅MOSFET取代硅基IGBT可大幅增加電力能源效率，即使換流速度限制在5 V/ns。比較成本后也發(fā)現(xiàn)，在特定的假設(shè)條件下，這種做法可減少一般工業(yè)傳動應(yīng)用的能源費用支出。