在長江存儲不斷突破3D閃存的同時，國內(nèi)另一家存儲企業(yè)合肥長鑫也攻關(guān)DDR內(nèi)存，去年9月份正式量產(chǎn)10nm內(nèi)存。日前長鑫又宣布與美國Rambus（中文名藍(lán)鉑世）達(dá)成協(xié)議，獲得了后者的DRAM技術(shù)授權(quán)。

　　與長鑫合作的美國Rambus公司雖然也是NPE（Non-Practicing Entity，非專利執(zhí)行實體）公司，但在內(nèi)存技術(shù)上還是很有實力的，過去多年中三星、SK海力士、Intel、高通、NVIDIA等公司都跟他們簽訂了DRAM技術(shù)授權(quán)協(xié)議。

　　長鑫與Rambus簽署的合作協(xié)議也涉及DRAM技術(shù)授權(quán)，不過具體的合作內(nèi)容及授權(quán)費(fèi)用沒有公布，兩邊對此合作倒是都很滿意。

長鑫存儲董事長兼CEO朱一明表示：“與藍(lán)鉑世達(dá)成的協(xié)議再次表明，長鑫存儲高度重視知識產(chǎn)權(quán)相關(guān)的國際規(guī)則，持續(xù)強(qiáng)化知識產(chǎn)權(quán)組合。公司致力于通過自主研發(fā)與國際合作，不斷增加在半導(dǎo)體核心技術(shù)和高價值知識產(chǎn)權(quán)方面的積累，并以此為基礎(chǔ)實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，穩(wěn)步提升市場競爭力?！?br/>

　　長鑫存儲2016年5月在安徽合肥啟動，總投資1500億元，專業(yè)從事DRAM內(nèi)存的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座300毫米晶圓廠并投產(chǎn)，并通過專用研發(fā)線快速迭代研發(fā)，結(jié)合當(dāng)前先進(jìn)設(shè)備大幅度改進(jìn)工藝，開發(fā)出了獨有的技術(shù)體系。

　　2019年9月份，合肥長鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長鑫內(nèi)存芯片自主制造項目投產(chǎn)，將生產(chǎn)國產(chǎn)第一代10nm級8Gb DDR4內(nèi)存。

　　在內(nèi)存技術(shù)上，長鑫存儲的董事長兼CEO朱一明去年披露，他們從已破產(chǎn)的奇夢達(dá)公司，獲得了一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)，在此基礎(chǔ)上改進(jìn)、研發(fā)自主產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存芯片，耗資超過25億美元。

　　在自研技術(shù)之外，長鑫也免不了要跟其他公司合作授權(quán)，就在去年底，長鑫存儲從Polaris獲得了大量DRAM技術(shù)專利的實施許可，而這些專利來自Polaris 2015年6月從奇夢達(dá)母公司英飛凌購得的專利組合。