4月16日，中微半導(dǎo)體發(fā)布了上市以來第一份年報(bào)。根據(jù)年報(bào)顯示，2019年，中微半導(dǎo)體營收19．47億，同比增長18．77％，凈利潤1．89億元，同比增長107．51％，毛利率為34．93％。
在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)，中微開發(fā)的高端刻蝕設(shè)備已運(yùn)用在國際知名客戶65nm到7nm的芯片生產(chǎn)線上；同時(shí)，中微根據(jù)先進(jìn)集成電路廠商的需求，已開發(fā)出5nm刻蝕設(shè)備用于若干關(guān)鍵步驟的加工，中微半導(dǎo)體表示已經(jīng)獲得行業(yè)領(lǐng)先客戶的批量訂單，而眾所周知，目前處于領(lǐng)先地位的首屬臺積電。
長江存儲的得力助攻
在3D NAND芯片制造環(huán)節(jié)，中微已經(jīng)開發(fā)可應(yīng)用于64層量產(chǎn)的電容性等離子體刻蝕設(shè)備，同時(shí)128關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用以及相對應(yīng)的極高深寬比的刻蝕設(shè)備和工藝，正在開發(fā)階段。從中微的客戶結(jié)構(gòu)來看，國內(nèi)客戶占據(jù)了中微70％左右的訂單量，而如今長江存儲宣布128層閃存研發(fā)成功，未來有望看到長江存儲使用中微的刻蝕機(jī)量產(chǎn)128層閃存芯片。
MOCVD 設(shè)備技術(shù)
中微半導(dǎo)體的MOCVD設(shè)備已在全球氮化鎵基LED設(shè)備市場中占據(jù)領(lǐng)先地位。研發(fā)的用于制造深紫外光LED的MOCVD設(shè)備已在行業(yè)領(lǐng)先客戶端驗(yàn)證成功。用Mini LED生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備的研發(fā)工作正在有序進(jìn)行中。制造Micro LED、功率器件等需要的MOCVD設(shè)備也在開發(fā)中。
持續(xù)加大研發(fā)
從中微的公司結(jié)構(gòu)可以看出，中微的研發(fā)人員占比接近40％，研發(fā)人員的平均工資60萬。從學(xué)歷來看，博士占比17．75％，碩士占比31．52％，大學(xué)本科占比50．22％。
從中微半導(dǎo)體的財(cái)報(bào)可以看出，2019年毛利率下降了0．57個(gè)百分點(diǎn)，中微董事長尹志堯在業(yè)績說明會上表示，這主要是雖然中微的刻蝕設(shè)備已經(jīng)達(dá)到國際同行的水平，但是但MOCVD設(shè)備的毛利率在公司設(shè)備進(jìn)入市場之前，由于美國和德國設(shè)備公司的激烈競爭，已經(jīng)降到很低的水平。由于中微的MOCVD設(shè)備的銷售占公司銷售相當(dāng)?shù)谋壤?，所以公司的總毛利率相比偏低?/p>
中微半導(dǎo)體在財(cái)報(bào)中還表示，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)是技術(shù)密集型行業(yè)，牽扯眾多細(xì)分行業(yè)及學(xué)科，而且研發(fā)投入大，周期長，風(fēng)險(xiǎn)高。國外領(lǐng)先的同行們在研發(fā)投入也相當(dāng)大，2019年應(yīng)用材料研發(fā)投入超 20 億美元，泛林半導(dǎo)體研發(fā)投入超 10 億美元，維易科研發(fā)投入近 1 億美元。中微投入占比21．81％，雖然占比高，但是投入總額與國外還相差較大，所以持續(xù)穩(wěn)定的高投入是必須的。