8月27日,重慶市人民政府與紫光集團(tuán)簽署紫光存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地項目合作協(xié)議。紫光集團(tuán)將在重慶建設(shè)包括DRAM總部研發(fā)中心在內(nèi)的紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲芯片制造工廠,據(jù)悉,DRAM存儲芯片制造工廠計劃于2019年底開工建設(shè),預(yù)計2021年建成投產(chǎn)。
DRAM分為很多種,常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 和WRAM。DRAM也叫動態(tài)隨機存取存儲器,DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間,所以需要定時刷新。由于DRAM的特性決定,DRAM能存儲電荷的時間非常短暫,這樣它需要在電荷消失之前進(jìn)行刷新,直到下次寫入數(shù)據(jù)或者計算機斷電才停止。每次讀寫操作都要刷新DRAM內(nèi)的電荷,因此DRAM設(shè)計為有規(guī)律的讀取其內(nèi)的內(nèi)容。
在全球的DRAM芯片市場上,韓國三星和海力士,美國的鎂光、英特爾、閃迪,日本的東芝六家廠商,壟斷了全球九成的產(chǎn)量。其中僅三星、海力士、東芝三家,就占了八成的份額。DRAM芯片作為存儲芯片市場的主力,近年來,隨著存儲價格的走低,對整個市場影響很大,不管是上游制造商還是分銷商、客戶等,市場走低勢必影響投入,而紫光本次的加大投入也預(yù)示著行業(yè)正在回暖,市場前景仍廣闊。
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