全球領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)代工廠X-FAB Silicon Foundries繼續(xù)開發(fā)突破性的工藝方案以解決富有挑戰(zhàn)性的設(shè)計(jì)，現(xiàn)宣布推出雪崩光電二極管（APD）和單光子雪崩二極管（SPAD) 器件，用于滿足在微弱光源條件下所需的靈敏度，以及嚴(yán)格的時(shí)間分辨率。

　　基于該公司廣受歡迎的180nm高壓XH018工藝，這些功能塊提供了高性能參數(shù)和直接集成的組合。APD具有良好的線性增益特性，并且完全可擴(kuò)展從僅僅10到幾百微米的尺寸。 使用X-FAB專有抑制電路（quenching circuit) ，SPAD的死區(qū)時(shí)間少于15ns，因而能夠支持高帶寬設(shè)計(jì)。此外，其較低的暗計(jì)數(shù)率(dark count rate: <100counts/s/?m?）意味著它對(duì)熱噪聲的敏感性要低得多。 SPAD的高光子探測(cè)率（PDP）確保了更高比例的入射光子觸發(fā)雪崩，并且此高比例能夠在很寬的波長(zhǎng)范圍內(nèi)保持（例如在400nm處為40％）。

　　X-FAB 的APD和SPAD可用于廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，其中包括接近感應(yīng)、激光雷達(dá)（LiDAR）、飛行時(shí)間（ToF）、醫(yī)學(xué)成像（CT和PET）和科學(xué)研究。由于它們符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，因而同樣適用于汽車系統(tǒng)中應(yīng)用。此外，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)的低擊穿電壓（<20V）有助于將它們整合到客戶芯片。作為X-FAB設(shè)計(jì)套件的組成部分，它們完整的表征，并可輕松的與XH018工藝中的其他模塊組合。光學(xué)和電學(xué)仿真模型以及特定的應(yīng)用指南可幫助設(shè)計(jì)師在短時(shí)間內(nèi)將這些器件集成到其電路中。除了以功能塊格式提供外，配合SPAD工作的抑制參考電路(quenching circuit)也可提供。