利基型存儲器廠華邦電近日召開股東會，總經(jīng)理詹東義表示，今年希望對主要客戶的滲透率持續(xù)成長，自行開發(fā)的20納米制程DRAM技術(shù)將于明年底到位，未來將在高雄新廠投產(chǎn)。

　　現(xiàn)階段全球具備自行開發(fā)DRAM制程技術(shù)者，僅有三星、SK海力士與美光。詹東義說，華邦電是全球第四家擁有DRAM技術(shù)的公司，專攻高品質(zhì)的中低容量產(chǎn)品，目前DRAM市占率僅0.7%，成長空間大。

　　華邦電董事長焦佑鈞指出，去年多項(xiàng)營運(yùn)數(shù)字創(chuàng)新高，但今年以來市場需求因中美貿(mào)易戰(zhàn)等因素放緩，但有AI及5G等新技術(shù)創(chuàng)造的新應(yīng)用需求，對未來市場長期需求看好。

　　焦佑鈞認(rèn)為，存儲器供不應(yīng)求時期已結(jié)束，今年是萎縮的一年，去年第4季到今年第1季的市況確實(shí)差，下半年應(yīng)會比上半年好。以稼動率來看，今年第1季低于80%，目前已回升到約85%水準(zhǔn)。

　　詹東義說，以出貨顆粒總數(shù)來計(jì)算，對華邦電來說，最壞的情況已過，雖然隨著市況，平均銷售單價仍下滑，但會持續(xù)穩(wěn)固市占率。

　　華為近期遭美國政府抵制，詹東義強(qiáng)調(diào)，華邦電有很多客戶，華為遭抵制，消費(fèi)者可能轉(zhuǎn)向采購其他廠牌產(chǎn)品，若這些廠牌也是華邦電客戶，等于需求不變，對華邦電影響不大。