《電子技術(shù)應(yīng)用》
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內(nèi)存閃存價(jià)格齊跌,新一代存儲(chǔ)芯片或?qū)⒂型M(jìn)入市場

2019-06-03
關(guān)鍵詞: 內(nèi)存 閃存 芯片

  經(jīng)過前幾年電腦的內(nèi)存閃存的價(jià)格高企后,現(xiàn)在倒是跌到了白菜價(jià),16GB內(nèi)存現(xiàn)在也只要600多塊,而SSD硬盤1TB容量的也只要700多塊了,同樣地M.2版也只貴一點(diǎn)。

   面對內(nèi)存閃存價(jià)格齊跌,但是這兩種存儲(chǔ)芯片也同樣面臨著制程微縮的難題,提升性能、降低成本之·也會(huì)越來越艱難,為此Intel、三星、美光等廠商也在尋求開發(fā)新一代存儲(chǔ)芯片解決方案,比如3D XPoint、MRAM磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、PRAM相變內(nèi)存及RRAM可變電阻內(nèi)存等。

  上述新一代存儲(chǔ)芯片優(yōu)勢很多,它們既是非易失性的,不像DRAM內(nèi)存那樣斷電就不能保存數(shù)據(jù),而且性能也要比NAND閃存快得多,簡單來說就是模糊了RAM、ROM的界限,試想一下電腦重啟之后原來打開的網(wǎng)頁、播放的視頻還在是多?神奇的一件事,新一代存儲(chǔ)芯片就有這樣的效果。

  不過這些芯片理論上性能動(dòng)輒是內(nèi)存、閃存的10倍、100倍甚至1000倍,但是目前的問題在于不論MRAM還是PRAM,它們現(xiàn)在的容量都很小,而且制造工藝也非標(biāo)準(zhǔn)化的,所以取代內(nèi)存閃存的過程是漫長的。

  目前做的比較的好也就是Intel的Optane傲騰內(nèi)存,傲騰DC可持續(xù)內(nèi)存單條容量目前提供128GB、256GB、512GB,插槽兼容DDR4,最大功耗18W,頻率最高等同于DDR4-2666,讀取帶寬最高6.8GB/s,寫入帶寬最高2.3GB/s。

  由于新一代存儲(chǔ)器尚δ規(guī)?;c標(biāo)準(zhǔn)化,因此成本較高,所以廠商目前幾乎都鎖定在數(shù)據(jù)中心等特殊應(yīng)用,尤其是超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心擁有相對高程度的定制化設(shè)計(jì),可以針對不同存儲(chǔ)器規(guī)劃新的配置。此外,有觀點(diǎn)認(rèn)為目前內(nèi)存、閃存價(jià)格下滑,并不是新一代存儲(chǔ)芯片進(jìn)入市場的機(jī)會(huì),他們預(yù)計(jì)明年內(nèi)存、閃存價(jià)格就會(huì)止跌反彈,這個(gè)時(shí)候也是新一代存儲(chǔ)芯片進(jìn)入市場的好機(jī)會(huì)。

  所以2019年是購買內(nèi)存和閃存最劃算的一年,同時(shí)這也能刺激PC市場的裝機(jī)量和升級需求。如果到了明年價(jià)格反彈,倒不如考慮等待下一代儲(chǔ)存芯片不失為一個(gè)好選擇。


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