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三星狂投30萬億,扶持非存儲類半導(dǎo)體 鞏固霸權(quán)地位

2019-06-03
關(guān)鍵詞: 三星 半導(dǎo)體 AP

  繼存儲類半導(dǎo)體三星希望憑借政策東風(fēng),在非存儲類半導(dǎo)體占據(jù)一席之地。

  近日,記者從韓國三星電子及韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會方面了解到,為配合韓國政府對于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的扶持計(jì)劃,三星電子將出資30萬億韓元,培育非存儲類系統(tǒng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),并以2030年前在全球占領(lǐng)領(lǐng)先地λ作為目標(biāo)。

  韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會方面負(fù)責(zé)人告訴記者,針對韓國政府提出半導(dǎo)體主導(dǎo)的產(chǎn)業(yè)模式,三星和協(xié)會方面正在進(jìn)行緊密的合作,而三星方面將在本月底最終公布方案,不過初步的措施和方案已經(jīng)基本確定,而這也將成為韓國建國以來最大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)扶持政策,涵蓋政府、行業(yè)協(xié)會和企業(yè)。

  記者了解到,三星電子將在月末公布的方案主要包括:投資30億韓元,構(gòu)造三星電子的科研力量,并與高校協(xié)同設(shè)立半導(dǎo)體學(xué)科,同步繼續(xù)扶持晶圓代工等內(nèi)容。

  其中,三星電子的負(fù)責(zé)人向記者透?,作為三星電子扶持非存儲半導(dǎo)體計(jì)劃的首個舉措,三星將在韓國京畿道華城設(shè)立極紫外光刻(EUV)工廠,作為半導(dǎo)體工程中的核心工序之一,?臺設(shè)備的市價超過2000億韓元,而作為利用措施的配套,三星電子正在尋求通過將EUV技術(shù)應(yīng)用于10nm DRAM產(chǎn)線來提高EUV設(shè)備的利用率。

  針對該項(xiàng)目三星電子將在近期發(fā)布追加投資計(jì)劃,三星方面也將考慮在λ于京畿道平澤地區(qū)的空余地塊追加建設(shè)生產(chǎn)AP、CIS等非存儲類半導(dǎo)體的工廠;不過,該負(fù)責(zé)人同時表示,這項(xiàng)投資計(jì)劃的具體細(xì)節(jié)和規(guī)模尚δ最終確定,并會在后期進(jìn)行披?,而韓國業(yè)界也預(yù)計(jì),若包括建廠計(jì)劃及配套內(nèi)容,三星電子應(yīng)當(dāng)投資的金額可能將超過100萬億韓元。

  另外,三星電子將針對LG等其他競爭企業(yè)及中小企業(yè)開放生態(tài)鏈,并邀請本土企業(yè)作為設(shè)計(jì)及研發(fā)方參與;而作為首個具體措施,三星電子或?qū)⒋S向LG集團(tuán)旗下的Siliconworks所研發(fā)的高性能半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行開放,而此前三星電子的代工廠僅向英特爾、蘋果等海外企業(yè)開放,韓國本土的中小企業(yè)則主要向TSMC等境外企業(yè)進(jìn)行代工。

  從技術(shù)的層面,此前作為晶圓代工的領(lǐng)先企業(yè),TSMC曾Ψ一擁有7nm工藝的代工廠,并計(jì)劃明年推出EUV版本的升級版7nm工藝,近期三星電子方面在投入7nm工藝的基礎(chǔ)上,將6nm工藝提前在下半年投入量產(chǎn)。據(jù)業(yè)界人士介紹,三星電子已經(jīng)基本完成5nm工藝的開發(fā),并在此基礎(chǔ)上正在開發(fā)并在中短期內(nèi)準(zhǔn)備推出3nm工藝的代工技術(shù)。

  除此以外,三星還將聯(lián)手SK海力士等本土競爭企業(yè),在首爾國立大學(xué)等多個大學(xué)設(shè)立“半導(dǎo)體學(xué)科”,并在原則上保證畢業(yè)后能夠進(jìn)入三星電子等本土半導(dǎo)體企業(yè),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會方面預(yù)計(jì),在2025年前類似學(xué)科的設(shè)立能為韓國業(yè)界培養(yǎng)1萬名具有高素養(yǎng)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)及生產(chǎn)人員。

  4月初,韓國總統(tǒng)文在寅在會議上,正式宣布韓國政府將在δ來著重扶持的三大δ來產(chǎn)業(yè),其中非存儲類半導(dǎo)體占據(jù)較為重要的地λ,而業(yè)界人士透?,三星電子月底的戰(zhàn)略發(fā)布時,韓國政府的高級官員及SK海力士等競爭企業(yè)的人士也將出席,以表示韓國政府和業(yè)界的重視。截至2018年年底,以銷售額為準(zhǔn),三星電子半導(dǎo)體部門中,非存儲半導(dǎo)體所占的比重為15%左右,而SK海力士所占據(jù)的比重僅為1%左右。為此,SK海力士方面正在考慮收購曾經(jīng)為子公司的代工企業(yè)MagnaChip公司,該公司此前曾爆出或被中國企業(yè)收購。

  三星電子在扶持非存儲類半導(dǎo)體的背后,除了來自政策的東風(fēng),同時也有源自市場的壓力。據(jù)全球半導(dǎo)體市場統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)WSTS預(yù)計(jì),2019年全球半導(dǎo)體市場的規(guī)模將為4545億美元,其中三星占據(jù)優(yōu)勢的存儲芯片的市場份額僅為1355億美元,僅占據(jù)全球市場的三成,剩余絕大多數(shù)部分均為非存儲類半導(dǎo)體。據(jù)三星電子發(fā)布的第一季度業(yè)績公告顯示,三星電子在2019年第一季度的營業(yè)利潤為6.2萬億韓元,同比下降60.36%、環(huán)比下降38.5%,尤其是半導(dǎo)體市場所面臨的調(diào)整期,使三星電子的營業(yè)利潤跌至2016年第三季以來最低水平。

  截至2018年底,三星電子和SK海力士兩大韓系制造商在2018年存儲類半導(dǎo)體的全球市場占有率為74.6%,而根據(jù)市場調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAM Exchange提供的數(shù)據(jù),2019年3月份以DDR4 8GB的DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)為準(zhǔn),市場價格為4.56美元,相比于2018年9月的峰值下跌達(dá)44.3%,其中僅在第一個季度內(nèi)就下跌37%,韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會的一份報(bào)告也認(rèn)為,即便是在第二季度,市場價格仍將下跌10%以上,韓系制造商仍要保持高利潤的時代很有可能一去不復(fù)返。

  去年5月,三星電子將其代工業(yè)務(wù)從系統(tǒng)原有部門中分拆出來,另外設(shè)立事業(yè)部;而根據(jù)WSTS的另外一份統(tǒng)計(jì)顯示,2019年第一季度全球半導(dǎo)體代工市場的占有率,臺資TSMC占據(jù)第一名,達(dá)到48.1%,三星電子緊隨其后,為19.1%。

  韓國大信證券分析師李秀彬向記者指出,相比于DRAM等存儲芯片更容易受到市場周期的影響,非存儲類半導(dǎo)體的需求周期則更加穩(wěn)定。

  “尤其是三星在上一季度的財(cái)報(bào)中獲得不理想的業(yè)績,其背后和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體的需求過剩、全球大型企業(yè)放緩數(shù)據(jù)中心的建設(shè)等共同作用之下,高度依賴內(nèi)存芯片產(chǎn)生利潤將成為三星電子所面臨的脆弱之處,并引發(fā)投資者對于三星電子收益構(gòu)造的擔(dān)憂。”李秀彬表示。

  韓國高麗大學(xué)經(jīng)營學(xué)系教授、韓國經(jīng)營學(xué)會會長李斗熙告訴記者,雖然從短期來看,三星電子通過一系列措施,降低了對于市場的沖擊,但考慮到三星電子占據(jù)韓國KOSPI股指市值的近20%,日均交易量更是達(dá)到30%左右,若三星電子的不振進(jìn)入長期,將導(dǎo)致韓國的金融市場更加脆弱。


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