近日，《北京市2019年重點(diǎn)工程計(jì)劃》公布，其中高精尖產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目有100項(xiàng)，包含先進(jìn)制造業(yè)29項(xiàng)。

　　先進(jìn)制造業(yè)續(xù)建類項(xiàng)目包括燕東微電子8英寸集成電路研發(fā)產(chǎn)業(yè)化及封測平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目、中芯北方12英寸集成電路生產(chǎn)線等。

　　燕東微電子8英寸集成電路研發(fā)產(chǎn)業(yè)化及封測平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目

　　燕東微電子8英寸集成電路研發(fā)產(chǎn)業(yè)化及封測平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目是北京首條大規(guī)模量產(chǎn)8英寸線項(xiàng)目，建成后將作為8英寸芯片研發(fā)、制造、封裝為一體的綜合芯片生產(chǎn)廠區(qū)。其中，芯片生產(chǎn)廠房包含一條月產(chǎn)5萬片（25次光刻）0.25um-0.09um（典型工藝為0.11um)、BCD兼容工藝的8英寸芯片生產(chǎn)線。此外，該項(xiàng)目擬生產(chǎn)產(chǎn)品還包括顯示驅(qū)動(dòng)電路、功率器件、封測產(chǎn)品等。

　　該項(xiàng)目建設(shè)規(guī)模約11萬平方米，總投資達(dá)48億元。該項(xiàng)目于2016年9月27日正式啟動(dòng)，2018年4月15日進(jìn)行了上梁儀式，2018年6月29日進(jìn)行了主廠房封頂。

　　中芯北方12英寸集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目

　　中芯北方12英寸集成電路生產(chǎn)線（一期）工程，建設(shè)規(guī)模約28.6萬平方米，建設(shè)內(nèi)容為兩條45/40納米到32/28納米集成電路生產(chǎn)線，月總產(chǎn)能7萬片12英寸晶圓。

　　屹唐集成電路標(biāo)準(zhǔn)廠房（一期）項(xiàng)目

　　屹唐集成電路標(biāo)準(zhǔn)廠房（一期）項(xiàng)目在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)路東區(qū) B10M1 地塊實(shí)施，建設(shè)12英寸晶圓生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)廠房，以及相應(yīng)的動(dòng)力廠房等，總建筑面積達(dá)19萬平米。為北京市集成電路企業(yè)在圖像傳感器、先進(jìn)存儲(chǔ)器等領(lǐng)域的生產(chǎn)制造提供標(biāo)準(zhǔn)廠房。

　　中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園

　　中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園建設(shè)規(guī)模約22萬平方米，建設(shè)內(nèi)容包括辦公、商業(yè)及配套等。

　　國聯(lián)萬眾第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地項(xiàng)目

　　國聯(lián)萬眾第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地項(xiàng)目，建設(shè)規(guī)模約7.2萬平方米，建設(shè)第三代半導(dǎo)體研發(fā)平臺(tái)及配套等。