6月26日至28日，PCIM亞洲展于上海世博展覽館舉行。三菱電機半導體大中國區(qū)攜多款代表業(yè)界流行趨勢的功率器件產(chǎn)品（IGBT、IPM、DIPIPM、HVIGBT和EV-PM等）及相關(guān)解決方案在展會上亮相。27日下午，三菱電機于上海東錦江希爾頓逸林酒店召開媒體發(fā)布會，三菱電機半導體首席技術(shù)官Dr.Gourab Majumdar在會上分享了三菱電機對功率元器件的理解以及新產(chǎn)品介紹，大中國區(qū)三菱電機半導體總經(jīng)理楠·真一、大中國區(qū)三菱電機半導體技術(shù)總監(jiān)宋高升、大中國區(qū)三菱電機半導體市場總監(jiān)錢宇峰、三菱電機敏捷功率半導體（合肥）有限公司技術(shù)服務中心總監(jiān)商明、大中國區(qū)三菱電機半導體公關(guān)宣傳主管閔麗豪出席發(fā)布會并解答媒體提問。
需求為導向，攜多款新產(chǎn)品亮相PCIM亞洲展
一直以來，三菱電機以改善生產(chǎn)效率、提高品質(zhì)產(chǎn)品以及滿足環(huán)境發(fā)展需要為目標，在自動化領域不斷進行研發(fā)生產(chǎn)，以精雕細琢的產(chǎn)品匹配中國工業(yè)自動化轉(zhuǎn)型升級的發(fā)展需求。
在本次PCIM亞洲展上，三菱電機半導體大中國區(qū)共展出19款代表業(yè)界流行趨勢的功率器件產(chǎn)品，產(chǎn)品應用覆蓋變頻家電、工業(yè)、新能源、軌道牽引、電動汽車五大領域。根據(jù)不同的市場需求，三菱電機在本次展會上展出了包括表面貼裝型IPM、新封裝大功率IGBT模塊等多款最新產(chǎn)品。
27日下午的媒體發(fā)布會上，三菱電機半導體首席技術(shù)官Dr.Gourab Majumdar對幾款新發(fā)布產(chǎn)品進行了詳盡介紹，同時也向媒體分享了三菱電機對功率元器件的理解。
?。ㄈ怆姍C半導體首席技術(shù)官Dr.Gourab Majumdar）
表面貼裝型IPM適用于家用變頻空調(diào)風扇、變頻冰箱、變頻洗碗機等電機驅(qū)動系統(tǒng)，具有三大特性：第一，通過表面貼裝，使系統(tǒng)安裝變得更容易；第二，該產(chǎn)品通過內(nèi)置控制IC以及最佳的引腳布局，在實現(xiàn)系統(tǒng)的小型化并使基板布線簡化方面具有積極意義；第三，通過內(nèi)置保護功能，該產(chǎn)品可以幫助提高系統(tǒng)的設計自由度。
表面貼裝型IPM作為一種智能功率模塊，成為三菱電機的主推產(chǎn)品?！跋乱徊?，我們需要考慮的是如何將更多的元器件集成到IPM模塊中去，讓客戶使用更方便?！盌r.Gourab Majumdar說。據(jù)介紹，該產(chǎn)品計劃于9月1號正式發(fā)售。
三菱電機集團整體業(yè)務中，工業(yè)自動化和能源與電力系統(tǒng)兩個板塊在2017年市場銷售額中占比和超過50%。功率元器件隸屬于三菱電機電子元器件事業(yè)部，占比不大，但卻是支撐集團旗下產(chǎn)品的其中一個重要的核心部件。功率元器件行業(yè)的核心正是IGBT芯片。
Dr.Gourab Majumdar表示，今年功率元器件行業(yè)內(nèi)的應用主要是第七代IGBT和第七代二極管。目前，三菱電機在功率元器件行業(yè)的量產(chǎn)供應也以第七代IGBT芯片為主。同時，針對不同的市場應用，三菱電機也有了新的封裝標準。
在工業(yè)應用方面，三菱電機第七代IGBT首次采用SLC封裝技術(shù)，使得模塊的應用壽命大幅延長；在新能源發(fā)電特別是風力發(fā)電領域，今年推出基于LV100封裝的新型IGBT模塊，有利于提升風電變流器的功率密度和性能價格比；在軌道牽引應用領域，三菱電機推出X系列，用標準的封裝進行芯片的升級?！巴瑯拥男酒覀冇眯碌姆庋bHV100，封裝不一樣，芯片的特性會更好一些，尺寸更小一點，電流密度更高，今后利用這個標準封裝，這個也是想做行業(yè)一個新的標準?！盌r.Gourab Majumdar說，在電動汽車領域，J1系列Pin-fin模塊具有封裝小、內(nèi)部雜散電感低的特性。
據(jù)三菱電機預測，2020-2022年，功率元器件行業(yè)將呈現(xiàn)出大幅增長態(tài)勢。為積極應對這一變化，三菱電機表示，計劃于2022年左右投資功率元器件12英寸產(chǎn)線（目前量產(chǎn)以8英寸為主的IGBT芯片）?，F(xiàn)階段，三菱電機功率器件產(chǎn)品仍以單晶硅功率器件產(chǎn)品為主。對于今后市場拓展，三菱電機將更多的目光投向碳化硅產(chǎn)品。
聚焦行業(yè)趨勢，推動碳化硅技術(shù)發(fā)展
作為下一代功率半導體的核心技術(shù)方向，SiC（碳化硅）與傳統(tǒng)IGBT模塊相比，最主要優(yōu)勢是開關(guān)損耗大幅減小。三菱電機早在1994年就著手開展對這一技術(shù)的研究，彈指一揮間，24年過去，三菱電機現(xiàn)已成功研發(fā)出第一代和第二代碳化硅芯片，并實現(xiàn)量產(chǎn)。此外，Dr.Gourab Majumdar表示，“三菱電機正在努力向第三代轉(zhuǎn)化?！?/p>
為何三菱電機執(zhí)著于對SiC技術(shù)的研發(fā)與產(chǎn)品儲備？Dr.Gourab Majumdar作出技術(shù)性解讀，和單晶硅相比，碳化硅具有耐高溫（單晶硅最高耐溫170℃，而碳化硅可承受200℃）、低功耗（和單晶硅相比，能耗降低70%）、高可靠性應用等優(yōu)點。而作為一款本身具有節(jié)能功能的功率元器件，碳化硅自然更有優(yōu)勢，并且可以開拓新市場。據(jù)介紹，三菱電機的6英寸碳化硅產(chǎn)線設在日本九州島熊本，計劃于2019年實現(xiàn)量產(chǎn)。
目前，基于碳化硅功率器件逆變設備的應用領域正在不斷擴大。盡管受制于成本因素，碳化硅功率器件市場滲透率很低，但隨著技術(shù)進步，碳化硅成本將快速下降，未來將成為功率半導體市場主流產(chǎn)品。
對于碳化硅功率器件的應用前景，Dr.Gourab Majumdar坦言，“目前，市場正處于從單晶硅轉(zhuǎn)換到碳化硅的轉(zhuǎn)換期，我們非常期待這個市場能夠更快成熟，三菱電機也將在這一領域有更多的表現(xiàn)，提供更豐富、更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品給客戶?！?/p>