北京雙儀微電子科技有限公司（雙儀微電子”）將投資10億元在北京市亦莊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)建造目前全國唯一具備規(guī)?；慨a(chǎn)能力的先進(jìn)工藝技術(shù)生產(chǎn)線，進(jìn)行砷化鎵微波集成電路（GaAs MMIC）芯片的代工服務(wù)，預(yù)計于2019年初投產(chǎn)使用。

　　北京商報報導(dǎo)，雙儀微電子公司相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，項目建成后，6英寸GaAs MMIC芯片代工廠將具備每月2萬片產(chǎn)能。

　　自上世紀(jì)90年代中期，GaAs MMIC就成為無線通訊產(chǎn)業(yè)不可或缺的IC元件，并取代了射頻、微波領(lǐng)域里低性能的硅基集成電路。

　　由于砷化鎵器件的工藝制造過程比硅器件困難許多，到目前為止，國內(nèi)仍沒有一家成熟的公司可以生產(chǎn)砷化鎵MMIC芯片，手機(jī)生產(chǎn)廠商所需的砷化鎵MMIC芯片全部依賴進(jìn)口，對我國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和通訊產(chǎn)業(yè)造成了巨大的隱患。

　　該項目的最終目標(biāo)是建設(shè)成為全球名列前茅的微波集成電路（MMIC）供應(yīng)商，滿足國內(nèi)市場對砷化鎵MMIC芯片的迫切需求，扭轉(zhuǎn)國內(nèi)砷化鎵MMIC芯片完全依賴進(jìn)口的不利局面。

　　北京雙儀微電子科技有限公司是一家技術(shù)初創(chuàng)公司，旨在為5G和IoT毫米波市場領(lǐng)域所遇到的挑戰(zhàn)開發(fā)出新的解決方案，提供高性能的射頻元件。

　　雙儀微電子砷化鎵單片微波集成電路研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目將租賃北京燕東微電子科技有限公司的部分廠房和場地進(jìn)行建設(shè)，透過裝修改造建成目前大陸唯一具備規(guī)?；慨a(chǎn)能力的先進(jìn)工藝技術(shù)生產(chǎn)線，進(jìn)行MMIC芯片的代工服務(wù)。

　　如今北京亦莊開發(fā)區(qū)已聚集集成電路上下游企業(yè)近100家，預(yù)計到2020年，開發(fā)區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)可實現(xiàn)年工業(yè)產(chǎn)值500億元，利潤160億元，稅收16億元。