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三星宣布第二代10nm級LPDDR4X DRAM已投入量產(chǎn)

2018-07-28
關(guān)鍵詞: 三星電子 LPDDR4X芯片 DRAM

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近日,三星電子宣布正式開始了全球首款第二代10nm級別LPDDR4X DRAM芯片的量產(chǎn)。


三星號稱和目前廣泛應(yīng)用在當下旗艦手機中的LPDDR4X芯片比起來,第二代產(chǎn)品功耗降低了10%,并且依舊擁有最高4266Mb/s的數(shù)據(jù)傳輸率。


這是繼三星在去年11月三星已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)業(yè)界首顆用于服務(wù)器的10nm級別8Gb DDR4 DRAM芯片后,三星再一次豐富自家10nm級別DRAM產(chǎn)品線。


隨著這款芯片的量產(chǎn),三星同時推出了全新的8GB LPDDR4X DRAM解決方案。新的解決方案包括有4顆這樣的10nm級別16Gb LPDDR4X DRAM芯片(16Gb=2GB),由此組成的4通道DRAM擁有高達34.1GB/s的數(shù)據(jù)傳輸速率,并且厚度比上一代產(chǎn)品還能降低超過20%,讓OEM廠商可以打造更強悍和更輕薄的移動設(shè)備。當然三星后續(xù)還會提供4GB、6GB的衍生版本。


隨著這款芯片投入量產(chǎn),三星位于韓國平澤市的新DRAM生產(chǎn)線也正式啟動,以保證自身產(chǎn)能穩(wěn)定和滿足業(yè)界需求。


“10nm級別DRAM芯片能夠進一步增強將于今年年尾至2019年初發(fā)布的次時代旗艦移動設(shè)備的表現(xiàn),”三星電子存儲銷售與營銷高級副總裁Sewon Chun表示,“我們會繼續(xù)拓展我們高端DRAM產(chǎn)品線以引導(dǎo)‘高性能、高容量與低功耗’存儲市場,且滿足市場需求和強化商業(yè)競爭力?!?/p>


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