日前，據(jù)彭博社報道稱，德克薩斯州聯(lián)邦陪審團日前作出一項裁決，三星電子因侵犯韓國技術(shù)學院(Korea Advanced Institute of Science and Technology，簡稱KAIST)一項專利技術(shù)，為此需向后者支付高達4億美元的賠償。
據(jù)悉，韓國技術(shù)學院曾發(fā)起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(shù)(FinFET)制程工藝相關的專利技術(shù)。三星起初對韓國技術(shù)學院的研究不屑一顧，認為該技術(shù)只是一種潮流技術(shù)。但在其對手——英特爾公司開始向這項技術(shù)的發(fā)明者取得許可授權(quán)時，圍繞三星是否侵權(quán)的力量博弈發(fā)生了改變。隨著芯片產(chǎn)品制程的縮小，鰭片晶體管技術(shù)能夠提高芯片性能，同時降低芯片功耗。
作為全球最大的芯片制造商，三星向陪審團表示，它與韓國技術(shù)學院合作開發(fā)了這項技術(shù)，并否認侵犯了相關專利技術(shù)。三星還對這項專利的有效性提出了質(zhì)疑。
三星的這一侵權(quán)行為被裁定為“故意為之”，或“有意為之”，這意味著法官可以將三星所需支付的賠償金額增加到陪審團規(guī)定的三倍。
這項技術(shù)被認為是生產(chǎn)智能手機處理器的關鍵。GlobalFoundries和三星利用了這一技術(shù)來制造芯片。而作為最大的手機芯片制造商，高通則是兩家公司的客戶。上述公司對此判決提出了聯(lián)合辯護。
這一事件標志著韓國頂級研究型科學與工程機構(gòu)——韓國技術(shù)學院與三星這家對該國經(jīng)濟至關重要的公司之間展開的沖突。雙方律師均拒絕對判決發(fā)表評論。
不止三星，高通、格芯也是被告
南韓科學技術(shù)院（KAIST）專利管理子公司KAIST IP 于2016年11 月30 日向德州聯(lián)邦地方法院提起專利侵權(quán)訴訟，控告三星電子、高通（Qualcomm）和格芯（GlobalFoundries）擅自盜用其所擁有的「FinFET」技術(shù)專利，要求支付專利使用費。
KAIST IP 指出，「長期以來持續(xù)和三星就支付使用費一事進行協(xié)商，不過三星全面拒絕，導致協(xié)商破裂。且除了三星、高通和格羅方格之外，今后也計劃對臺灣臺積電、蘋果（Apple ）提告」。
KAIST旗下智財權(quán)管理機構(gòu)KAIST IP美國分公司表示，最初三星對有關FinFet技術(shù)的研究不屑一顧，認為這只是種短暫流行的趨勢。但在英特爾（intel）開始授權(quán)相關技術(shù)專利并投入開發(fā)產(chǎn)品后，三星的態(tài)度丕變。
按照KAIST的說法，三星是在邀請FinFET技術(shù)開發(fā)者、首爾大學教授李鐘浩(Lee Jong-ho)向公司工程師展示FinFET技術(shù)原理時盜取了這項技術(shù)。李鐘浩是KAIST合伙人之一。
“三星在分文未花的情況下盜取了李鐘浩的發(fā)明，從而削減了開發(fā)時間和成本。隨后，三星在沒有取得授權(quán)或支付適當賠償金的情況下繼續(xù)使用李鐘浩的發(fā)明，”KAIST稱。
KAIST IP還表示，三星、格羅方格、臺積電使用FinFET 技術(shù)生產(chǎn)、販售手機芯片，但卻不支付使用費。三星、格羅方格供應芯片給高通，臺積電則幫蘋果生產(chǎn)iPhone 用芯片。
被告專利信息
南韓專利智財管理公司KAIST IP US是KAIST IP在美國設立之子公司，該公司隸屬于韓國科學技術(shù)研究院（KAIST）是為促進所開發(fā)的知識產(chǎn)權(quán)和技術(shù)而成立。KAIST成立于1971年由南韓政府設立，是韓國第一個研究型科學與工程機構(gòu)，目前擁有超過9000名學生和1100名教授研究員，在全球擁有超過3,300項注冊專利。同時，KAIST是南韓的研究型大學，與首爾國立大學、高麗大學、延世大學和成均館大學，并列為南韓前五大大學。
本案系爭專利US6885055 (Double-gate FinFET device and fabricating method thereof)，有關于鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術(shù)。原專利權(quán)人Lee Jong-Ho是首爾國立大學電子工程系教授，后于2016.07.20將專利權(quán)轉(zhuǎn)移給KAIST IP CO., LTD，后又于2016.08.10轉(zhuǎn)給旗下美國子公司KAIST IP US LLC ，以便在美國法院主張專利權(quán)進行訴訟。
公開號US6885055 B2
申請書編號US 10/358,981
發(fā)布日期2005年4月26日
申請日期2003年2月4日
優(yōu)先權(quán)日期2003年2月4日
其他公開專利號US20040150029
發(fā)明人Jong-ho Lee (李鐘浩)
原專利權(quán)人Lee Jong-Ho
目前專利權(quán)人KAIST IP US LLC
近幾年來，半導體最熱門的討論就是「FinFET」技術(shù)，被認為是目前高性能手機中重要的核心技術(shù)之一，且已被多家廠商采用，例如：iPhone 6s內(nèi)新一代A9應用處理器采用新晶體管架構(gòu)很可能為鰭式晶體管（FinFET），還有三星電子Galaxy系列在內(nèi)的10多款手機都使用了FinFET。代表FinFET開始全面攻占手機處理器、三星與臺積電較勁，將10納米FinFET正式納入開發(fā)藍圖、聯(lián)電攜ARM完成14納米FinFET制程測試。
更先進3D FinFET由美國加州大學伯克萊分校胡正明、Tsu-Jae King-Liu、Jeffrey Bokor等三位教授發(fā)明了「鰭式場效晶體管（Fin Field Effect Transistor，F(xiàn)inFET）」，把原本2D構(gòu)造的MOSFET改為3D的FinFET，因為構(gòu)造很像魚鰭，因此稱為「鰭式（Fin）」。
值得一提的是，這個技術(shù)的發(fā)明人胡正明教授，就是梁孟松的博士論文指導教授，換句話說，梁孟松是這個技術(shù)的核心人物之一，臺積電沒有重用梁孟松來研發(fā)這個技術(shù)，致使他跳糟到三星電子，讓三星電子的FinFET制程技術(shù)在短短數(shù)年間突飛猛進趕上臺灣，這才是臺灣半導體晶圓代工產(chǎn)業(yè)最大的危機。
KAIST IP聲稱，其FinFET專利技術(shù)已獲英特爾(Intel)采用，該技術(shù)發(fā)明人李鐘浩說：三星曾與他討論過該FinFET技術(shù)，之后就盜用該技術(shù)。所以主張，三星及格羅方德侵犯該公司的「FinFET」專利技術(shù)，之后三星、格羅方格以14納米FinFET制程技術(shù)供應芯片給高通，因此高通成為被告。
臺積電則以16納米FinFET制程幫蘋果生產(chǎn)iPhone用芯片。據(jù)韓媒報導，KAIST已經(jīng)計畫在搜集證據(jù)后，準備向臺積電提起訴訟。臺積電內(nèi)部認為，三大半導體都拒絕支付專利費用給KAIST，顯見三家半導體廠都具備自主研發(fā)的FinFET技術(shù)。