SEMI（國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）近日公布「全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告」（World Fab Forecast）最新內(nèi)容指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)即將連續(xù)3 年創(chuàng)下設(shè)備支出新高紀(jì)錄，預(yù)料2018 年與2019 年將分別（較前一年）成長(zhǎng)14% 和9%，寫(xiě)下連續(xù)4 年成長(zhǎng)的歷史紀(jì)錄。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)立71 年以來(lái)，只有在1990 年代中期曾出現(xiàn)設(shè)備支出連續(xù)4 年成長(zhǎng)的盛況。

如上圖所示，三星（Samsung）稱(chēng)霸全球的支出金額，中國(guó)領(lǐng)先全球的增長(zhǎng)幅度，南韓與中國(guó)將引領(lǐng)這波成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。SEMI 臺(tái)灣區(qū)總裁曹世綸表示，「臺(tái)灣半導(dǎo)體設(shè)備支出金額在缺乏記憶體新廠的暴發(fā)式投資下，成長(zhǎng)幅度雖不及南韓及中國(guó)，但臺(tái)灣晶圓代工廠商在先進(jìn)制程及產(chǎn)能的持續(xù)投資下，未來(lái)整體支出仍將呈現(xiàn)穩(wěn)健成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)；加上臺(tái)灣過(guò)去多年累積的投資，也使得我們成為全球半導(dǎo)體先進(jìn)制程及量產(chǎn)的重鎮(zhèn)，我們?nèi)詷?lè)觀看待臺(tái)灣未來(lái)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。」

2018 年，三星的設(shè)備支出金額預(yù)期將減少，但該公司仍占南韓所有設(shè)備投資金額的70%。同時(shí)，SK 海力士（SK Hynix）則是增加在南韓的設(shè)備投資。

2018 年中國(guó)設(shè)備支出預(yù)期將增加65%，2019 年將再成長(zhǎng)57%，但值得注意的是，2018 和2019 年年中國(guó)投資金額當(dāng)中分別有58% 和56% 都是來(lái)自外資公司，例如英特爾（ Intel）、SK 海力士、臺(tái)積電、三星和格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）。在政府計(jì)畫(huà)的支持下，中國(guó)本土業(yè)者正在興建數(shù)量可觀的新晶圓廠，2018 年陸續(xù)開(kāi)始設(shè)備裝機(jī)。2019 年這些公司的設(shè)備投資可望翻倍。

其他地區(qū)的投資金額也節(jié)節(jié)高升。2018 年日本投資金額增加60%，增加幅度最高的包括東芝、Sony、瑞薩（Renesas）和美光（Micron）。

2018 年歐洲和地中海地區(qū)投資金額將增加12%，貢獻(xiàn)最大的業(yè)者包括英特爾、格羅方德和意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）。

2018 年?yáng)|南亞地區(qū)投資金額將成長(zhǎng)超過(guò)30%，不過(guò)受限于市場(chǎng)規(guī)模，整體支出也同比例地低于其他地區(qū)。貢獻(xiàn)最大的業(yè)者包括美光、英飛凌（Infineon）和格羅方德，但歐司朗（OSRAM）和奧地利微電子（ams）等公司也持續(xù)增加投資金額。