身為中國半導(dǎo)體“國家隊(duì)”的中芯國際，在前臺(tái)積電、三星首席技術(shù)官梁孟松出任聯(lián)席 CEO 后，提出 2019 年要量產(chǎn) 14 納米 FinFET 的時(shí)程表，然供應(yīng)鏈透露，10 納米也計(jì)劃力拼在同年推出，以此來看，看似低調(diào)的中芯，其實(shí)早已開始密謀規(guī)劃在 2019 年連續(xù)發(fā)射 14 / 10 納米兩枚高端技術(shù)的巨型飛彈，要把與臺(tái)積電、三星之間的工藝距離縮短至 1~1.5 個(gè)世代，屆時(shí)，禁錮多年的國內(nèi)高端技術(shù)將全面破繭而出。

　　ASML 光刻機(jī)到位，象征國內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)入全新階段

　　近期中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個(gè)非比尋常的突破，來自于中芯國際、紫光集團(tuán)長江存儲(chǔ)、華虹集團(tuán)華力微電子均獲得荷蘭設(shè)備大廠 ASML 光刻機(jī)支援，這三家大廠分屬于 14/10 納米技術(shù)、3D NAND 技術(shù)，以及主攻 28 納米開發(fā)，同步獲得高端光刻機(jī)，是國內(nèi)半導(dǎo)體攜手挺進(jìn)高端技術(shù)的一大步。

　　中芯國際預(yù)定了一臺(tái) ASML 極紫外光光刻機(jī)，價(jià)格 1.2 億美元，預(yù)定 2019 年交貨，這是有史以來中芯進(jìn)口最高端的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)設(shè)備，可見在高端工藝技術(shù)上的決心，或許將展現(xiàn)“國家隊(duì)”實(shí)力。

　　回顧中國半導(dǎo)體過去 18 年的發(fā)展歷程，之所以未能有更具體的突破，且持續(xù)在中、低端制程工藝徘徊，缺乏關(guān)鍵人才絕對是主因之一。但事隔 18 年，在大基金的政策主導(dǎo)下，再度引領(lǐng)中國半導(dǎo)體重新啟航，在尋找“名帥”、聚集“良將”的政策下，找來前臺(tái)積電、三星技術(shù)掌舵者梁孟松主導(dǎo)中芯的高端技術(shù)開發(fā)。

　　梁孟松要挑戰(zhàn)不可能任務(wù)，快速追趕臺(tái)積電

　　中芯國際對外公布，28 納米 HKMG 制程也會(huì)于 2018 年底問世，而 2019 年 14 納米 FinFET 技術(shù)將正式量產(chǎn)，這代表梁孟松將以不到兩年的時(shí)間，追上 14 納米技術(shù)。

　　中芯只有對外公布 14 納米 FinFET 技術(shù)將在 2019 年量產(chǎn)，并未提到 10 納米工藝技術(shù)問世的時(shí)間點(diǎn)。

　　然而，供應(yīng)鏈透露，梁孟松不單計(jì)劃在 2019 年量產(chǎn) 14 納米 FinFET，更秘密規(guī)劃在 2019 年同步推出 10 納米 FinFET 工藝，這種同一年推出兩個(gè)極高端工藝的進(jìn)度，在其他半導(dǎo)體大廠眼中，堪比“不可能任務(wù)”，但梁孟松要讓所有人看到，他要將巨大的“不可能”，化為實(shí)質(zhì)的技術(shù)成果。

　　今年，臺(tái)積電、三星要進(jìn)入全新一輪的 7 納米 FinFET 技術(shù)爭奪戰(zhàn)，明年，這兩家半導(dǎo)體龍頭要比拼的是第二代 7 納米 FinFET 技術(shù)，全數(shù)導(dǎo)入 ASML 的 EUV 機(jī)臺(tái)做量產(chǎn)。

　　如果中芯 2019 年真的能把 10 納米 FinFET 工藝推出，其與臺(tái)積電、三星之間的技術(shù)差距，將從過去差距高達(dá)三個(gè)技術(shù)世代，大幅縮短至距離 1.5~1 個(gè)世代，這其中有另一層重要的含義——代表梁孟松只用了兩年的時(shí)間，讓“彎道超車”從口號(hào)成為事實(shí)。

　　梁孟松在 2017 年 10 月正式加入中芯國際，擔(dān)任聯(lián)席 CEO 職位，在此之前，他離開韓國三星，加入中芯國際的傳言早已是滿天飛。

　　梁孟松進(jìn)入中芯國際后，在內(nèi)部進(jìn)行研發(fā)部門體質(zhì)大改造，落實(shí)“絕對精兵政策”，不單是一般半導(dǎo)體企業(yè)淘汰最后 3~5% 員工這么簡單，他是大刀闊斧地將技術(shù)研發(fā)（Technology Developement）部門換血率大幅提高，傳該部門離職率高達(dá) 40%，主管職等的換血率更超過 50%，然對外，他則是非常低調(diào)，除了在中芯分析師電話會(huì)議上曾短暫發(fā)表言論外，對外一律是現(xiàn)“聲”不現(xiàn)“身”。

　　在他加入前，中芯國際在高端技術(shù)一直苦于無法突破，單是 28 納米工藝就卡關(guān)多年。中芯曾在 2015 年宣布 28 納米 PolySion 工藝量產(chǎn)并成功使用在高通驍龍 410 處理器上，但實(shí)際使用量并不多，多年來中芯 28 納米占營收的比重一直停留在個(gè)位數(shù)，且真正高端的 28 納米 HKMG 技術(shù)也遲遲無法突破。

　　中芯國際 2019 年 14 納米 FinFET 技術(shù)量產(chǎn)后，距離上一代的 28 納米 PolySion 工藝技術(shù)，整整隔了四年之久。但中芯若在 2019 年讓 14 納米、10 納米技術(shù)二連發(fā)，那可真的一雪之前技術(shù)裹足不前之恨，而中芯的突破，就是中國半導(dǎo)體制程技術(shù)破繭而出的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折。

　　中國半導(dǎo)體發(fā)展下半場，誰是最終的馭勢者？

　　眼前的中芯國際高端工藝技術(shù)即將以“彎道超車”之姿，把過去中國半導(dǎo)體走了 18 年坎坷的未竟之功，在 2~3 年內(nèi)快速趕上，達(dá)到比肩國際半導(dǎo)體大廠的目標(biāo)，中芯國際的這些成績，其實(shí)可以預(yù)示中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生變化。

　　變化之中，定有必然之勢，此后，察勢者智，馭勢者贏，失勢者衰。

　　另一家公司，則將中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)過往的“失勢”暴露得淋漓盡致，那就是正在經(jīng)歷“曲折生死劫”中興。事件爆發(fā)的一個(gè)多月以來，無論是自媒體還是《人民日報(bào)》、新華社等權(quán)威媒體，都發(fā)出“不計(jì)成本加大芯片投資”的聲音。

　　所謂“不計(jì)成本”，只是文筆上一種簡潔形象的說法，全局的方向和共識(shí)總是容易達(dá)成，但是具體到執(zhí)行層面，我們?nèi)孕枰喔哔|(zhì)量的討論，真正還原技術(shù)和商業(yè)背后的矛與盾、利與勢。而且，從古今中外科技行業(yè)發(fā)展的普遍規(guī)律來看，核心技術(shù)的創(chuàng)新主體絕對有企業(yè)家的一席之地，這也意味著，這樣的討論也絕對不能沒有這些一線沖鋒者的參與。