最近三星公布了關(guān)于生產(chǎn)7nm、5nm、4nm和3nm的路線(xiàn)圖，三星的新路線(xiàn)圖重點(diǎn)為其客戶(hù)提供更多針對(duì)各行業(yè)的系統(tǒng)設(shè)備的節(jié)能系統(tǒng)。三星執(zhí)行副總裁兼代工銷(xiāo)售與營(yíng)銷(xiāo)主管Charlie Bae表示：“趨向于更智能，互聯(lián)的世界，業(yè)界對(duì)芯片供應(yīng)商的要求越來(lái)越高。

　　三星表示目前基于EUV光刻技術(shù)的下一代工藝技術(shù)是7nm Low Power Plus，三星的7LPP解決方案將在今年下半年投入生產(chǎn)，并將在2019年上半年擴(kuò)大規(guī)模。

　　同時(shí)關(guān)于5nm、4nm、包括3nm的技術(shù)目前也正在開(kāi)展，按照三星的預(yù)想，三星路線(xiàn)圖的最后一步是3nm Gate-All-Around Early / Plus。使用更新型的晶體管可以解決FinFET的物理縮放問(wèn)題。

　　相較于三星的激進(jìn)，臺(tái)積電一直采用穩(wěn)扎穩(wěn)打的方式似乎更為穩(wěn)妥，當(dāng)年在20nm工藝上的不良表現(xiàn)導(dǎo)致了高通驍龍810出現(xiàn)了嚴(yán)重的發(fā)熱問(wèn)題，后來(lái)在16nm上面選擇了更加沉穩(wěn)的方式，而激進(jìn)的三星則是全力研發(fā)14nmFinFET工藝，最終使得2015年初成功投產(chǎn)并領(lǐng)先臺(tái)積電半年左右。

　　在10nm工藝上，臺(tái)積電于2017年初投產(chǎn)，而三星則趕在2016年10月投產(chǎn)，再次取得領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。同樣的在當(dāng)前的7nm工藝上三星再次采取了激進(jìn)策略，引入先進(jìn)的EUV技術(shù)預(yù)計(jì)在今年下半年投產(chǎn)，而臺(tái)積電繼續(xù)采取穩(wěn)健策略先研發(fā)7nm工藝在今年初投產(chǎn)然后到明年引入EUV技術(shù)，這再次讓三星取得領(lǐng)先的制程工藝優(yōu)勢(shì)。

　　不可否認(rèn)的是，臺(tái)積電在每個(gè)階段的深耕更能使自己的產(chǎn)品有更好的良品率，特別是在功耗的控制上，臺(tái)積電相對(duì)于三星做的更加的好。但很明顯的是隨著三星越來(lái)越多的動(dòng)作，臺(tái)積電的訂單正在變少，市場(chǎng)上對(duì)于芯片的需求量越來(lái)越大，對(duì)于芯片的質(zhì)量要求也越來(lái)越高，無(wú)論是三星還是臺(tái)積電，只有不斷的保持自己在這個(gè)領(lǐng)域的制造優(yōu)勢(shì)，才能不被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手淘汰。