IC Insights預測，繼今年上半年半導體資本支出大幅增長后，全年半導體資本支出預期上調(diào)至809億美元，比去年同期增長20%，且高于預期資本支出53億美元，堪稱歷史最高。

圖1

如圖1所示，2017年為資本支出貢獻最大的為晶圓代工廠(28%)和閃存(24%)。隨著2016年第三季度以來DRAM價格的飆升，DRAM制造商將再次加大在這一領域的支出。預計到2017年，DRAM / SRAM的增長將達到53%，有望成為今年資本支出增長的最大百分比。經(jīng)分析，大部分資本支出仍在升級技術方面，但DRAM生產(chǎn)商SK Hynix分析稱，不單單投入在技術升級，更花費在產(chǎn)能提高上。

即使是今年支出激增，2017年閃存(190億美元)的資本支出仍將遠遠高于DRAM / SRAM(130億美元)。IC Insights認為，2017年閃存的所有支出都將用于3D NAND工藝技術改良，包括三星電子在韓國平澤掀起的3D NAND熱浪。

總體而言，預計在2016年強勁增長23%之后，閃存的資本支出將在2017年實現(xiàn)33%的增長。然而，歷史先例表明，資本支出的激增通常會導致產(chǎn)能過剩和定價疲軟。在未來幾年里，與三星、海力士、微軟、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、SanDisk和武漢新芯/長江存儲技術有關的3D NAND閃存容量將有大幅度提升，而且新的中國生產(chǎn)商可能會進入市場，IC Insights認為未來隨著3D NAND 閃存市場需求的增長加大，也將會面臨更大風險