《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 模擬設(shè)計(jì) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 向IDM進(jìn)軍 中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)需勇往直前

向IDM進(jìn)軍 中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)需勇往直前

2017-06-05
關(guān)鍵詞: 存儲(chǔ)器 半導(dǎo)體 IDM DRAM

存儲(chǔ)器尤如一座大山,擺在中國半導(dǎo)體業(yè)面前。不過既然已經(jīng)決定發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè),就沒有退縮的余地。

中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展有其特殊性,它依國家實(shí)力作為后盾,盡管西方陣營在“唱衰”中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。然而不可否認(rèn)的是,他們也在擔(dān)心中國存儲(chǔ)器業(yè)的成功。

現(xiàn)階段中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)積聚了三股力量,包括長江存儲(chǔ),晉華及王寧國主導(dǎo)的合肥長鑫,它們各有特色,采用不同的策略。不過至于哪家能取得成功,要看2018或2019年的結(jié)果,目前尚不好預(yù)言。

中國存儲(chǔ)器業(yè)的初級目標(biāo)

按中國臺灣地區(qū)南亞科總裁李培瑛的說法,他認(rèn)為在三到五年內(nèi),大陸不會(huì)對DRAM產(chǎn)業(yè)形成威脅。預(yù)期全球DRAM產(chǎn)業(yè)將維持“三大一中二小”的局面。三大指三星、SK海力士、美光;一中為南亞科;二小為華邦電以及力晶。

1496310149239044867.jpg


事實(shí)上,這樣的論調(diào)具有一定的積極意義,可以促使中國半導(dǎo)體業(yè)更加努力與精心,打破這個(gè)“魔咒“。

觀察集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)2017年2月的季度數(shù)據(jù),到2022年時(shí),大陸存儲(chǔ)器業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),可以初試牛刀,一旦有廠商的季度銷售額超過4億美元,則意味著大陸可以跨進(jìn)全球存儲(chǔ)器業(yè)的先進(jìn)行列,至少可以與臺灣地區(qū)的存儲(chǔ)器業(yè)相媲美。

選擇存儲(chǔ)器作為IDM突破口

中國芯片制造業(yè)依代工起步,在某一階段有它的合理性。但就長期發(fā)展,以及“十三五”規(guī)劃的目標(biāo)來看,中國需要重新審視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式。向IDM進(jìn)軍,刻不容緩。

眾所周知,中國半導(dǎo)體業(yè)一定要融入全球化之中,不能單成體系。按目前全球芯片銷售額的定義,中國半導(dǎo)體業(yè)銷售額中只有Fabless可以計(jì)入,其余的包括前,后段中的代工產(chǎn)值都不能計(jì)入其中。

另外,中國擁有全球最大的半導(dǎo)體市場,但是每年的集成電路進(jìn)口額超過2000億美元,進(jìn)口替代以及提高芯片國產(chǎn)化率的呼聲很高。

因此如何在短期內(nèi)能有一個(gè)明顯的提升,可以起到示范效應(yīng)。

所以跨入IDM模式已經(jīng)刻不容緩,目前的困難是選擇哪一個(gè)品類作為突破口。

相比較CPU處理器而言,對于中國芯片制造業(yè),存儲(chǔ)器產(chǎn)品可能是個(gè)正確的選擇。

挑戰(zhàn)不可避免

市場經(jīng)濟(jì)是一場搏斗,必定要分出勝負(fù)。所以對于中國半導(dǎo)體業(yè)而言,只能鼓足勇氣向前,不能退縮。

相信中國的存儲(chǔ)器一定能制造成功,因?yàn)槿毡炯绊n國在半導(dǎo)體市場的成功都是以存儲(chǔ)器作為突破口。

對手們主要是從以下三個(gè)方面防范中國:1)控制技術(shù)與人才流向中國;2)專利戰(zhàn);3)價(jià)格戰(zhàn)。

其中對中國影響最大的是價(jià)格戰(zhàn),因?yàn)閷κ值脑O(shè)備折舊凈值已經(jīng)不多,加上擁有先進(jìn)工藝制程,成本會(huì)比較低,而中國在這方面的成本會(huì)高很多。

盡管這段困難的經(jīng)歷是無法避免的,但只要中國的工藝成熟與穩(wěn)定,產(chǎn)能充足后,存儲(chǔ)器的成本必然會(huì)下降,加上存儲(chǔ)器業(yè)的周期性,中國有可能交上“好運(yùn)”。

然而真正的挑戰(zhàn)來自于自身技術(shù)研發(fā)的挑戰(zhàn),中國必須努力研發(fā),突破技術(shù)瓶頸,否則產(chǎn)能很難有大幅提升。

中國半導(dǎo)體業(yè)有國家實(shí)力作為后盾,此次存儲(chǔ)器競爭是中國半導(dǎo)體業(yè)中的IDM模式保衛(wèi)戰(zhàn),盡管任務(wù)艱巨,責(zé)任重大,但相信只要能堅(jiān)持到底,就有成功的希望,因此中國存儲(chǔ)器業(yè)要爭口氣。


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,請及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。